Διεργασίες Κατασκευής Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

Διεργασίες κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων και αισθητήρων Δημήτρης Δαβάζογλου, [email protected] ΕΚΕΦΕ «Δημόκριτος», Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής Μάθημα 3ο Ανάπτυξη κρυστάλλων, κατασκευή wafer και ιδιότητες των wafers Πλ...

Διεργασίες κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων και αισθητήρων Δημήτρης Δαβάζογλου, [email protected] ΕΚΕΦΕ «Δημόκριτος», Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής Μάθημα 3ο Ανάπτυξη κρυστάλλων, κατασκευή wafer και ιδιότητες των wafers Πλεγματικό κενό, Vacancy Ενδοπλεγματικό άτομο, Interstitial  Purification of Silicon Melt above 1600 oC 1. Start with SiO2 (sand)/carbon mixtures ========> metallurgical grade Si (98% pure) 2. Grind MG Si and treate with HCl at 300 oC ====> Clorosilanes (SiClxHy) x=1-4, y=3-0 (volatile) 3. Siemens Technique: Silicon deposited on filament (1000 + oC) Chlorosilane After some weeks … Purified Si (99,9999 %) Current Ανάπτυξη Κρυστάλλων, Τεχνική Czochralsky - Kyropoulos ΣΥΝΟΠΤΙΚΑ Μάθημα 4ο Καθαροί χώροι, καθαρισμός wafer και gettering Το πρόβλημα της απομάκρυνσης ή/και του ελέγχου των ανεπιθύμητων μολύνσεων λύνεται χρησιμοποιώντας τρείς προσεγγίσεις: 1. Καθαροί χώροι, 2. Αυστηρός καθαρισμός των wafer και 3. Gettering (παγίδευση, απενεργοποίηση) 1η Προσέγγιση για μείωση των μολύνσεων – Καθαροί Χώροι Γενικη Τοπογραφία ενός Καθαρού Χώρου Ροή αέρα από την οροφή μέσα από φίλτρα HEPA (high Efficiency Particle Absorption) Αέρας υψηλής καθαρότητας, ελεγχόμενης θερμοκρασίας και υγρασίας. Γυαλιστερό δάπεδο, απομονωμένο από το υπόλοιπο κτίριο (για αποφυγή δονήσεων) 2η Προσέγγιση για μείωση των μολύνσεων – Καθαρισμός wafer Βήματα καθαρισμού RCA Αυτοφυές οξείδιο, native oxide (17 A) 3η Προσέγγιση για μείωση των μολύνσεων – Gettering 3η Προσέγγιση για μείωση των μολύνσεων – Gettering Συνέχεια 3η Προσέγγιση για μείωση των μολύνσεων – Gettering Συνοπτικά