Cuestiones teóricas y ejercicios prácticos de electrónica analógica y digital PDF

1 Cuestiones teóricas y ejercicios prácticos de electrónica analógica y digital Luis Rubio Peña Cuestiones teóricas y ejercicios prácticos de electrónica analógica y digital Dirección Francisco Javier García Pacheco Consejo editorial Antonio Jesús Arriaza Gómez Clem...

1 Cuestiones teóricas y ejercicios prácticos de electrónica analógica y digital Luis Rubio Peña Cuestiones teóricas y ejercicios prácticos de electrónica analógica y digital Dirección Francisco Javier García Pacheco Consejo editorial Antonio Jesús Arriaza Gómez Clemente Cobos Sánchez Marina Murillo Arcila Fernando Pérez Peña Angel Quirós Olozábal Carlos Rodríguez Cordón Sol Sáez Martínez José María Sánchez Amaya Moisés Villegas Vallecillos Consejo asesor Juan Antonio Leñero Bardallo Mienie Roberts Geoff Diestel Alejandro Miralles Montolío Piotr Nowak Daniele Puglisi Bentuo Zheng Cuestiones teóricas y ejercicios prácticos de electrónica analógica y digital Luis Rubio Peña «Esta obra ha superado un triple proceso de evaluación externa por pares ciegos» Política editorial de la colección: Pinche aquí Primera edición: Septiembre 2018 Edita: Editorial UCA Servicio de Publicaciones de la Universidad de Cádiz C/ Doctor Marañón, 3 - 11002 Cádiz (España) www.uca.es/publicaciones [email protected] ©Servicio de Publicaciones de la Universidad de Cádiz ©Luis Rubio Peña eISBN: 978-84-9828-770-7 «Cualquier forma de reproducción, distribución, comunicación pública o transformación de esta obra solo puede ser realizada con la autorización de sus titulares, salvo excepción previsa por ley. Diríjase a CEDRO (Centro Español de Derechos Reprográficos, www.cedro.org) si necesita fotocopiar o escanear algún fragmento de la obra» Esta editorial es miembro de la UNE, lo que garantiza la difusión y comercialización de sus publicaciones a nivel nacional. Índice general Prólogo 6 Prefacio 8 1 Cuestiones 11 1.1 Física de semiconductores........... 12 1.2 El diodo de unión................ 33 1.3 Circuitos con diodos.............. 54 1.4 El transistor bipolar de unión.......... 63 1.5 Transistores de efecto de campo........ 78 1.6 Amplificación.................. 89 1.7 Álgebra de Boole................ 103 1.8 Circuitos combinacionales........... 108 1.9 Memorias.................... 115 2 Ejercicios 125 2.1 Electrónica analógica.............. 125 2.2 Electrónica digital................ 157 Prólogo La colección eBooks on Mathematics and Physics applied to Engineering nace como una iniciativa en el seno del Servicio de Publicaciones de la Universidad de Cádiz para apostar por el libro electrónico como fuente académica emergente dentro de una sociedad cambiante que se dirige hacia el mundo digital, como ya puede apreciarse en la irrupción en el siglo XXI de los teléfonos, tabletas y televisores inteligentes. El cada vez más implantado fenómeno conocido como Internet de las Cosas (IoT por sus siglas en inglés) se está convirtiendo en una herramien- ta casi fundamental en muchos ámbitos de la sociedad. Buena prueba de ello es la cuarta revolución industrial que estamos viviendo (o Industria 4.0 como muchos expertos prefieren de- nominarla) en la que expresiones como Big Data constituyen el pan nuestro de cada día en estos nuevos ámbitos industriales. El mundo académico no se está quedando atrás en esta tendencia digital en la que estamos sumergidos, sino que avanza con ella con fuerza y se implanta en los tres pilares que definen a dicho mundo: docencia, investigación y transferencia. 6  Prólogo Las revistas científicas digitales, el DOI, los perfiles de inves- tigación, las bases de indexación, los repositorios, los índices bibliometricos, el metadata, etc., son la prueba más palpable de que nos estamos moviendo en una dirección muy concreta ha- cia una gestión académica y editorial basada en los contenidos digitales. El tremendo avance en las nuevas tecnologías móviles permite que la lectura digital sea extremadamente cómoda y se pueda realizar además en casi cualquier lugar, tanto offline como online con los numerosos puntos WiFi y 4G disponibles hoy día. El al- macenamiento en nube también permite recopilar una cantidad ingente de material de lectura, todo hecho de manera portable gracias a estas nuevas tecnologías móviles que avanzan a una velocidad de vértigo. Por último, con este título se da comienzo a la colección eBooks on Mathematics and Physics applied to Engineering, constitu- yendo el volúmen número 1 de dicha colección, la cual inicia su camino con paso firme hacia un modelo de publicación electró- nica cada vez más presente en el mundo académico. Francisco Javier García Pacheco Director de la Colección eBooks on Mathematics and Physics applied to Engineering 7 Prefacio El presente texto se encuadra dentro de una colección de libros dedicados a diferentes materias de Matemáticas y Física aplica- das a la Ingeniería, en particular a la disciplina de Electrónica. Consta de una relación de cuestiones tanto teóricas como prác- ticas, estas últimas englobadas en diversos ejercicios de aplica- ción. Las cuestiones planteadas abordan contenidos relativos a una asignatura básica de Electrónica General a impartir en un cuatrimestre de alguno de los planes de estudios de los actua- les Grados de Ingeniería, con una dedicación docente habitual de seis créditos ECTS. Se cubren los contenidos fundamentales tanto de Electrónica Analógica como Digital que se impartirían en una asignatura de estas características, con el objetivo funda- mental de que sirva de repaso al alumnado de una asignatura de estas características (habitualmente de segundo curso del grado), tanto de los contenidos teóricos como de la parte de ejercicios fundamentales. 8  Prefacio El libro está estructurado en una primera parte de cuestiones teóricas y una segunda parte de ejercicios prácticos, con un total de 443 cuestiones de opción múltiple. En ambas partes aparecen contenidos tanto de Electrónica Analógica como de Electrónica Digital. En cuanto a las cuestiones teóricas, éstas se organizan en nueve temas. Se empieza con un tema de introducción de conceptos básicos de la materia, así como de física de semiconductores, materiales fundamentales en los dispositivos electrónicos. A par- tir de este tema inicial se aborda la estructura física fundamental en Electrónica: la unión pn, que va a dar lugar al dispositivo más sencillo: el diodo de unión. Se dedica un segundo tema a dife- rentes tipos de diodos y un tercero a sus aplicaciones en circuitos básicos. En los temas cuarto y quinto se trata el otro dispositivo fundamental: el transistor, en las familias de bipolares de unión y de efecto de campo respectivamente. En el tema seis se concluye la parte dedicada a Electrónica Analógica con un capítulo de- dicado a la función de amplificación en general, particularizada en los amplificadores operacionales como dispositivo integrado fundamental para su implementación. Los tres últimos temas es- tán dedicados al campo de la Electrónica Digital, con un primer tema relativo a la base matemática de esta disciplina: el Álgebra de Boole y las funciones de conmutación que de ella se derivan. En el siguiente tema se aborda la aplicación de estos contenidos teóricos a la implementación de circuitos combinacionales. Se concluye la parte de cuestiones teóricas con un capítulo dedica- do a diferentes tipos de memorias digitales. En total se plantean 316 cuestiones teóricas en los nueve temas que se han descrito. 9  Prefacio En la segunda parte del libro se plantean una serie de ejercicios de aplicación de los temas expuestos en la parte teórica previa. Hay 26 ejercicios de Electrónica Analógica y 12 de Electrónica Digital, que incluyen un total de 127 cuestiones en total. En las diferentes cuestiones, tanto teóricas como prácticas, que así lo requerían se han añadido figuras para facilitar la compren- sión de las preguntas planteadas. 10 Capítulo 1 Cuestiones Contenidos 1.1 Física de semiconductores........ 12 1.2 El diodo de unión............ 33 1.3 Circuitos con diodos........... 54 1.4 El transistor bipolar de unión...... 63 1.5 Transistores de efecto de campo..... 78 1.6 Amplificación.............. 89 1.7 Álgebra de Boole............. 103 1.8 Circuitos combinacionales........ 108 1.9 Memorias................. 115 11  Física de semiconductores 1.1 Física de semiconductores 1. ¿Cuál de los siguientes subsistemas electrónicos aumenta la potencia de una señal? a) Fuente de señal. b) Fuente de alimentación. c) Amplificador. d) Filtro pasivo. 2. ¿Qué tipo de circuito emplearía para eliminar una señal de ruido? a) Fuente de señal. b) Fuente de alimentación. c) Amplificador. d) Filtro. 3. ¿Cuál de los siguientes elementos transforma una señal analógica en digital y viceversa? a) Fuente de señal. b) Decodificador. c) Amplificador. d) Convertidor. 4. ¿A cuál de los siguientes elementos corresponde un gene- rador de tensión? a) Generador de señales. b) Fuente de alimentación. 12  Física de semiconductores c) Amplificador. d) Convertidor. 5. ¿Cuál de los siguientes materiales es un semiconductor eléctrico? a) Platino. b) Germanio. c) Vidrio. d) Azufre. 6. ¿Cuál de los siguientes materiales es un conductor eléc- trico? a) Platino. b) Germanio. c) Vidrio. d) Azufre. 7. Señale la principal ventaja de una señal digital frente a una analógica. a) Un sistema digital es más sencillo y barato que uno analógico. b) Las señales digitales se comportan mejor ante seña- les de ruido. c) Una señal digital es más sencilla que una analógica porque solo toma dos valores. d) Los sistemas digitales son más modernos y de mayor calidad en todo caso que los analógicos, que están en desuso. 13  Física de semiconductores 8. Indique cual de las siguientes afirmaciones es correcta: a) Ante una perturbación producida por una señal de ruido, éste se elimina con mayor facilidad en una señal analógica que en una digital. b) Una señal digital sólo puede tomar dos valores dife- rentes. c) Las señales analógicas pueden tomar cualquier valor dentro de un intervalo determinado para una magni- tud considerada. d) Tanto las señales analógicas como las digitales em- pleadas en electrónica tienen que ser periódicas en el tiempo. 9. Indique cual de las siguientes afirmaciones es correcta: a) La conductividad de un material en general aumenta al aumentar la temperatura. b) La conductividad de un material en general aumenta al aumentar la temperatura, pero en los materiales semiconductores es al revés. c) La conductividad de un material en general disminu- ye al aumentar la temperatura, pero en los materiales semiconductores es al revés. d) La conductividad de un material es una característica esencial del mismo y no depende de la temperatura. 10. ¿Cuál de los siguientes materiales es un aislante eléctrico? a) Platino. b) Germanio. 14  Física de semiconductores c) Oro. d) Azufre. 11. En un cristal de silicio, cada átomo está unido a) a otros tres átomos de silicio. b) a otros cuatro átomos de silicio. c) a otros cinco átomos de silicio. d) El silicio no es un material cristalino, sino un semi- conductor. 12. En un cristal de silicio, los átomos están unidos mediante enlace a) covalente. b) iónico. c) metálico. d) El silicio no es un material cristalino, sino un semi- conductor. 13. La estructura cristalina del silicio es a) cúbica. b) esférica. c) circular. d) El silicio no es un material cristalino, sino un semi- conductor. 15  Física de semiconductores 14. En un cristal de silicio, a temperatura ambiente, a) prácticamente existe un electrón libre por cada áto- mo de silicio del cristal. b) el número de electrones libres que se han formado es mucho menor que el número total de átomos del cristal. c) prácticamente todos los electrones de valencia se han convertido en electrones libres. d) El silicio no es un material cristalino, sino un semi- conductor. 15. Materiales semiconductores como el silicio o el germanio, a) tienen tres electrones en su última capa. b) tienen cuatro electrones en su última capa. c) tienen cinco electrones en su última capa. d) son diferentes, el silicio tiene cuatro electrones en su última capa y el germanio cinco. 16. En general un material, desde el punto de vista de la conductividad eléctrica, se comporta como a) conductor si tiene pocos electrones (1 ó 2) en su última capa y aislante si tiene la última capa llena o casi llena. b) aislante si tiene pocos electrones (1 ó 2) en su última capa y conductor si tiene la última capa llena o casi llena. 16  Física de semiconductores c) conductor si tiene pocos electrones (1 ó 2) en su última capa y semiconductor si tiene la última capa llena o casi llena. d) semiconductor si tiene pocos electrones (1 ó 2) en su última capa y aislante si tiene la última capa llena o casi llena. 17. Indique cual de las siguientes afirmaciones es correcta: a) Los únicos materiales semiconductores existentes son el silicio y el germanio. b) El germanio es el semiconductor más empleado en aplicaciones electrónicas. c) Además del silicio y el germanio hay otros mate- riales semiconductores como el arseniuro de galio. d) Además del silicio y el germanio hay otros materia- les semiconductores como el titanato de bario. 18. Indique cual de las siguientes afirmaciones es correcta: a) Los materiales semiconductores conducen mejor la electricidad a temperaturas más bajas. b) Los materiales semiconductores conducen mejor la electricidad a temperaturas más altas, como cual- quier material en general. c) A una temperatura de 0 , un material semicon- ductor se comporta de forma similar a un aislante, respecto a la conducción de electricidad, porque no tiene electrones libres. 17  Física de semiconductores d) Los materiales semiconductores conducen mejor la electricidad a temperaturas más altas, comportándo- se como un material conductor para una temperatura suficientemente alta. 19. La corriente eléctrica que aparece en un semiconductor a) se debe al desplazamiento tanto de cargas positivas o huecos, como de negativas o electrones. b) se debe únicamente al desplazamiento de electrones libres. c) se debe únicamente al desplazamiento de electrones de enlace. d) se debe al desplazamiento tanto de electrones libres como de electrones de enlace. 20. La corriente eléctrica que aparece en un semiconductor a) se debe al desplazamiento tanto de cargas positivas o huecos, como de negativas o electrones, siendo mayor la debida a los huecos. b) se debe al desplazamiento tanto de cargas positivas o huecos, como de negativas o electrones, siendo mayor la debida a los electrones. c) se debe al desplazamiento tanto de electrones libres como de electrones de enlace, siendo mayor la debi- da a los electrones libres. d) se debe al desplazamiento tanto de electrones libres como de electrones de enlace, siendo mayor la debi- da a los electrones de enlace. 18  Física de semiconductores 21. En un semiconductor se denomina corriente de huecos a) a la debida al movimiento de cargas positivas exis- tentes en la estructura del semiconductor. b) a la debida al movimiento de electrones de enlace existentes en la estructura del semiconductor. c) a la debida al movimiento de electrones libres existentes en la estructura del semiconductor. d) a la debida al movimiento de cargas positivas y elec- trones de enlace existentes en la estructura del semi- conductor. 22. En un semiconductor se denomina hueco a) a un defecto de su estructura cristalina. b) a la posición vacía que deja un electrón libre. c) a las cargas negativas que existen en su estructura cristalina. d) tanto a la posición vacía que deja un electrón li- bre como a las cargas negativas que existen en su estructura cristalina. 23. ¿Qué representa ni ? a) el número de electrones libres en un semiconductor intrínseco. b) el número de electrones libres por unidad de volu- men en un semiconductor intrínseco. c) el número de electrones libres por unidad de volu- men en un semiconductor extrínseco. 19  Física de semiconductores d) el número de electrones libres por unidad de masa en un semiconductor intrínseco. 24. ¿Qué representa ni ? a) el número de átomos dopantes pentavalentes por uni- dad de volumen en un semiconductor extrínseco. b) el número de átomos dopantes trivalentes por unidad de volumen en un semiconductor extrínseco. c) el número de electrones libres por unidad de volu- men en un semiconductor intrínseco. d) el número de átomos dopantes pentavalentes por uni- dad de masa en un semiconductor extrínseco. 25. En un semiconductor se establecen dos corrientes eléctri- cas de diferente naturaleza, a) corriente de huecos, debida al desplazamiento de cargas positivas y corriente de electrones, debida al desplazamiento de electrones y que tienen sentidos opuestos. b) corriente de huecos y corriente de electrones, de- bidas ambas al desplazamiento de electrones y que tienen sentidos opuestos. c) corriente de huecos, debida al desplazamiento de cargas positivas y corriente de electrones, debida al desplazamiento de electrones y que tienen sentidos iguales. d) corriente de huecos y corriente de electrones, de- bidas ambas al desplazamiento de electrones y que tienen sentidos iguales. 20  Física de semiconductores 26. En un semiconductor intrínseco se establecen dos corrien- tes eléctricas de diferente naturaleza, a) corriente de huecos que es mayor que la corriente de electrones. b) corriente de huecos que es menor que la corriente de electrones. c) corriente de huecos y corriente de electrones que son aproximadamente iguales. d) corriente de huecos y corriente de electrones que dependiendo del tipo de semiconductor una es mayor que otra. 27. En un semiconductor intrínseco, a) la concentración de electrones libres es mayor que la concentración de huecos. b) la concentración de electrones libres es menor que la concentración de huecos. c) la concentración de electrones libres es igual que la concentración de huecos. d) no hay huecos, sólo electrones libres, por eso se llama intrínseco, sino sería extrínseco. 28. Para una temperatura dada en un semiconductor en equi- librio, a) las velocidades de recombinación y generación son iguales y nulas. b) la velocidad de generación es mayor que la de re- combinación, por eso se crean electrones libres. 21  Física de semiconductores c) las velocidades de recombinación y generación son iguales siempre que la temperatura sea suficiente- mente elevada. d) las velocidades de recombinación y generación son iguales. 29. Considere los procesos de recombinación y de conducción por huecos que se dan en un material semiconductor, a) son procesos similares. b) en ambos procesos un electrón de enlace ocupa un hueco de la estructura del cristal semiconductor. c) en ambos procesos un electrón ocupa un hueco de la estructura del cristal semiconductor; en la recom- binación un electrón libre y en la conducción por huecos un electrón de enlace. d) en ambos procesos un electrón libre ocupa un hueco de la estructura del cristal semiconductor. 30. Considere los procesos de recombinación y de conducción por huecos que se dan en un material semiconductor, a) en ambos procesos un electrón ocupa un hueco de la estructura del cristal semiconductor; en la recom- binación un electrón libre y en la conducción por huecos un electrón de enlace. b) en ambos procesos un electrón de enlace ocupa un hueco de la estructura del cristal semiconductor. c) en ambos procesos un electrón ocupa un hueco de la estructura del cristal semiconductor; en la recombi- nación un electrón de enlace y en la conducción por huecos un electrón libre. 22  Física de semiconductores d) en ambos procesos un electrón libre ocupa un hueco de la estructura del cristal semiconductor. 31. Al aumentar la temperatura en un semiconductor, a) las velocidades de recombinación y generación son iguales y nulas. b) la velocidad de generación es mayor que la de re- combinación, por eso se crean electrones libres. c) las velocidades de recombinación y generación son iguales siempre que la temperatura sea suficiente- mente elevada. d) las velocidades de recombinación y generación son iguales. 32. Al disminuir la temperatura en un semiconductor, a) las velocidades de recombinación y generación son iguales y nulas. b) la velocidad de generación es mayor que la de re- combinación, por eso se crean electrones libres. c) la velocidad de generación es menor que la de recom- binación, por eso se reduce el número de electrones libres. d) las velocidades de recombinación y generación son iguales. 33. Al disminuir la temperatura en un semiconductor, a) la velocidad de generación es mayor que la de re- combinación, por eso aumenta la conductividad del material. 23  Física de semiconductores b) la velocidad de generación es mayor que la de re- combinación, por eso disminuye la conductividad del material. c) la velocidad de generación es menor que la de re- combinación, por eso aumenta la conductividad del material. d) la velocidad de generación es menor que la de re- combinación, por eso disminuye la conductividad del material. 34. Indique cual de las siguientes afirmaciones es correcta: a) se llama generación al proceso por el cual en un se- miconductor aparecen electrones libres en su estruc- tura y recombinación al proceso que crea huecos. b) los procesos de generación y recombinación sólo se dan en semiconductores intrínsecos. c) el proceso de generación en un semiconductor crea pares de electrones libres y huecos y el de recombi- nación elimina dichos pares. d) se llama recombinación al proceso por el cual en un semiconductor un electrón de enlace ocupa un hueco en la estructura del semiconductor. 35. En un semiconductor sometido a un campo eléctrico a) los electrones se desplazan en la dirección y sentido del campo eléctrico y los huecos en la opuesta. b) los electrones y los huecos se desplazan en la direc- ción y sentido del campo eléctrico. 24  Física de semiconductores c) los huecos se desplazan en la dirección y sentido del campo eléctrico y los electrones en la opuesta. d) los electrones y los huecos se desplazan en la direc- ción del campo eléctrico y en sentido opuesto. 36. ¿Cuántos electrones de valencia tienen los elementos se- miconductores silicio y germanio? a) Tres. b) Cuatro. c) Cinco. d) Depende de si es intrínseco o extrínseco. 37. Para obtener un semiconductor extrínseco de tipo n a partir de silicio puro, se añaden impurezas a) con dos electrones en su última capa. b) con tres electrones en su última capa. c) con cuatro electrones en su última capa. d) con cinco electrones en su última capa. 38. Para obtener un semiconductor extrínseco de tipo n a partir de silicio puro, se añaden impurezas a) donantes pentavalentes. b) donantes trivalentes. c) aceptoras pentavalentes. d) aceptoras trivalentes. 25  Física de semiconductores 39. Para obtener un semiconductor extrínseco de tipo p a partir de silicio puro, se añaden impurezas a) con dos electrones en su última capa. b) con tres electrones en su última capa. c) con cuatro electrones en su última capa. d) con cinco electrones en su última capa. 40. Para obtener un semiconductor extrínseco de tipo p a partir de silicio puro, se añaden impurezas a) donantes pentavalentes. b) donantes trivalentes. c) aceptoras pentavalentes. d) aceptoras trivalentes. 41. En un semiconductor extrínseco de tipo n cada átomo de la impureza añadida está unido a a) otros tres átomos porque son impurezas trivalentes. b) otros cuatro átomos porque son impurezas tetrava- lentes. c) otros cinco átomos porque son impurezas pentava- lentes. d) Ninguna de las afirmaciones anteriores es correcta. 42. En un semiconductor extrínseco de tipo n a) los huecos son portadores mayoritarios y los elec- trones libres minoritarios. 26  Física de semiconductores b) los huecos son portadores minoritarios y los elec- trones libres mayoritarios. c) los huecos y los electrones libres son portadores mayoritarios. d) los huecos y los electrones libres son portadores minoritarios. 43. En un semiconductor extrínseco de tipo n a temperatura ambiente a) Prácticamente todos los electrones libres del cristal provienen de los átomos aceptores ionizados. b) los electrones libres del cristal provienen en propor- ción similar de los átomos donantes ionizados y de los enlaces entre átomos de silicio rotos. c) prácticamente todos los electrones libres del cristal provienen de los átomos donantes ionizados. d) los electrones libres del cristal provienen en propor- ción similar de los átomos aceptores ionizados y de los enlaces entre átomos de silicio rotos. 44. El fósforo es un elemento pentavalente a) que puede actuar como dopante del silicio formando un semiconductor de tipo p. b) que puede actuar como sustancia dopante en un cris- tal de silicio, generándose un mayor número de elec- trones libres para una temperatura dada. c) que puede actuar como sustancia dopante en un cris- tal de silicio, generándose un mayor número de hue- cos para una temperatura dada. 27  Física de semiconductores d) por lo que puede emplearse como impureza aceptora añadiéndose a un semiconductor intrínseco. 45. El boro es un elemento trivalente a) que puede actuar como dopante del silicio formando un semiconductor de tipo n. b) que puede actuar como sustancia dopante en un cris- tal de silicio, generándose un mayor número de hue- cos para una temperatura dada. c) que puede actuar como sustancia dopante en un cris- tal de silicio, generándose un mayor número de elec- trones para una temperatura dada. d) por lo que puede emplearse como impureza donante añadiéndose a un semiconductor intrínseco. 46. En un semiconductor de tipo n a) la conducción se debe principalmente a los electro- nes libres procedentes de la ruptura de enlaces de los átomos del semiconductor intrínseco de partida. b) la conducción se debe principalmente a los electro- nes libres procedentes de la ruptura de enlaces de los átomos dopantes. c) la conducción se debe principalmente a los huecos procedentes de la ruptura de enlaces de los átomos del semiconductor intrínseco de partida. d) la conducción se debe en la misma medida a los electrones libres y a los huecos procedentes de la ruptura de enlaces de los átomos del semiconductor intrínseco de partida. 28  Física de semiconductores 47. En un semiconductor de tipo p a) la conducción se debe principalmente a los huecos procedentes de los átomos del semiconductor intrín- seco de partida. b) la conducción se debe principalmente a los huecos procedentes de los átomos dopantes. c) la conducción se debe principalmente a los electro- nes libres procedentes de la ruptura de enlaces de los átomos del semiconductor intrínseco de partida. d) la conducción se debe en la misma medida a los electrones libres y a los huecos procedentes de la ruptura de enlaces de los átomos del semiconductor intrínseco de partida. 48. En un semiconductor de tipo p a) los huecos son portadores mayoritarios y los elec- trones libres minoritarios. b) los huecos son portadores minoritarios y los elec- trones libres mayoritarios. c) depende de cada tipo de semiconductor p y de la temperatura qué tipo de portadores son mayoritarios o minoritarios. d) sólo existen portadores mayoritarios y minorita-rios en semiconductores intrínsecos. 49. En un semiconductor de tipo n a) los huecos son portadores mayoritarios y los elec- trones libres minoritarios. 29  Física de semiconductores b) los huecos son portadores minoritarios y los elec- trones libres mayoritarios. c) depende de cada tipo de semiconductor n y de la temperatura qué tipo de portadores son mayoritarios o minoritarios. d) sólo existen portadores mayoritarios y minoritarios en semiconductores intrínsecos. 50. En un semiconductor de tipo n a) los huecos son portadores mayoritarios y los átomos dopantes tienen 3 electrones de valencia. b) los huecos son portadores mayoritarios y los átomos dopantes tienen 5 electrones de valencia. c) los electrones libres son portadores mayoritarios y los átomos dopantes tienen 3 electrones de valencia. d) los electrones libres son portadores mayoritarios y los átomos dopantes tienen 5 electrones de valencia. 51. Un semiconductor de tipo n a) se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas aceptoras trivalentes. b) se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas donantes trivalentes. c) se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas aceptoras pentavalentes. d) se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas donantes pentavalentes. 30  Física de semiconductores 52. Un semiconductor de tipo p a) se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas aceptoras trivalentes. b) se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas donantes trivalentes. c) se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas aceptoras pentavalentes. d) se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas donantes pentavalentes. 53. Indique cuál de las siguientes ecuaciones es correcta: a) En un semiconductor extrínseco de tipo n: p = n + ND. b) p · n = ni2. c) En un semiconductor extrínseco de tipo p: p = n + ND. d) En un semiconductor extrínseco: p = n. 31  Física de semiconductores 54. Indique cuál de las siguientes ecuaciones es correcta: a) En un semiconductor extrínseco de tipo n: p = n + ND. b) p · n = ni3. c) En un semiconductor extrínseco de tipo p: p = n + ND. d) En un semiconductor intrínseco: p = n. 55. En un cristal de silicio a) no hay electrones libres. b) no hay electrones libres únicamente en la situación ideal de mínima energía a T = 0. c) a una temperatura lo suficientemente alta hay tantos electrones libres como en un conductor, como por ejemplo el cobre. d) El silicio no es un material cristalino, sino un semi- conductor. 32  El diodo de unión 1.2 El diodo de unión 1. En una unión pn no polarizada, a) antes de alcanzar su equilibrio hay un gradiente de concentración de portadores que hace que se difun- dan electrones libres del lado n al lado p. b) antes de alcanzar su equilibrio hay un gradiente de concentración de portadores que hace que se difun- dan huecos del lado n al lado p. c) se difunden huecos del lado n al lado p debido al campo eléctrico aplicado. d) se difunden electrones libres del lado n al lado p debido al campo eléctrico aplicado. 2. En una unión pn no polarizada en equilibrio, a) se difunden electrones libres del lado n al lado p debido al gradiente de concentración de portadores entrte las dos zonas. b) se difunden huecos del lado n al lado p debido al gradiente de concentración de portadores entrte las dos zonas. c) se difunden electrones libres del lado n al lado p debido al campo eléctrico que aparece a lo largo de la unión. d) no hay difusión de portadores de una zona a otra. 3. En una unión pn ideal no polarizada en equilibrio, a) hay átomos donantes en todo el material. 33  El diodo de unión b) sólo hay átomos donantes en el material p. c) sólo hay átomos donantes en el material n. d) sólo hay átomos donantes en la zona de carga espa- cial. 4. En una unión pn ideal no polarizada en equilibrio, a) hay un campo eléctrico interno dirigido de la zona n hacia la p. b) hay un campo eléctrico interno dirigido de la zona p hacia la n. c) no hay campo eléctrico interno ni externo porque está sin polarizar. d) hay un campo eléctrico interno que favorece la difu- sión de portadores. 5. En una unión pn ideal no polarizada en equilibrio, a) hay un campo eléctrico interno que favorece la difu- sión de portadores. b) hay un campo eléctrico interno dirigido de la zona p hacia la n. c) no hay campo eléctrico interno ni externo porque está sin polarizar. d) Ninguna de las respuesta anteriores es correcta. 6. En una unión pn ideal no polarizada en equilibrio, a) hay un campo eléctrico interno dirigido de la zona n hacia la p. 34  El diodo de unión b) hay un campo eléctrico interno dirigido de la zona p hacia la n. c) hay un campo eléctrico interno que favorece la difu- sión de portadores. d) Ninguna de las respuesta anteriores es correcta. 7. En una unión pn ideal no polarizada en equilibrio, a) aparece una diferencia de potencial eléctrico entre las zonas n y p. b) hay un campo eléctrico interno dirigido de la zona p hacia la n. c) no hay campo eléctrico ni diferencia de potencial eléctrico porque está sin polarizar. d) hay un campo eléctrico interno que favorece la difu- sión de portadores. 8. En una unión pn ideal no polarizada en equilibrio, a) hay un campo eléctrico a través de todo el material semiconductor. b) hay un campo eléctrico en la zona de deplexión que se opone a la difusión de huecos y electrones libres. c) hay un campo eléctrico en la zona de deplexión que produce la difusión de huecos y electrones libres. d) no hay campo eléctrico porque está en equilibrio y no polarizada. 9. En la zona de carga espacial de una unión pn, a) la carga procede de los huecos y electrones libres. 35  El diodo de unión b) la carga positiva procede de los átomos aceptores de la zona p. c) la carga negativa procede de los átomos aceptores de la zona n. d) la carga negativa procede de los átomos aceptores de la zona p. 10. En una unión pn no polarizada en equilibrio, a) cesa la difusión de portadores entre ambas zonas cuando se iguala la concentración de portadores en ambas zonas. b) cesa la difusión de portadores entre ambas zonas a causa de la aparición de un campo eléctrico en la unión. c) sigue manteniéndose la difusión de portadores entre ambas zonas. d) No es posible que una unión pn esté en equilibrio sin polarizar. 11. En una unión pn no polarizada en equilibrio, aparecen dos zonas de carga espacial, a) una positiva en el lado n y otra negativa en el lado p debido a los portadores libres de cada zona. b) una negativa en el lado n y otra positiva en el lado p debido a los portadores libres de cada zona. c) una positiva en el lado n y otra negativa en el lado p debida a los átomos dopantes ionizados. d) una negativa en el lado n y otra positiva en el lado p debida a los átomos dopantes ionizados. 36  El diodo de unión 12. En una unión pn no polarizada en equilibrio, aparecen una zona de carga espacial en el lado n, a) positiva debida a los átomos donantes ionizados. b) negativa debida a los átomos donantes ionizados. c) positiva debida a los átomos aceptores ionizados. d) negativa debida a los átomos aceptores ionizados. 13. En una unión pn no polarizada en equilibrio, aparecen una zona de carga espacial en el lado n, a) positiva debida a los átomos donantes ionizados. b) negativa debida a los átomos donantes ionizados. c) positiva debida a los huecos. d) negativa debida a los electrones libres. 14. La corriente en una unión pn se debe fundamentalmente a los a) portadores mayoritarios. b) portadores mayoritarios cuando está polarizada en directa y a los minoritarios cuando está polarizada en inversa. c) portadores mayoritarios cuando está polarizada en inversa y a los minoritarios cuando está polarizada en directa. d) portadores minoritarios. 37  El diodo de unión 15. En una unión pn no polarizada antes de llegar al equilibrio a) se difunden únicamente electrones libres de un lado a otro de la unión. b) se difunden portadores de carga de dos tipos de un lado a otro de la unión: huecos y electrones libres. c) se difunden únicamente huecos de un lado a otro de la unión. d) se difunden portadores de carga de tres tipos de un lado a otro de la unión: átomos ionizados, huecos y electrones libres. 16. En una unión pn no polarizada antes de llegar al equilibrio a) se difunden únicamente electrones libres de un lado a otro de la unión. b) los átomos dopantes no pueden difundirse a través de la unión porque están unidos a la estructura cristalina del semiconductor. c) se difunden únicamente huecos de un lado a otro de la unión. d) se difunden portadores de carga de tres tipos de un lado a otro de la unión: átomos ionizados, huecos y electrones libres. 17. En una unión pn no polarizada antes de llegar al equilibrio, los átomos dopantes ionizados a) se difunden de un lado a otro de la unión, contribu- yendo a crear las zonas de carga espacial. 38  El diodo de unión b) se difunden de un lado a otro de la unión, contribu- yendo a crear las zonas de carga espacial, una vez que ha desaparecido el gradiente de concentración de portadores. c) se difunden de un lado a otro de la unión, contri- buyendo a crear las zonas de carga espacial una vez que ha la concentración de portadores es nula. d) no se difunden de un lado a otro de la unión. 18. En una unión pn en equilibrio aparece una barrera de potencial entre las zonas n y p de un valor aproximado de a) 0.7 para el caso del germanio y 0.3 para el caso del silicio. b) 0.3 para el caso del germanio y 0.7 para el caso del silicio. c) 0.7 para cualquier tipo de material. d) 0.3 para cualquier tipo de material. 19. En una unión pn de silicio en equilibrio aparece una ba- rrera de potencial entre las zonas n y p de un valor apro- ximado de a) 0.3. b) 1. c) 5. d) 0.7. 39  El diodo de unión 20. En una unión pn de germanio en equilibrio aparece una barrera de potencial entre las zonas n y p de un valor aproximado de a) 0.3. b) 1. c) 5. d) 0.7. 21. En una unión pn en equilibrio aparece una barrera de potencial entre las zonas n y p, a) responsable de que continúe la difusión de portado- res entre ambas zonas. b) independiente del campo eléctrico existente entre ambas zonas. c) responsable de que cese la difusión de portadores entre ambas zonas. d) que favorece el aumento del gradiente de portadores entre ambas zonas. 22. Una unión pn está directamente polarizada cuando, a) el potencial eléctrico de la zona n es mayor que el de la zona p. b) ambas zonas están sometidas al mismo potencial eléctrico. c) ambas zonas están sometidas a un potencial eléctrico positivo. d) el potencial eléctrico de la zona n es menor que el de la zona p. 40  El diodo de unión 23. Una unión pn está inversamente polarizada cuando, a) el potencial eléctrico de la zona n es mayor que el de la zona p. b) ambas zonas están sometidas al mismo potencial eléctrico. c) ambas zonas están sometidas a un potencial eléctrico negativo. d) el potencial eléctrico de la zona n es menor que el de la zona p. 24. La polarización directa de una unión pn, a) disminuye la conductividad eléctrica del material porque se opone al campo electrico interno de la unión en equilibrio. b) disminuye la conductividad eléctrica del material porque aumenta el campo electrico interno de la unión en equilibrio. c) aumenta la conductividad eléctrica del material por- que aumenta el campo electrico interno de la unión en equilibrio. d) aumenta la conductividad eléctrica del material por- que se opone al campo electrico interno de la unión en equilibrio. 25. La polarización directa de una unión pn, a) disminuye la conductividad eléctrica del material porque aumenta las zonas de carga espacial de la unión. 41  El diodo de unión b) disminuye la conductividad eléctrica del material porque reduce las zonas de carga espacial de la unión. c) aumenta la conductividad eléctrica del material por- que reduce las zonas de carga espacial de la unión. d) aumenta la conductividad eléctrica del material por- que aumenta las zonas de carga espacial de la unión. 26. La polarización inversa de una unión pn, a) disminuye la conductividad eléctrica del material porque se opone al campo electrico interno de la unión en equilibrio. b) disminuye la conductividad eléctrica del material porque aumenta el campo electrico interno de la unión en equilibrio. c) aumenta la conductividad eléctrica del material por- que aumenta el campo electrico interno de la unión en equilibrio. d) aumenta la conductividad eléctrica del material por- que se opone al campo electrico interno de la unión en equilibrio. 27. La polarización directa de una unión pn, a) disminuye la conductividad eléctrica del material porque aumenta las zonas de carga espacial de la unión. b) disminuye la conductividad eléctrica del material porque reduce las zonas de carga espacial de la unión. 42  El diodo de unión c) aumenta la conductividad eléctrica del material por- que reduce las zonas de carga espacial de la unión. d) aumenta la conductividad eléctrica del material por- que aumenta las zonas de carga espacial de la unión. 28. La corriente que circula por una unión pn inversamente polarizada, antes de que entre en ruptura a) es nula. b) se denomina corriente inversa de saturación y toma un valor alto. c) se denomina corriente inversa de saturación y toma un valor bajo. d) se denomina corriente inversa de saturación y puede tomar valores altos o bajos dependiendo del mate- rial. 29. La corriente que circula por una unión pn inversamente polarizada, antes de que entre en ruptura a) es nula. b) es debida a los portadores minoritarios del material. c) es debida a los portadores mayoritarios del material. d) es debida al movimiento de los átomos dopantes del material. 30. La corriente inversa de saturación en una unión pn, antes de que entre en ruptura a) no depende de la temperatura ni del material de la unión. 43  El diodo de unión b) depende de la temperatura pero no del material de la unión. c) no depende de la temperatura pero sí del material de la unión. d) depende de la temperatura y del material de la unión. 31. La corriente inversa de saturación en un diodo, antes de que entre en ruptura, es debida a a) a los portadores mayoritarios en la zona de carga espacial de la unión pn. b) a los portadores minoritarios que se recombinan con los mayoritarios. c) a los portadores minoritarios que no se recombinan con los mayoritarios. d) a los portadores mayoritarios y minoritarios. 32. La corriente inversa de saturación en una unión pn, antes de que entre en ruptura a) es menor en una unión de silicio que de germanio porque el silicio tiene menos portadores minorita- rios. b) es menor en una unión de silicio que de germanio porque el silicio tiene más portadores minoritarios. c) es mayor en una unión de silicio que de germanio porque el silicio tiene menos portadores minorita- rios. d) es mayor en una unión de silicio que de germanio porque el silicio tiene más portadores minoritarios. 44  El diodo de unión 33. La conducción de corriente por una unión pn inversamen- te polarizada, para un valor de tensión suficientemente negativo, se puede deber al efecto zéner o al efecto de avalancha. a) falso, una unión pn inversamente polarizada no con- duce. b) falso, dichos efectos están relacionados con la res- puesta en frecuencia de una unión pn inversamente polarizada, no con su conductividad. c) verdadero, ya que ambos efectos son lo mismo. d) verdadero, aunque ambos efectos son diferentes. 34. Se llama tensión de ruptura en una unión pn a) al valor de tensión, tanto negativo como positivo a partir del cual la unión se deteriora. b) al valor de tensión, tanto negativo como positivo a partir del cual la unión pn conduce. c) al valor de tensión negativa a partir del cual la unión pn conduce. d) al valor de tensión positiva a partir del cual la unión pn conduce. 35. Se llama tensión umbral en una unión pn a) al valor de tensión, tanto negativo como positivo a partir del cual la unión supera el umbral de conduc- ción. b) al valor de tensión, tanto negativo como positivo a partir del cual la unión pn conduce. 45  El diodo de unión c) al valor de tensión negativa a partir del cual la unión pn conduce. d) al valor de tensión positiva a partir del cual la unión pn conduce. 36. Los efectos zéner y de avalancha, a) son lo mismo. b) son diferentes, el efecto zéner está relacionado con la aparición repentina de una gran cantidad de mi- noritarios en el material y el efecto de avalancha se basa en el efecto túnel de tipo cuántico. c) producen ambos la aparición de intensidad de co- rriente significativa en una unión pn inversamente polarizada. d) son diferentes, el efecto zéner está relacionado con la unión pn polarizada inversamente, mientras que el efecto de avalancha está relacionado con la unión pn polarizada directamente. 37. Un diodo de unión pn, es un dispositivo electrónico a) en el que no se diferencian el ánodo y el cátodo. b) en el que el ánodo corresponde a la zona n y el cátodo a la zona p. c) en el que el ánodo corresponde a la zona p y el cátodo a la zona n. d) en el que el ánodo y el cátodo depende de cómo esté conectado el dispositivo en el circuito. 46  El diodo de unión 38. El modelo más sencillo para un diodo de unión pn lo asemeja a a) un interruptor: cortocircuito en polarización inversa y circuito abierto en polarización directa. b) una resistencia en polarización directa por su alta conductividad y un condensador por las zonas de carga espacial en polarización inversa. c) una resistencia en polarización inversa por su baja conductividad y un condensador por las zonas de carga espacial en polarización directa. d) un interruptor: cortocircuito en polarización directa y circuito abierto en polarización inversa. 39. Señale la respuesta correcta: a) El polo positivo se llama cátodo y atrae a los catio- nes. b) El polo positivo se llama ánodo y atrae a los cationes. c) El polo positivo se llama ánodo y atrae a los aniones. d) El polo positivo se llama cátodo y atrae a los aniones. 40. ¿Cuál de las siguientes curvas características corresponde a un diodo? a) b) c) d) 47  El diodo de unión 41. ¿Cuál de las siguientes curvas características corresponde a un resistencia? a) b) c) d) 42. ¿Cuál de las siguientes curvas características corresponde a un diodo? a) b) c) d) 43. Este es el símbolo de un: a) diodo de unión. b) diodo zéner. c) diodo emisor de luz. 48  El diodo de unión d) fotodiodo. 44. Este es el símbolo de un: a) diodo de unión. b) diodo zéner. c) diodo emisor de luz. d) fotodiodo. 45. Este es el símbolo de un: a) diodo de unión. b) diodo zéner. c) diodo emisor de luz. d) fotodiodo. 46. Este es el símbolo de un: 49  El diodo de unión a) diodo de unión. b) diodo zéner. c) diodo emisor de luz. d) fotodiodo. 47. En un diodo de unión pn, se dice que está polarizado directamente cuando a) su tensión es negativa, ya que la tensión del ánodo es mayor que la del cátodo. b) su tensión es negativa, ya que la tensión del ánodo es menor que la del cátodo. c) su tensión es positiva, ya que la tensión del ánodo es mayor que la del cátodo. d) su tensión es positiva, ya que la tensión del ánodo es menor que la del cátodo. 48. Se llama curva característica de un dispositivo a) a la representación de la variación de la tensión en el dispositivo con la temperatura. b) a la representación de la variación de la intensidad de corriente en el dispositivo con la temperatura. c) a la representación de la de la tensión en el disposi- tivo en función de la intensidad de corriente que lo atraviesa. d) a la representación de la intensidad de corriente que atraviesa el dispositivo en función de la tensión en el dispositivo. 50  El diodo de unión 49. Señale la respuesta correcta: a) Las resistencias, condensadores y diodos son dispo- sitivos lineales, los transistores son no lineales. b) Las resistencias son dispositivos lineales, los tran- sistores, condensadores y diodos son no lineales. c) Las resistencias y condensadores son dispositivos lineales, los transistores y diodos son no lineales. d) Resistencias y condensadores son dispositivos linea- les, las bobinas, transistores y diodos son no lineales. 50. Si en una hoja de características de un diodo encuentra el valor de tensión inversa de ruptura, a) representa la tensión máxima soportada por el diodo entes de entrar en la zona de ruptura. Es una tensión positiva en el diodo. b) representa la tensión máxima soportada por el diodo entes de entrar en la zona de ruptura. Es una tensión negativa en el diodo. c) Representa la caída de tensión en el diodo cuando funciona conduciendo en directa. d) Representa la caída de tensión en el diodo cuando funciona sin conducir en inversa. 51. Si en una hoja de características de un diodo encuentra el valor de tensión directa, a) representa la caída de tensión en el diodo cuando conduce la corriente directa máxima. 51  El diodo de unión b) representa la caída de tensión en el diodo cuando conduce la corriente directa nominal. c) representa la tensión máxima soportada por el diodo entes de entrar en la zona de ruptura. d) representa la caída de tensión en el diodo cuando funciona sin conducir en inversa. 52. Si en una hoja de características de un diodo encuentra el valor de intensidad de corriente directa máxima, a) representa la intensidad de corriente media soporta- da en el diodo con polarización directa. No se puede sobrepasar bajo ningún concepto ya que destruiría el diodo en cuestión. b) representa la intensidad de corriente máxima so- portada en el diodo con polarización directa. No se puede sobrepasar bajo ningún concepto ya que des- truiría el diodo en cuestión. c) representa la intensidad de corriente máxima sopor- tada en el diodo con polarización directa. Se puede sobrepasar siguiendo las indicaciones del fabricante en la hoja de características. d) representa la intensidad de corriente media sopor- tada en el diodo con polarización directa. Se puede sobrepasar siguiendo las indicaciones del fabricante en la hoja de características. 52  El diodo de unión 53. Suponga que mide la resistencia inversa de un diodo con un multímetro. Indique cual de los siguientes órdenes de magnitud debe marcar el aparato. a) décimas de ohmio. b) unidades de ohmios. c) millonésimas de ohmios. d) millones de ohmios. 54. Señale la respuesta correcta: a) Un diodo emisor de luz está diseñado para emitir luz bajo polarización directa y un fotodiodo también. b) Un diodo emisor de luz está diseñado para emitir luz bajo polarización inversa y un fotodiodo también. c) Un diodo emisor de luz está diseñado para emitir luz bajo polarización inversa mientras que un fotodiodo está diseñado para trabajar en polarización directa. d) Un diodo emisor de luz está diseñado para emitir luz bajo polarización directa mientras que un fotodiodo está diseñado para trabajar en polarización inversa. 55. ¿En cuál de las siguientes aplicaciones es más interesante el empleo de un optoacoplador? a) Baja tensión. b) Alta tensión. c) Telefonía móvil. d) Conducción en polarización inversa. 53  Circuitos con diodos 56. ¿Cuál de los siguientes términos corresponde a un tipo de diodo? a) BJT. b) JFET. c) PIN. d) XOR. 1.3 Circuitos con diodos 1. ¿En cuál de las siguientes aplicaciones emplearía el diodo zéner? a) Rectificador de media onda. b) Doblador de tensión. c) Regulador de tensión. d) Rectificador de onda completa. 2. ¿En cuál de las siguientes aplicaciones emplearía el diodo zéner? a) Rectificador de media onda. b) Doblador de tensión. c) Recortador. d) Rectificador de onda completa. 54  Circuitos con diodos 3. ¿Cuántos diodos se emplean en un rectificador de onda completa con puente de diodos? a) 2. b) 3. c) 4. d) 5. 4. Si se dispone de un transformador con toma intermedia, ¿cuántos diodos se emplean, como mínimo, en un rectifi- cador de onda completa? a) 1. b) 2. c) 3. d) 4. 5. El siguiente esquema corresponde a un a) Rectificador. b) Doblador de tensión. c) Recortador. d) Limitador. 55  Circuitos con diodos 6. El siguiente esquema corresponde a un a) Rectificador. b) Doblador de tensión. c) Recortador. d) Limitador. 7. El siguiente esquema corresponde a un a) Rectificador. b) Doblador de tensión. c) Recortador. d) Limitador. 56  Circuitos con diodos 8. El siguiente esquema corresponde a un a) Rectificador. b) Doblador de tensión. c) Recortador. d) Limitador. 9. Ante una entrada sinusoidal Vp en el siguiente circuito, se consideran las salidas señaladas v01 y v02. a) v01 y v02 son señales sinusoidales de valor máximo 2Vp y 3Vp respectivamente. b) v01 y v02 son señales continuas de valor 2Vp y 3Vp respectivamente. c) v01 y v02 son señales sinusoidales de valor máximo 3Vp y 4Vp respectivamente. d) v01 y v02 son señales continuas de valor 3Vp y 4Vp respectivamente. 57  Circuitos con diodos 10. En un circuito rectificador, suponga que solo se varía el condensador de filtrado, a) si aumenta la capacidad, la señal de salida tiene mayor rizado. b) si aumenta la capacidad, la señal de salida tiene igual rizado. c) el rizado no depende de la capacidad del condensa- dor. d) si aumenta la capacidad, la señal de salida tiene menor rizado. 11. ¿Cuál de los siguientes esquemas corresponde a un cir- cuito limitador? a) b) c) d) 58  Circuitos con diodos 12. ¿Cuál de los siguientes esquemas corresponde a un cir- cuito regulador? a) b) c) d) 13. Para obtener una señal lo más continua posible (eliminar el rizado) después de la salida de un circuito rectificador, a) lo mejor es emplear un condensador de filtrado muy grande. b) lo mejor es pasar la señal de salida por un regulador de tensión adecuado. c) lo mejor es emplear un condensador de filtrado muy pequeño. d) lo mejor es pasar la señal de salida por un doblador de tensión adecuado. 59  Circuitos con diodos 14. Si la frecuencia de la red eléctrica es de 60 Hz, la frecuen- cia de salida de un rectificador de media onda es a) 30 Hz. b) 60 Hz. c) 120 Hz. d) 240 Hz. 15. Si la frecuencia de la red eléctrica es de 60 Hz, la frecuen- cia de salida de un rectificador de doble onda es a) 30 Hz. b) 60 Hz. c) 120 Hz. d) 240 Hz. 16. Con la misma tensión de secundario y filtro, ¿cuál de los siguientes circuitos tiene mayor rizado? a) Rectificador de media onda. b) Rectificador de onda completa. c) Rectificador en puente. d) No se puede determinar. 17. Si en un rectificador en puente con filtro con condensador, a la entrada aumenta la tensión de secundario, la tensión en la carga a) aumentará. b) no variará. 60  Circuitos con diodos c) disminuirá. d) no se puede determinar su variación. 18. Un circuito que elimina las partes positivas o negativas de una onda se denomina a) limitador. b) recortador. c) rectificador. d) regulador. 19. Un circuito que añade una tensión continua positiva o negativa a una onda de entrada se denomina a) limitador. b) recortador. c) rectificador. d) regulador. 20. En un circuito limitador, la constante de tiempo RC, com- parada con el periodo de la señal de entrada, debe ser a) mayor. b) menor. c) similar. d) depende de cada caso. 21. En un circuito limitador, la constante de tiempo RC, com- parada con el periodo de la señal de entrada, debe elegirse a) un orden de magnitud mayor. 61  Circuitos con diodos b) un orden de magnitud menor. c) tres órdenes de magnitud menor. d) tres órdenes de magnitud mayor. 22. En un circuito regulador, la variación de la tensión en la carga, según varía la tensión de la fuente, se denomina a) regulación de entrada o de la fuente. b) regulación de salida o de la carga. c) regulación a plena carga. d) índice de regulación. 23. En un circuito regulador, ¿cuál de los siguientes valores le parece más adecuado para la regulación de entrada o de la fuente? a) 0. b) 100. c) 80. d) 20. 24. ¿Cuál de las siguientes puertas lógicas no se puede cons- truir empleando únicamente diodos normales? a) Inversor. b) AND. c) OR. 62  El transistor bipolar de unión 1.4 El transistor bipolar de unión 1. En un transistor bipolar de unión la zona de semiconductor menos dopada corresponde a a) la base. b) el emisor. c) el colector. d) las tres zonas tienen un dopado similar. 2. El transistor bipolar de unión fue desarrollado por a) Zener en los años 70. b) Shockley en los años 70. c) Zener en los años 40. d) Shockley en los años 40. 3. En un transistor bipolar de unión la zona de semiconductor más estrecha corresponde a a) la base. b) el emisor. c) el colector. d) las tres zonas tienen una longitud similar. 4. Señale la opción correcta a) En un transistor bipolar de unión la conducción se debe únicamente a un tipo de portadores: electrones libres o huecos, mientras que en un transistor de efecto de campo se debe a ambos tipos de portadores. 63  El transistor bipolar de unión b) La conducción en un transistor bipolar y en un tran- sistor de efecto de campo se debe únicamente a un tipo de portadores: electrones libres o huecos. c) La conducción en un transistor bipolar y en un tran- sistor de efecto de campo se debe tanto a electrones libres como a huecos huecos. d) En un transistor de efecto de campo la conducción se debe únicamente a un tipo de portadores: electrones libres o huecos, mientras que en un transistor bipolar de unión se debe a ambos tipos de portadores. 5. Considerando las ventajas de un transistor frente a una vál- vula de vacío, indique cuál de las siguientes afirmaciones es falsa: a) es más pequeño y ligero. b) es más eficaz porque absorbe mayor potencia. c) trabaja con tensiones menores. d) no requiere periodo de calentamiento. 6. El siguiente símbolo corresponde a un transistor a) BJT npn. b) BJT pnp. c) MOSFET de canal n. d) MOSFET de canal p. 64  El transistor bipolar de unión 7. Un transistor BJT npn se encuentra polarizado en la región activa directa cuando a) la unión base-emisor está directamente polarizada y la unión base-colector está directamente polarizada. b) la unión base-emisor está inversamente polarizada y la unión base-colector está directamente polarizada. c) la unión base-emisor está directamente polarizada y la unión base-colector está inversamente polarizada. d) la unión base-emisor está inversamente polarizada y la unión base-colector está inversamente polarizada. 8. En un transistor de silicio BJT npn polarizado en la región activa directa a) VBE es aproximadamente −0.7. b) VBE es aproximadamente 0.7. c) VCE es aproximadamente −0.7. d) VCE es aproximadamente 0.7. 9. ¿Cuál de las siguientes curvas corresponde a la caracte- rística de entrada de un transistor bipolar de unión? a) b) c) d) 65  El transistor bipolar de unión 10. ¿Cuál de las siguientes curvas corresponde a la caracte- rística de salida de un transistor? a) b) c) d) 11. En un transistor de silicio BJT pnp polarizado en la región activa directa a) VBE es aproximadamente −0.7. b) VBE es aproximadamente 0.7. c) VCE es aproximadamente −0.7. d) VCE es aproximadamente 0.7. 12. La ganancia de corriente de un transistor BJT, β, se define como a) el cociente entre la intensidad de corriente de base y la de colector. b) el cociente entre la intensidad de corriente de colec- tor y la de base. c) el cociente entre la intensidad de corriente de base y la de emisor. d) el cociente entre la intensidad de corriente de emisor y la de colector. 66  El transistor bipolar de unión 13. Indique cuál de los siguientes valores no corresponde a la ganancia de corriente de un transistor BJT, β. a) 200. b) 50. c) 100. d) 2. 14. Indique cuál de los siguientes órdenes de magnitud le parece más adecuado para la ganancia de corriente de un transistor BJT, β. a) 1. b) 10. c) 100. d) 1000. 15. El modelo de un transistor BJT polarizado en la región activa directa corresponde con a) una fuente de tensión controlada por tensión. b) una fuente de corriente controlada por tensión. c) una fuente de tensión controlada por corriente. d) una fuente de corriente controlada por corriente. 16. En un transistor BJT polarizado en la región activa directa, ¿cuál es la corriente de menor valor absoluto? a) la corriente de emisor. b) la corriente de colector. 67  El transistor bipolar de unión c) la corriente de base. d) depende del circuito en concreto. 17. En un transistor de silicio BJT npn polarizado en la región activa directa a) VCE es aproximadamente 3. b) VCE es aproximadamente −3. c) VCE es positiva con un valor que depende del circui- to. d) VCE es negativa con un valor que depende del cir- cuito. 18. En un transistor de silicio BJT pnp polarizado en la región activa directa a) VCE es aproximadamente 3. b) VCE es aproximadamente −3. c) VCE es positiva con un valor que depende del circui- to. d) VCE es negativa con un valor que depende del cir- cuito. 19. Un transistor de silicio BJT npn con las uniones base- emisor y base-colector inversamente polarizadas se en- cuentra en la región a) activa directa. b) activa inversa. c) de corte. 68  El transistor bipolar de unión d) de saturación. 20. Un transistor de silicio BJT npn con las uniones base- emisor y base-colector directamente polarizadas se en- cuentra en la región a) activa directa. b) activa inversa. c) de corte. d) de saturación. 21. Considere un transistor de silicio BJT npn polarizado en la región activa directa en la configuración de emisor común más sencilla. La tensión de polarización de base a) debe polarizar inversamente la unión base-emisor, determinando el valor de la corriente de base que controlará el valor de la corriente de colector. b) debe polarizar directamente la unión base-emisor, determinando el valor de la corriente de base que controlará el valor de la corriente de colector. c) debe polarizar inversamente la unión base-emisor, determinando el valor de la corriente de colector que controlará el valor de la corriente de base. d) debe polarizar directamente la unión base-emisor, determinando el valor de la corriente de colector que controlará el valor de la corriente de base. 22. Considere un transistor de silicio BJT npn polarizado en la región activa directa en la configuración de emisor común más sencilla. La tensión de polarización de colector 69  El transistor bipolar de unión a) debe polarizar inversamente la unión colector-base, lo que por lo general se cumple en un circuito de baja potencia con un valor superior a 1. b) debe polarizar directamente la unión colector-base, lo que por lo general se cumple en un circuito de baja potencia con un valor inferior a 1. c) debe polarizar inversamente la unión colector-base, lo que por lo general se cumple en un circuito de baja potencia con un valor inferior a 1. d) debe polarizar directamente la unión colector-base, lo que por lo general se cumple en un circuito de baja potencia con un valor superior a 1. 23. Considere un transistor de silicio BJT npn donde VBE ≈ 0.7 y VCE = 0.3. Dicho transistor se encuentra en la región a) activa directa. b) activa inversa. c) de corte. d) de saturación. 24. Considere un transistor de silicio BJT npn donde VBE ≈ 0.7 y VCE = 6. Dicho transistor se encuentra en la región a) activa directa. b) activa inversa. c) de corte. d) de saturación. 70  El transistor bipolar de unión 25. Considere un transistor BJT npn en emisor común, ¿qué magnitudes relaciona la característica de entrada? a) intensidad de corriente de emisor en función de ten- sión base colector. b) intensidad de corriente de base en función de tensión colector emisor. c) intensidad de corriente de colector en función de tensión colector emisor. d) intensidad de corriente de base en función de tensión base emisor. 26. Considere un transistor BJT npn en emisor común, ¿qué magnitudes relaciona la característica de salida? a) intensidad de corriente de emisor en función de ten- sión base colector. b) intensidad de corriente de base en función de tensión colector emisor. c) intensidad de corriente de colector en función de tensión colector emisor. d) intensidad de corriente de base en función de tensión base emisor. 27. Considere un transistor BJT npn en emisor común en la región activa directa, si se disminuye la tensión VCE y la intensidad IB hacia valores muy bajos, el transistor evoluciona hacia la región a) continúa en la región activa directa. b) activa inversa. 71  El transistor bipolar de unión c) de corte. d) de saturación. 28. Considere un transistor BJT npn en emisor común en la región activa directa, si se disminuye la tensión VCE hacia valores muy bajos, manteniendo el valor de la intensidad IB , el transistor evoluciona hacia la región a) continúa en la región activa directa. b) activa inversa. c) de corte. d) de saturación. 29. Considere un transistor BJT npn en emisor común, ¿cómo lo llevaría de la región de saturación a la región activa directa? a) Aumentando la intensidad de corriente de base. b) Disminuyendo la intensidad de corriente de base. c) Aumentando la tensión VCE. d) Disminuyendo la tensión VCE. 30. Considere un transistor BJT npn en emisor común con VCE = 3 , ¿cómo lo llevaría de la región de corte a la región activa directa? a) Aumentando la intensidad de corriente de base. b) Disminuyendo la intensidad de corriente de base. c) Con ese valor de tensión VCE el transistor no puede encontrarse en la región de corte. 72  El transistor bipolar de unión d) Disminuyendo la tensión VCE. 31. Considere un transistor BJT npn en emisor común con VCE = 3 , ¿cómo lo llevaría de la región de saturación a la región activa directa? a) Aumentando la intensidad de corriente de base. b) Disminuyendo la intensidad de corriente de base. c) Con ese valor de tensión VCE el transistor no puede encontrarse en la región de saturación. d) Disminuyendo la tensión VCE. 32. Considere un transistor BJT descrito por su modelo ideal, ¿cuál de las regiones de funcionamiento desaparece? a) Activa directa. b) Ninguna. c) De corte. d) De saturación. 33. ¿Cuál de los siguientes modelos representa un transistor de silicio BJT npn en la región activa directa? 73  El transistor bipolar de unión a) b) c) d) Ninguno de los anteriores. 34. ¿Cuál de los siguientes modelos representa un transistor de silicio BJT npn en la región activa directa? a) b) c) d) Ninguno de los anteriores. 35. Considere un dispositivo en un circuito, la intersección entre recta de carga y curva característica se conoce como a) región de funcionamiento. b) punto de operación. c) punto de saturación. d) punto de corte. 36. ¿En cuál de los siguientes circuitos emplearía un transis- tor? a) Rectificador. b) Recortador. 74  El transistor bipolar de unión c) Doblador de tensión. d) Amplificador. 37. Para que un transistor BJT funcione como amplificador, debe operar en la región a) activa directa. b) depende si es npn o pnp. c) de corte. d) de saturación. 38. ¿Por qué en un transistor BJT npn en la región activa directa la mayoría de los electrones libres del emisor pasan al colector? a) Porque la base está poco dopada y es muy ancha. b) Porque la base está muy dopada y es muy estrecha. c) Porque la base está muy dopada y es muy ancha. d) Porque la base está poco dopada y es muy estrecha. 39. ¿Cuál de los siguientes modelos corresponde a un circuito básico de conmutación basada en transistor BJT? a) b) c) d) 75  El transistor bipolar de unión 40. Un transistor BJT funciona como interruptor cuando tra- baja entre las regiones a) activa directa y de saturación. b) depende si es npn o pnp. c) de corte y activa directa. d) de saturación y de corte. 41. Un transistor BJT que vaya a emplearse como interruptor es conveniente que tenga a) una tensión VCE en saturación lo más baja posible y un valor de β lo más alto posible. b) una tensión VCE en saturación lo más baja posible y un valor de β lo más bajo posible. c) una tensión VCE en saturación lo más alta posible y un valor de β lo más alto posible. d) una tensión VCE en saturación lo más alta posible y un valor de β lo más bajo posible. 42. Un transistor BJT funcionando en conmutación es conve- niente que tenga a) una tensión VCE máxima alta y VCE en saturación lo más baja posible. b) una tensión VCE máxima baja y VCE en saturación lo más baja posible. c) una tensión VCE máxima alta y VCE en saturación lo más alta posible. d) una tensión VCE máxima baja y VCE en saturación lo más alta posible. 76  El transistor bipolar de unión 43. Indique de las siguientes ventajas en el empleo de un transistor como interruptor frente a un relé cuál es falsa. a) Son más rápidos. b) Consumen menos energía. c) Son mejores para los montajes en serie. d) No tienen desgaste mecánico. 44. Indique de los siguientes inconvenientes en el empleo de un transistor como interruptor frente a un relé cuál es falso. a) Son más sensibles al ruido. b) Son más sensibles a los cambios de temperatura. c) Tienen mayor consumo de corriente. d) Soportan tensiones menores en OFF. 45. En una etapa amplificadora se emplean condensadores a) para introducir un desfase entre las señales de co- rriente alterna y continua. b) para almacenar energía. c) para separar las señales de corriente alterna y conti- nua. d) para proteger el circuito frente al ruido. 46. Los condensadores de acoplo y desacoplo de una etapa amplificadora deben tener una capacidad a) lo suficientemente grande para presentar baja impe- dancia ante la señal de alterna a amplificar. 77  Transistores de efecto de campo b) lo suficientemente pequeña para presentar baja im- pedancia ante la señal de alterna a amplificar. c) lo suficientemente grande para presentar alta impe- dancia ante la señal de alterna a amplificar. d) lo suficientemente pequeña para presentar alta im- pedancia ante la señal de alterna a amplificar. 1.5 Transistores de efecto de campo 1. ¿Cuál de los siguientes dispositivos no es un transistor de efecto de campo? a) MOSFET de deplexión. b) FET de unión. c) MOSFET de divergencia. d) MOSFET de acumulación. 2. ¿Cuántos terminales de conexión tiene un transistor MOS- FET de acumulación? a) 2. b) 3. c) 4. d) 5. 3. ¿Cuántos terminales de conexión tiene un transistor JFET? a) 2. b) 3. 78  Transistores de efecto de campo c) 4. d) 5. 4. ¿Cuáles son los terminales de conexión de un transistor MOSFET de acumulación que habitualmente se cortocir- cuitan? a) Sustrato y drenador. b) Sustrato y puerta. c) Sustrato y fuente. d) Puerta y drenador. 5. Señale la opción que contiene algún terminal de conexión que no pertenece a un transistor MOSFET de acumula- ción. a) Sustrato y drenador. b) Drenador y emisor. c) Drenador y fuente. d) Drenador y puerta. 6. ¿Cuál de las corrientes en un transistor MOSFET de acu- mulación es prácticamente nula? a) Corriente de drenador. b) Corriente de fuente. c) Corriente de puerta. d) Corriente de base. 79  Transistores de efecto de campo 7. En un transistor MOSFET de acumulación de canal n a) la corriente de drenador es prácticamente nula. b) la corriente de puerta es prácticamente nula. c) la corriente de fuente es prácticamente nula. d) Ninguna de las tres opciones anteriores es cierta. 8. En un transistor MOSFET de acumulación de canal n a) cuando VGS es lo suficientemente negativa aparece una corriente de electrones de la fuente al drenador. b) cuando VGS es lo suficientemente negativa aparece una corriente de electrones del drenador a la fuente. c) cuandoVGS es lo suficientemente positiva aparece una corriente de electrones de la fuente al drenador. d) cuando VGS es lo suficientemente positiva aparece una corriente de electrones del drenador a la fuente. 9. Un transistor MOSFET de acumulación de canal n en la región óhmica a) disminuye su resistencia según aumenta VGS. b) aumenta su resistencia según aumenta VGS. c) tiene una resistencia constante. d) tiene una resistencia constante y nula. 10. ¿Cuál de las corrientes en un transistor MOSFET de acu- mulación es prácticamente nula? a) Corriente de drenador. b) Corriente de fuente. 80  Transistores de efecto de campo c) Corriente de puerta. d) Depende de la configuración del circuito. 11. En un transistor MOSFET de acumulación se llama ten- sión umbral al valor de tensión a) entre puerta y fuente que hace que comience a cir- cular corriente por el drenador. b) entre puerta y drenador que hace que comience a circular corriente por el drenador. c) entre puerta y fuente que hace que comience a cir- cular corriente por la puerta. d) entre drenador y fuente que hace que comience a circular corriente por el drenador. 12. En un transistor MOSFET de acumulación de canal n la conducción se debe a) al movimiento de huecos a través de un canal de conducción entre la fuente y el drenador. b) al movimiento de electrones libres a través de un canal de conducción entre la fuente y el drenador. c) al movimiento de electrones libres a través de un canal de conducción entre la fuente y la puerta. d) al movimiento de huecos a través de un canal de conducción entre la fuente y la puerta. 13. En un transistor MOSFET de acumulación de canal p la conducción se debe a) al movimiento de huecos a través de un canal de conducción entre la fuente y el drenador. 81  Transistores de efecto de campo b) al movimiento de electrones libres a través de un canal de conducción entre la fuente y el drenador. c) al movimiento de electrones libres a través de un canal de conducción entre la fuente y la puerta. d) al movimiento de huecos a través de un canal de conducción entre la fuente y la puerta. 14. Para que en un transistor MOSFET de acumulación de canal n se establezca una corriente eléctrica las tensiones deben ser a) VGS > 0 y VDS < 0. b) VGS < 0 y VDS < 0. c) VGS < 0 y VDS > 0. d) VGS > 0 y VDS > 0. 15. Para que en un transistor MOSFET de acumulación de canal p se establezca una corriente eléctrica las tensiones deben ser a) VGS > 0 y VDS < 0. b) VGS < 0 y VDS < 0. c) VGS < 0 y VDS > 0. d) VGS > 0 y VDS > 0. 16. Indique cuál de las siguientes no es una región de funcio- namiento en un transistor de efecto de campo. a) Región de corte. b) Región de saturación. 82  Transistores de efecto de campo c) Región óhmica. d) Región activa directa. 17. ¿En qué regiones de funcionamiento operan como fuentes de corriente los transistores bipolares y los de efecto de campo? a) Región activa directa y óhmica. b) Región de corte y de saturación. c) Región de saturación y óhmica. d) Región activa directa y de saturación. 18. En un transistor de efecto de campo en la región de corte, ¿qué intensidades de corriente son nulas? a) Todas. b) Sólo IG. c) Sólo IS e IG. d) Sólo ID e IG. 19. En la región óhmica, un transistor de efecto de campo se comporta como a) una fuente de corriente controlada por corriente. b) una fuente de corriente controlada por tensión. c) una resistencia controlada por corriente. d) una resistencia controlada por tensión. 83  Transistores de efecto de campo 20. En la región de saturación, un transistor de efecto de cam- po se comporta como a) una fuente de corriente controlada por corriente. b) una fuente de corriente controlada por tensión. c) una resistencia controlada por corriente. d) una resistencia controlada por tensión. 21. ¿En qué región de funcionamiento un transistor de efec- to de campo se comporta como una fuente de corriente controlada por tensión? a) En ninguna. b) En la región óhmica. c) En la región de saturación. d) En la región de corte. 22. ¿En qué región de funcionamiento un transistor de efec- to de campo se comporta como una fuente de corriente controlada por corriente? a) En ninguna. b) En la región óhmica. c) En la región de saturación. d) En la región de corte. 23. ¿En qué región de funcionamiento un transistor de efecto de campo se comporta como una resistencia controlada por corriente? a) En ninguna. 84  Transistores de efecto de campo b) En la región óhmica. c) En la región de saturación. d) En la región de corte. 24. ¿En qué región de funcionamiento un transistor de efecto de campo se comporta como una resistencia controlada por tensión? a) En ninguna. b) En la región óhmica. c) En la región de saturación. d) En la región de corte. 25. ¿Qué magnitudes relaciona la curva característica de un transistor de efecto de campo? a) Intensidad de corriente por el drenador y tensión puerta-fuente. b) Intensidad de corriente por la puerta y tensión puerta-fuente. c) Intensidad de corriente por el drenador y tensión drenador-fuente. d) Intensidad de corriente por la puerta y tensión dre- nador-fuente. 26. En un transistor MOSFET de acumulación de canal n a) la intensidad de corriente de drenador aumenta con- siderablemente según aumenta VDS en la región de saturación. 85  Transistores de efecto de campo b) la intensidad de corriente de drenador aumenta con- siderablemente según aumenta VDS en la región óh- mica. c) la intensidad de corriente de drenador aumenta con- siderablemente según aumenta VGS en la región de saturación. d) la intensidad de corriente de drenador aumenta con- siderablemente según aumenta VGS en la región óh- mica. 27. Determine la región de funcionamiento de un transistor MOSFET de acumulación de canal n con tensión umbral VGS(th) = 2 , si VGS = 3 y VDS = 0.5. a) Saturación. b) Óhmica. c) Corte. d) Activa inversa. 28. Un transistor MOSFET funciona como interruptor cuando trabaja entre las regiones a) óhmica y de saturación. b) óhmica y de corte. c) de corte y activa directa. d) de saturación y de corte. 29. Señale la afirmación correcta respecto al empleo de tran- sistores como interruptores. 86  Transistores de efecto de campo a) En general, los transistores bipolares son más rápi- dos y soportan mayor potencia que los de efecto de campo. b) En general, los transistores bipolares son más len- tos y soportan mayor potencia que los de efecto de campo. c) En general, los transistores bipolares son más rápi- dos y soportan menor potencia que los de efecto de campo. d) En general, los transistores bipolares son más len- tos y soportan menor potencia que los de efecto de campo. 30. Señale la afirmación correcta a) En general, los transistores bipolares son más rápi- dos empleados como interruptores y se comportan mejor como fuentes de corriente que los de efecto de campo. b) En general, los transistores bipolares son más lentos empleados como interruptores y se comportan me- jor como fuentes de corriente que los de efecto de campo. c) En general, los transistores bipolares son más rápi- dos empleados como interruptores y se comportan peor como fuentes de corriente que los de efecto de campo. d) En general, los transistores bipolares son más len- tos empleados como interruptores y se comportan peor como fuentes de corriente que los de efecto de campo. 87  Transistores de efecto de campo 31. Las regiones de funcionamiento de un transistor se deno- minan a) Corte, saturación y activa directa para un MOSFET y corte, saturación y óhmica para un BJT. b) Corte, saturación y activa directa para un BJT y corte, saturación y activa directa para un MOSFET. c) Corte, saturación y activa directa para un BJT y corte, saturación y óhmica para un MOSFET. d) Corte, saturación y activa directa para un BJT y óh- mica, saturación y activa directa para un MOSFET. 32. El término tensión de estrangulamiento se refiere a un a) diodo. b) transistor de efecto de campo de unión. c) transistor bipolar. d) amplificador operacional. 33. La región de saturación de un transistor a) MOSFET corresponde a la zona donde éste se com- porta como una fuente de corriente y para un BJT a la zona donde se comporta como fuente de tensión. b) MOSFET y para un BJT, corresponde a la zona don- de se comportan como una fuente de corriente. c) BJT corresponde a la zona donde éste se comporta como una fuente de corriente y para un MOSFET a la zona donde se comporta como fuente de tensión. 88  Amplificación d) MOSFET corresponde a la zona donde éste se com- porta como una fuente de corriente y para un BJT a la zona anterior a la activa directa con valores de tensión entre colector y emisor de valor absoluto bajo. 1.6 Amplificación 1. La ganancia de tensión a) se mide en voltios. b) se mide en decibelios. c) no tiene unidades. d) se puede medir en diferentes unidades. 2. La ganancia de corriente a) se mide en amperios. b) se mide en decibelios. c) no tiene unidades. d) se puede medir en diferentes unidades. 3. La ganancia de transconductancia a) se mide en ohmios. b) se mide en decibelios. c) no tiene unidades. d) se mide en siemens. 89  Amplificación 4. La ganancia de transresistencia a) se mide en ohmios. b) se mide en decibelios. c) no tiene unidades. d) se mide en siemens. 5. En un amplificador de tensión, las propiedades de ampli- ficación se modelan a) con una fuente de tensión controlada por tensión. b) con una fuente de tensión controlada por corriente. c) con una fuente de corriente controlada por tensión. d) con una fuente de corriente controlada por corriente. 6. En un amplificador de corriente, las propiedades de am- plificación se modelan a) con una fuente de tensión controlada por tensión. b) con una fuente de tensión controlada por corriente. c) con una fuente de corriente controlada por tensión. d) con una fuente de corriente controlada por corriente. 7. En un amplificador de transconductancia, las propiedades de amplificación se modelan a) con una fuente de tensión controlada por tensión. b) con una fuente de tensión controlada por corriente. c) con una fuente de corriente controlada por tensión. d) con una fuente de corriente controlada por corriente. 90  Amplificación 8. En un amplificador de transresistencia, las propiedades de amplificación se modelan a) con una fuente de tensión controlada por tensión. b) con una fuente de tensión controlada por corriente. c) con una fuente de corriente controlada por tensión. d) con una fuente de corriente controlada por corriente. 9. La gan