Διεργασίες κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων και αισθητήρων PDF

Διεργασίες κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων και αισθητήρων ΘΕΡΜΙΚΗ ΟΞΕΙΔΩΣΗ ΤΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ THERMAL OXIDATION OF SILICON Δημήτρης Δαβάζογλου, [email protected] ΕΚΕΦΕ «Δημόκριτος», Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής ΘΕΡΜΙΚΗ ΟΞΕΙΔΩΣΗ ΤΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΜΕΘΟΔΟΣ ΟΞΕΙΔΩΣΗΣ ΡΥΘΜΟΣ Ο...

Διεργασίες κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων και αισθητήρων ΘΕΡΜΙΚΗ ΟΞΕΙΔΩΣΗ ΤΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ THERMAL OXIDATION OF SILICON Δημήτρης Δαβάζογλου, [email protected] ΕΚΕΦΕ «Δημόκριτος», Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής ΘΕΡΜΙΚΗ ΟΞΕΙΔΩΣΗ ΤΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΜΕΘΟΔΟΣ ΟΞΕΙΔΩΣΗΣ ΡΥΘΜΟΣ ΟΞΕΙΔΩΣΗΣ OXIDATION RATE NI=nr of oxidant molecules incorporated per unit volume of oxide grown NI=2.2 1022 cm-3 for O2, double for H2O ΑΛΛΑ ΜΟΝΤΕΛΑ ΟΞΕΙΔΩΣΗΣ Ο ΡΥΘΜΟΣ ΟΞΕΙΔΩΣΗΣ ΕΞΑΡΤΑΤΑΙ ΑΠΌ ΤΟ ΣΧΗΜΑ, ΤΟ ΠΑΧΟΣ, ΤΟ ΣΤΡΕΣΣ, ΚΛΠ γ=nr of Si interstitials β= nr of vacancies ΣΥΝΟΛΙΚΑ ΛΟΙΠΟΝ …