Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I PDF 2021

 ePortal PWr  Moje kursy Kategorie kursów Zasoby edukacyjne Aktualności Polski (pl)   Gradzik Michał  Półprzewodniki  Uczestnicy...

 ePortal PWr  Moje kursy Kategorie kursów Zasoby edukacyjne Aktualności Polski (pl)   Gradzik Michał  Półprzewodniki  Uczestnicy ETD003077W - Przyrządy półprzewodnikowe I Kokpit / Moje kursy / Półprzewodniki / Sekcja ogólna / Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I  Odznaki  Kompetencje Rozpoczęto czwartek, 4 lutego 2021, 10:06 Nawigacja w teście  Oceny Stan ukończone 1 2 3 4 5 6 Ukończono czwartek, 4 lutego 2021, 10:36  Sekcja ogólna Wykorzystany 29 min. 57 sek. 7 8 9 10 11 12 czas  Wprowadzenie Ocena 19,77 pkt. na 30,00 pkt. możliwych do uzyskania (66%) 13 14 15 16 17 18  Podstawowe obwody i Pytanie 1 19 20 21 22 23 24 Zaznacz prawidłowe zależności obowiązujące dla przedstawionego obwodu: elementy elektryczne, Zakończone materiały elektroniki 25 26 27 28 29 30 Ocena: 1,00 z 1,00  Elementy elektroniczne Oflaguj nieliniowe Pokaż jedną stronę na raz pytanie Zakończ przegląd  Półprzewodniki, budowa, struktura pasmowa, domieszkowanie  Złącze p-n Wybierz wszystkie poprawne: A.  Tranzystor bipolarny  Tranzystory polowe B.  Złącze M-S oraz M-I-S   Technologia przyrządów C. półprzewodnikowych  Elementy przełączające D. E. Pytanie 2 Obwód RC: Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Oflaguj pytanie Wybierz wszystkie poprawne: A. ma stałą czasową B. stanowi obwód filtra środkowoprzepustowego C. stanowi obwód filtra górnoprzepustowego D. ma stałą czasową E. stanowi obwód filtra dolnoprzepustowego Pytanie 3 Obwód RC: Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Oflaguj pytanie Wybierz wszystkie poprawne: A. ma stałą czasową B. ma stałą czasową C. stanowi obwód filtra dolnoprzepustowego D. stanowi obwód filtra środkowoprzepustowego E. stanowi obwód filtra górnoprzepustowego Pytanie 4 Wzory opisujące indukcyjność zastępczą Lzas: Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Oflaguj pytanie Wybierz wszystkie poprawne: A. wzór A jest prawdziwy dla połączenia RÓWNOLEGŁEGO cewek L1 i L2 B. oba wzory są błędne C. wzór A jest prawdziwy dla połączenia SZEREGOWEGO cewek L1 i L2 D. wzór B jest prawdziwy dla połączenia RÓWNOLEGŁEGO cewek L1 i L2 E. wzór B jest prawdziwy dla połączenia SZEREGOWEGO cewek L1 i L2 Pytanie 5 Na rysunku przedstawiono: Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Oflaguj pytanie Wybierz wszystkie poprawne: a. charakterystykę N będącą ch-ką zastępczą połączenia równoległego elementów N1 i N2 b. charakterystykę elementu N2 posiadającego zakres ujemnej rezystancji dynamicznej c. charakterystykę elementu N1 posiadającego zakres ujemnej rezystancji dynamicznej d. charakterystykę elementu N posiadającego zakres ujemnej rezystancji dynamicznej e. charakterystykę N będącą ch-ką zastępczą połączenia szeregowego elementów N1 i N2 Pytanie 6 W półprzewodniku samoistnym koncentracja elektronów n i koncentracja dziur p: Zakończone Ocena: 0,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 A. n < p Oflaguj pytanie B. n = p C. n = 0 dla T = 0K D. n > 0 dla T < 0K E. n < 0 dla T < 0K Pytanie 7 Prąd dyfuzji: Zakończone Ocena: 1,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 A. polega na przepływie elektronów w polu elektrycznym od miejsca o niższym potencjale do miejsca o wyższym potencjale Oflaguj pytanie B. polega na przepływie nośników od miejsca o niższej koncentracji do miejsca o wyższej koncentracji C. zależy od gradientu koncentracji nośników prądu D. polega na przepływie nośników od miejsca o wyższej koncentracji do miejsca o niższej koncentracji E. polega na przepływie elektronów w polu elektrycznym od miejsca o niższym potencjale do miejsca o wyższym potencjale Pytanie 8 Zjawisko tunelowania elektronów przez obszar złącza obserwowany jest: Zakończone Ocena: 0,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 A. w diodach Zenera Oflaguj pytanie B. w diodach Esakiego C. w fotodiodach lawinowych D. w fotodiodach p-i-n E. w diodach prostowniczych Pytanie 9 Rekombinacja par elektron-dziura: Zakończone Ocena: 1,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 a. polega na przejściu elektronu z pasma walencyjnego do pasma przewodzenia Oflaguj pytanie b. polega na przejściu dziury z pasma przewodzenia do pasma walencyjnego c. polega na przejściu elektronu z pasma przewodzenia do pasma walencyjnego d. powoduje anihilację ładunku (pary elektron-dziura) e. może spowodować emisję energii w postaci fotonu Pytanie 10 W półprzewodnikach nośnikami prądu elektrycznego są: Zakończone Ocena: 1,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 A. elektrony Oflaguj pytanie B. dziury C. zjonizowane atomy D. naładowane elektrycznie drobiny materiału E. dipole elektryczn Pytanie 11 Ze wzrostem temperatury: Zakończone Ocena: 1,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 A. maleje prąd wsteczny diody ze złączem p-n Oflaguj pytanie B. maleje prąd przewodzenia diody ze złączem p-n C. dioda przestaje przewodzić prąd D. rośnie prąd przewodzenia diody ze złączem p-n E. rośnie prąd wsteczny diody ze złączem p-n Pytanie 12 W rzeczywistym złączu p-n: Zakończone Ocena: 0,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 a. rezystancja szeregowa powoduje wzrost spadku napięcia na zaciskach diody przy stałej wartości natężenia prądu płynącego przez diodę Oflaguj pytanie b. rezystancja szeregowa powoduje zmniejszenie spadku napięcia na zaciskach diody przy stałej wartości natężenia prądu płynącego przez diodę c. nośniki generowane w warstwie zaporowej powodują spadek natężenia prądu płynącego przez diodę d. nie występuje rekombinacja nośników w warstwie zaporowej e. nośniki generowane w warstwie zaporowej powodują wzrost nateżenia prądu płynącego przez diodę Pytanie 13 Napięcie dyfuzyjne złącza UD: Zakończone Ocena: 0,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 a. zależy od stopnia domieszkowania półprzewodnika Oflaguj pytanie b. rośnie ze wzrostem koncentracji samoistnej ni półprzewodnika c. maleje ze wzrostem przerwy energetycznej Eg półprzewodnika d. rośnie ze wzrostem przerwy energetycznej Eg półprzewodnika e. maleje ze wzrostem koncentracji samoistnej ni półprzewodnika Pytanie 14 W diodzie ze złączem p-n występuje: Zakończone Ocena: 1,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 a. pojemność złączowa Oflaguj pytanie b. pojemność unoszenia c. pojemność dyfuzyjna d. pojemność przebicia e. pojemność upływu Pytanie 15 Oświetlenie diody ze złączem p-n falą o energii EFOT: Zakończone Ocena: 1,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 A. powoduje powstanie siły elektromotorycznej w niespolaryzowanym zewnętrznie złączu jeśli EFOT < Eg (gdzie Eg to szer. przerwy wzbronionej) Oflaguj pytanie B. powoduje wzrost fotoprądu jeśli EFOT > Eg (gdzie Eg to szer. przerwy wzbronionej) C. powoduje wzrost fotoprądu jeśli EFOT < Eg (gdzie Eg to szer. przerwy wzbronionej) D. powoduje powstanie siły elektromotorycznej w niespolaryzowanym zewnętrznie złączu jeśli EFOT > Eg (gdzie Eg to szer. przerwy wzbronionej) E. może powodować wzrost temperatury diody Pytanie 16 Podać warunek polaryzacji tranzystora z rysunku do pracy aktywnej inwersyjnej: Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Oflaguj pytanie Wybierz wszystkie poprawne: a. b. c. d. e. Pytanie 17 W tranzystorze bipolarnym stanie nasycenia: Zakończone Ocena: 1,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 A. Złącze E-C polaryzowane jest zaporowo Oflaguj pytanie B. Złącze B-C polaryzowane jest w kier. przewodzenia C. Złącze B-C polaryzowane jest zaporowo D. Złącze E-B polaryzowane jest w kier. przewodzenia E. Złącze E-B polaryzowane jest zaporowo Pytanie 18 Podać warunek polaryzacji tranzystora z rysunku do pracy aktywnej normalnej: Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Oflaguj pytanie Wybierz wszystkie poprawne: A. B. C. D. E. Pytanie 19 Dla tranzystora bipolarnego pracującego w układzie WE parametr h22e: Zakończone Ocena: 0,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 A. Usuń flagę B. C. D. E. Pytanie 20 Na poniższym rysunku przedstawiono symbol: Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Oflaguj pytanie Wybierz wszystkie poprawne: A. tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym (DMOSFET) B. tranzystora z kanałem typu p C. tranzystora JFET D. tranzystora MOSFET z kanałem wzbogacanym (EMOSFET) E. tranzystora z kanałem typu n Pytanie 21 Podać warunki prawidłowej polaryzacji tranzystora z rysunku: Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Oflaguj pytanie Wybierz wszystkie poprawne: A. B. C. D. E. Pytanie 22 Na rysunku przedstawiono charakterystykę: Zakończone Ocena: 0,67 z 1,00 Oflaguj pytanie Wybierz wszystkie poprawne: A. tranzystora MOSFET z kanałem wzbogacanym B. tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym C. przejściową D. wyjściową E. tranzystora PNFET Pytanie 23 Transoptory: Zakończone Ocena: 0,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 A. to przyrządy służące do separacji galwanicznej obwodów elektrycznych Oflaguj pytanie B. to przyrządy służące do komunikacji na duże odległości C. są urządzeniami bilateralnymi (dwukierunkowymi) D. są urządzeniami unilateralnymi (jednokierunkowymi) E. składają się z emitera i detektora fali świetlnej Pytanie 24 Długość fali emitowanej przez LED: Zakończone Ocena: 1,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 A. rośnie ze wzrostem napięcia zasilania Oflaguj pytanie B. maleje ze wzrostem napięcia zasilania C. zależy od koncentracji nośników mniejszościowych D. zależy od szerokości przerwy energetycznej materiału obszaru aktywnego E. zależy od koncentracji nośników większościowych Pytanie 25 W układzie generatora relaksacyjnego: Zakończone Ocena: 1,00 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 A. stosuje się triaki Oflaguj pytanie B. częstotliwość generacji zależy od stałej czasowej obwodu LC C. stosuje się tranzystor jednozłączowy D. częstotliwość generacji zależy od stałej czasowej obwodu RC E. stosuje się tyrystor Pytanie 26 Triak: Zakończone Ocena: 0,50 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 A. posiada symetryczną charakterystykę I-U Oflaguj pytanie B. posiada NIEsymetryczną charakterystykę I-U C. załączany jest po przekroczeniu napięcia przebicia D. samodzielnie może być stosowany w obwodach sterowania fazowego o wypełnieniu 40% E. załączany jest impulsem bramki Pytanie 27 Poniżej przedstawiono tablicę prawdy bramki: Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Oflaguj pytanie Wybierz wszystkie poprawne: A. OR B. NOR C. XNOR D. XOR E. AND Pytanie 28 Dynamiczna moc strat układów cyfrowych zależy od: Zakończone Ocena: 0,60 z Wybierz wszystkie poprawne: 1,00 A. konstrukcji wewnętrznej Oflaguj pytanie B. rezystancji podłączonej do wyjścia układu cyfr. C. ilości bramek podłączonych do wyjścia układu cyfr. D. napięcia zasilania E. od częstotliwości przełączania Pytanie 29 Na rysunku przedstawiono schematycznie strukturę: Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Oflaguj pytanie Wybierz wszystkie poprawne: A. Tranzysora NPN i PNP w układzie Darlingtona B. Epiplanarnego monolitycznego tranzystora krawędziowego NPN C. Epiplanarnego monolitycznego tranzystora krawędziowego PNP D. Epiplanarnego monolitycznego tranzystora podłożowego NPN E. Epiplanarnego monolitycznego tranzystora podłożowego PNP trakcie wywoływania Pytanie 30 Na rysunku przedstawiono profil domieszki uzyskany w wyniku: Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Oflaguj pytanie Wybierz wszystkie poprawne: A. Dyfuzji z ograniczonego źródła B. Implantacji jonów C. Dyfuzji z nieograniczonego źródła D. Utleniania E. Rozpylania magnetronowego Zakończ przegląd ◄ Ustalenia organizacyjne w sem. zimowym 2020/2021 Przejdź do... Egzamin poprawkowy Przyrządy półprzewodnikowe I ► Klauzula informacyjna o przetwarzaniu danych osobowych. Dział Kształcenia Ustawicznego Jesteś zalogowany(a) jako Gradzik Michał (Wyloguj) i E-learningu PWr Półprzewodniki  http://del.pwr.edu.pl  [email protected]       Pobierz aplikację mobilną 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Kokpit / Moje kursy / Półprzewodniki / Sekcja ogólna / Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I Rozpoczęto czwartek, 4 lutego 2021, 10:09 Stan ukończone Ukończono czwartek, 4 lutego 2021, 10:39 Wykorzystany 29 min. 46 sek. czas Ocena 12,27 pkt. na 30,00 pkt. możliwych do uzyskania (41%) Pytanie 1 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Siła elektromotoryczna samoindukcji U generowana w cewce o indukcyjnościi L opisana jest wzorem: Wybierz wszystkie poprawne: a. b. c. d. e.  https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238634&cmid=280613 1/14 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 2 Zakończone Ocena: 0,67 z 1,00 Zaznacz prawidłowe zależności obowiązujące dla przedstawionego obwodu: Wybierz wszystkie poprawne: a. b. c. d. e.  https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238634&cmid=280613 2/14 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 3 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Na rysunku przedstawiono: Wybierz wszystkie poprawne: A. charakterystykę elementu N2 posiadającego zakres ujemnej rezystancji statycznej B. charakterystykę elementu N1 posiadającego zakres ujemnej rezystancji statycznej C. charakterystykę N będącą ch-ką zastępczą połączenia szeregowego elementów N1 i N2 D. charakterystykę elementu N posiadającego zakres ujemnej rezystancji dynamicznej E. charakterystykę N będącą ch-ką zastępczą połączenia równoległego elementów N1 i N2 Pytanie 4 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Konduktancja zastępcza połączenia równoległego rezystorów: Wybierz wszystkie poprawne: a. jest sumą konduktancji poszczególnych rezystorów b. jest sumą rezystywności poszczególnych rezystorów c. jest sumą rezystancji poszczególnych rezystorów d. jest sumą odwrotności konduktancji poszczególnych rezystorów e. jest sumą odwrotności rezystancji poszczególnych rezystorów  https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238634&cmid=280613 3/14 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 5 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Pojemność kondensatora płaskiego: Wybierz wszystkie poprawne: A. wynika z ilości ładunku zgromadzonego na jego okładkach przy zadanym napięciu B. zmniejsza się wraz ze zmniejszaniem odległości między okładkami C. zależy od wymiarów geometrycznych D. zależy od natężenia prądu płynącego w obwodzie E. zależy od przenikalności dielektrycznej ośrodka którym jest wypełniony Pytanie 6 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Koncentracja samoistna nośników ni: Wybierz wszystkie poprawne: A. maleje ze wzrostem szerokości przerwy energetycznej B. rośnie ze wzrostem temperatury C. określa ilość elektronów i dziur w półprzewodniku samoistnym w stanie równowagi termodynamicznej D. rośnie ze wzrostem szerokości przerwy energetycznej E. maleje ze wzrostem temperatury Pytanie 7 Zakończone Ocena: 0,67 z 1,00 Prąd: Wybierz wszystkie poprawne: A. unoszenia polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) na skutek występowania gradientu ich koncentracji B. dyfuzji polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) w polu elektrycznym C. dyfuzji polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) na skutek występowania gradientu ich koncentracji D. dyfuzji i unoszenia (wartość natężenia tych prądów) zależy od ruchliwości elektronów i dziur E. unoszenia polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) w polu elektrycznym  https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238634&cmid=280613 4/14 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 8 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Wzrost temperatury półprzewodnika: Wybierz wszystkie poprawne: A. powoduje spadek koncentracji samoistnej ni B. powoduje spadek szerokości przerwy energetycznej Eg C. powoduje wzrost szerokości przerwy energetycznej Eg D. zmniejsza napięcie Zenera przebicia tunelowego złącza E. powoduje wzrost koncentracji samoistnej ni Pytanie 9 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 W półprzewodnikach obserwujemy prąd: Wybierz wszystkie poprawne: A. jonowy B. konwekcyjny C. przesunięcia D. unoszenia E. dyfuzyjny Pytanie 10 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Zaznacz prawidłowe stwierdzenie: Wybierz wszystkie poprawne: A. w półprzewodniku typu n nośnikami większościowymi są dziury B. w półprzewodniku typu n nośnikami mniejszościowymi są dziury C. w półprzewodniku samoistnym nośnikami większościowymi są elektrony D. w półprzewodniku typu n nośnikami większościowymi są elektrony E. w półprzewodniku typu n nośnikami mniejszościowymi są elektrony  https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238634&cmid=280613 5/14 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 11 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Oświetlenie diody ze złączem p-n falą o energii EFOT: Wybierz wszystkie poprawne: A. powoduje wzrost fotoprądu jeśli EFOT < Eg (gdzie Eg to szer. przerwy wzbronionej) B. powoduje powstanie siły elektromotorycznej w niespolaryzowanym zewnętrznie złączu jeśli EFOT < Eg (gdzie Eg to szer. przerwy wzbronionej) C. powoduje wzrost fotoprądu jeśli EFOT > Eg (gdzie Eg to szer. przerwy wzbronionej) D. może powodować wzrost temperatury diody E. powoduje powstanie siły elektromotorycznej w niespolaryzowanym zewnętrznie złączu jeśli EFOT > Eg (gdzie Eg to szer. przerwy wzbronionej) Pytanie 12 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Typowo w układach stabilizatorów wykorzystuje się: Wybierz wszystkie poprawne: A. fotodiody B. diody prostownicze C. diody Zenera D. fotorezystory E. termistory Pytanie 13 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 W rzeczywistym złączu p-n: Wybierz wszystkie poprawne: a. nośniki generowane w warstwie zaporowej powodują spadek natężenia prądu płynącego przez diodę b. rezystancja szeregowa powoduje wzrost spadku napięcia na zaciskach diody przy stałej wartości natężenia prądu płynącego przez diodę c. rezystancja szeregowa powoduje zmniejszenie spadku napięcia na zaciskach diody przy stałej wartości natężenia prądu płynącego przez diodę d. nośniki generowane w warstwie zaporowej powodują wzrost nateżenia prądu płynącego przez diodę e. nie występuje rekombinacja nośników w warstwie zaporowej  https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238634&cmid=280613 6/14 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 14 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Napięcie dyfuzyjne złącza UD: Wybierz wszystkie poprawne: a. rośnie ze wzrostem koncentracji samoistnej ni półprzewodnika b. maleje ze wzrostem koncentracji samoistnej ni półprzewodnika c. maleje ze wzrostem przerwy energetycznej Eg półprzewodnika d. rośnie ze wzrostem przerwy energetycznej Eg półprzewodnika e. zależy od stopnia domieszkowania półprzewodnika Pytanie 15 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 W spolaryzowanym w kierunku przewodzenia idealnym złączu p-n: Wybierz wszystkie poprawne: A. wyższy potencjał przykładany jest do obszaru typu n B. wyższy potencjał przykładany jest do obszaru typu p C. zmniejsza się szerokość przerwy energetycznej D. płynie głównie prąd dyfuzji nośników większościowych E. płynie głównie prąd unoszenia nośników mniejszościowych  https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238634&cmid=280613 7/14 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 16 Zakończone Ocena: 0,67 z 1,00 Podać warunek polaryzacji tranzystora z rysunku do pracy aktywnej normalnej: Wybierz wszystkie poprawne: A. B. C. D. E. Pytanie 17 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 W modelu zastępczym małosygnałowym tranzystora bipolarnego w układzie WE: Wybierz wszystkie poprawne: A. parametr h21 oznacza wzmocnienie mocy B. parametr h21 oznacza rezystancję wyjściową C. parametr h21 oznacza rezystancję wejściową D. parametr h21 oznacza wzmocnienie napięciowe E. parametr h21 oznacza wzmocnienie prądowe  https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238634&cmid=280613 8/14 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 18 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Dla tranzystora bipolarnego pracującego w układzie WE parametr h22e: Wybierz wszystkie poprawne: A. B. C. D. E. Pytanie 19 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Podać warunek polaryzacji tranzystora z rysunku do pracy aktywnej normalnej: Wybierz wszystkie poprawne: A. B. C. D. E.  https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238634&cmid=280613 9/14 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 20 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Na rysunku przedstawiono charakterystykę: Wybierz wszystkie poprawne: A. wyjściową B. tranzystora PNFET C. przejściową D. tranzystora MOSFET z kanałem wzbogacanym E. tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym  https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238634&cmid=280613 10/14 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 21 Zakończone Ocena: 0,67 z 1,00 Na rysunku przedstawiono charakterystykę: Wybierz wszystkie poprawne: A. przejściową B. wyjściową C. tranzystora MOSFET z kanałem wzbogacanym D. tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym E. tranzystora PNFET Pytanie 22 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Na poniższym rysunku przedstawiono symbol: Wybierz wszystkie poprawne: A. tranzystora N-JFET B. tranzystora P-JFET C. tranzystora EMOSFET D. tranzystora DMOSFET z kanałem typu N  E. tranzystora bipolarnego https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238634&cmid=280613 11/14 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 23 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Długość fali emitowanej przez LED: Wybierz wszystkie poprawne: A. zależy od koncentracji nośników większościowych B. zależy od koncentracji nośników mniejszościowych C. rośnie ze wzrostem napięcia zasilania D. zależy od szerokości przerwy energetycznej materiału obszaru aktywnego E. maleje ze wzrostem napięcia zasilania Pytanie 24 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Dioda laserowa LD po przekroczeniu prądu progowego: Wybierz wszystkie poprawne: A. emituje światło niekoherentne B. posiada szersze widmo emisji niż LED C. posiada węższe widmo emisji niż LED D. emituje światło koherentne E. ulega samowyłączeniu Pytanie 25 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Jeżeli VB2 = 20 V, VB1 = 10 V to tranzystor może przewodzić prąd między E i B1 jeśli: Wybierz wszystkie poprawne: A. VE > 15,7 V B. VE > 5 V C. VE > 4,3 V D. VE > 0,7 V  E. VE > 5,7 V https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238634&cmid=280613 12/14 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 26 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 W układzie generatora relaksacyjnego: Wybierz wszystkie poprawne: A. stosuje się tyrystor B. stosuje się triaki C. częstotliwość generacji zależy od stałej czasowej obwodu RC D. stosuje się tranzystor jednozłączowy E. częstotliwość generacji zależy od stałej czasowej obwodu LC Pytanie 27 Zakończone Ocena: 0,60 z 1,00 Dynamiczna moc strat układów cyfrowych zależy od: Wybierz wszystkie poprawne: A. konstrukcji wewnętrznej B. napięcia zasilania C. od częstotliwości przełączania D. rezystancji podłączonej do wyjścia układu cyfr. E. ilości bramek podłączonych do wyjścia układu cyfr. Pytanie 28 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Poniżej przedstawiono tablicę prawdy bramki: Wybierz wszystkie poprawne: A. NOR B. XOR C. XNOR D. OR E. AND  https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238634&cmid=280613 13/14 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 29 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Zaznacz prawidłowe stwierdzenia dotyczące fotolitografii: Wybierz wszystkie poprawne: A. Naświetlone obszary fotorezystu POZYTYWOWEGO są usuwane w trakcie wywoływania B. NIEnaświetlone obszary fotorezystu NEGATYWOWEGO są usuwane w trakcie wywoływania C. Naświetlone i NIEnaświetlone obszary fotorezystu POZYTYWOWEGO są usuwane w trakcie wywoływania D. Naświetlone obszary fotorezystu NEGATYWOWEGO są usuwane w trakcie wywoływania E. NIEnaświetlone obszary fotorezystu POZYTYWOWEGO są usuwane w trakcie wywoływania Pytanie 30 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Na rysunku przedstawiono profil domieszki uzyskany w wyniku: ◄ Ustalenia organizacyjne w sem. zimowym 2020/2021 Wybierz wszystkie poprawne: Przejdź do... A. Rozpylania magnetronowego B. Dyfuzji z ograniczonego źródła Egzamin poprawkowy Przyrządy półprzewodnikowe I ► C. Implantacji jonów D. Utleniania E. Dyfuzji z nieograniczonego źródła  https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238634&cmid=280613 14/14 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Kokpit / Moje kursy / Półprzewodniki / Sekcja ogólna / Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I Rozpoczęto czwartek, 4 lutego 2021, 10:10 Stan ukończone Ukończono czwartek, 4 lutego 2021, 10:38 Wykorzystany 28 min. 37 sek. czas Ocena 16,03 pkt. na 30,00 pkt. możliwych do uzyskania (53%) Pytanie 1 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Prawo Ohma wyrażone jest wzorem: Wybierz wszystkie poprawne: A. B. C. D. E. Pytanie 2 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Wzory opisujące indukcyjność zastępczą Lzas: Wybierz wszystkie poprawne: A. wzór B jest prawdziwy dla połączenia RÓWNOLEGŁEGO cewek L1 i L2 B. wzór A jest prawdziwy dla połączenia RÓWNOLEGŁEGO cewek L1 i L2 C. wzór B jest prawdziwy dla połączenia SZEREGOWEGO cewek L1 i L2 D. oba wzory są błędne E. wzór A jest prawdziwy dla połączenia SZEREGOWEGO cewek L1 i L2 https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 1/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 3 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Rezystancja R przewodu wykonanego z materiału o konduktywności γ, długości l i stałym przekroju poprzecznym o polu S: Wybierz wszystkie poprawne: A. opisana jest wzorem B. opisana jest wzorem C. opisana jest wzorem D. opisana jest wzorem E. nie zależy od wymiarów przewodu https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 2/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 4 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Na rysunku przedstawiono: Wybierz wszystkie poprawne: A. charakterystykę N będącą ch-ką zastępczą połączenia szeregowego elementów N1 i N2 B. charakterystykę elementu N1 posiadającego zakres ujemnej rezystancji statycznej C. charakterystykę elementu N2 posiadającego zakres ujemnej rezystancji statycznej D. charakterystykę N będącą ch-ką zastępczą połączenia równoległego elementów N1 i N2 E. charakterystykę elementu N posiadającego zakres ujemnej rezystancji dynamicznej Pytanie 5 Zakończone Ocena: 0,75 z 1,00 Rezystancja statyczna: Wybierz wszystkie poprawne: A. elementów nieliniowych zależy od punktu pracy B. ma zawsze wartość dodatnią C. definiowana jest wzorem D. jest równa rezystancji dynamicznej rezystora liniowego E. definiowana jest wzorem https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 3/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 6 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Domieszkowanie: Wybierz wszystkie poprawne: A. może być realizowane poprzez naświetlanie półprzewodnika B. polega na podstawieniu atomów krzemu atomami pierwiastków z III lub V grupy układu okresowego C. donorami powoduje wzrost koncentracji dziur po dostarczeniu energii jonizacji D. określa koncentrację nośników w temperaturze 0K E. może powodować pojawienie się dodatkowych poziomów energetycznych w przerwie energetycznej domieszkowanego półprzewodnika Pytanie 7 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Rekombinacja par elektron-dziura: Wybierz wszystkie poprawne: a. polega na przejściu elektronu z pasma walencyjnego do pasma przewodzenia b. polega na przejściu dziury z pasma przewodzenia do pasma walencyjnego c. powoduje anihilację ładunku (pary elektron-dziura) d. polega na przejściu elektronu z pasma przewodzenia do pasma walencyjnego e. może spowodować emisję energii w postaci fotonu Pytanie 8 Zakończone Ocena: 0,67 z 1,00 Konduktywność półprzewodników: Wybierz wszystkie poprawne: A. nie jest zależna od temperatury B. modulowana jest drganiami termicznymi atomów w sieci krystalicznej C. maleje ze wzrostem temperatury D. rośnie ze wzrostem temperatury E. zależy od ruchliwości elektronów i dziur https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 4/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 9 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 W półprzewodnikach obserwujemy prąd: Wybierz wszystkie poprawne: A. jonowy B. konwekcyjny C. dyfuzyjny D. przesunięcia E. unoszenia Pytanie 10 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Poziom Fermiego EF: Wybierz wszystkie poprawne: A. w półprzewodniku typu p położony jest bliżej pasma walencyjnego B. w półprzewodniku typu n położony jest bliżej pasma przewodzenia C. w półprzewodniku typu p położony jest bliżej pasma przewodzenia D. w półprzewodniku typu n położony jest bliżej pasma walencyjnego E. oznacza energię, dla której prawdopodobieństwo obsadzenia przez elektrony poziomów energetycznych mniejszych od EF wynosi 0.5 Pytanie 11 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Przebicie złącza p-n: Wybierz wszystkie poprawne: A. występuje przy charakterystycznym dla złącza napięciu Zenera dla polaryzacji w kierunku przewodzenia B. spowodowane jest zjawiskiem powielania lawinowego w słabo domieszkowanych złączach C. spowodowane jest zjawiskiem powielania lawinowego w silnie domieszkowanych złączach D. spowodowane jest zjawiskiem tunelowania elektronów przez złącze w silnie domieszkowanych złączach E. spowodowane jest zjawiskiem tunelowania elektronów przez złącze w słabo domieszkowanych złączach https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 5/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 12 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Typowo w układach stabilizatorów wykorzystuje się: Wybierz wszystkie poprawne: A. termistory B. diody prostownicze C. fotorezystory D. diody Zenera E. fotodiody Pytanie 13 Zakończone Ocena: 0,67 z 1,00 Napięcie dyfuzyjne: Wybierz wszystkie poprawne: a. rośnie ze wzrostem szerokości przerwy energetycznej b. maleje ze wzrostem szerokości przerwy energetycznej c. określa wysokość bariery potencjału dla nośników większościowych d. nie zależy od temperatury e. to napięcie w niespolaryzowanym złączu p-n wynikające z obecności pola elektrycznego pochodzącego od nieskompensowanych jonów domieszki Pytanie 14 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 W spolaryzowanym w kierunku przewodzenia idealnym złączu p-n: Wybierz wszystkie poprawne: A. płynie głównie prąd unoszenia nośników mniejszościowych B. płynie głównie prąd dyfuzji nośników większościowych C. wyższy potencjał przykładany jest do obszaru typu n D. zmniejsza się szerokość przerwy energetycznej E. wyższy potencjał przykładany jest do obszaru typu p https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 6/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 15 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Napięcie dyfuzyjne złącza UD: Wybierz wszystkie poprawne: a. maleje ze wzrostem przerwy energetycznej Eg półprzewodnika b. zależy od stopnia domieszkowania półprzewodnika c. rośnie ze wzrostem koncentracji samoistnej ni półprzewodnika d. rośnie ze wzrostem przerwy energetycznej Eg półprzewodnika e. maleje ze wzrostem koncentracji samoistnej ni półprzewodnika Pytanie 16 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Zaznacz prawidłowe definicje parametrów wzmocnienia napięciowego KudB, prądowego KidB, mocy KpdB wyrażanych w decybelach dB: Wybierz wszystkie poprawne: A. KpdB[dB] = 10 log Kp[V/V] B. KpdB[dB] = 20 log Kp[V/V] C. KudB[dB] = 20 log Ku[V/V] D. KudB[dB] = 10 log Ku[V/V] E. KidB[dB] = 10 log Ki[V/V] https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 7/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 17 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Podać warunek polaryzacji tranzystora z rysunku do pracy aktywnej inwersyjnej: Wybierz wszystkie poprawne: A. B. C. D. E. https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 8/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 18 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Podać warunek polaryzacji tranzystora z rysunku do pracy aktywnej normalnej: Wybierz wszystkie poprawne: A. B. C. D. E. https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 9/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 19 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Podać warunek polaryzacji tranzystora z rysunku do pracy aktywnej inwersyjnej: Wybierz wszystkie poprawne: a. b. c. d. e. https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 10/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 20 Zakończone Ocena: 0,33 z 1,00 Na rysunku przedstawiono charakterystykę: Wybierz wszystkie poprawne: A. wyjściową B. tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym C. przejściową D. tranzystora MOSFET z kanałem wzbogacanym E. tranzystora PNFET https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 11/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 21 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Na rysunku przedstawiono charakterystykę: Wybierz wszystkie poprawne: a. tranzystora MOSFET z kanałem indukowanym b. wyjściową c. wejściową d. tranzystora PNFET e. tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 12/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 22 Zakończone Ocena: 0,67 z 1,00 Na rysunku przedstawiono charakterystykę: Wybierz wszystkie poprawne: A. tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym B. tranzystora PNFET C. przejściową D. wejściową E. tranzystora MOSFET z kanałem wzbogacanym Pytanie 23 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Generacja fotonów w diodzie LED: Wybierz wszystkie poprawne: A. następuje na skutek termalizacji elektronów B. następuje na skutek generacji promienistej par elektron-dziura C. następuje na skutek rekombinacji NIEpromienistej par elektron-dziura D. następuje na skutek rekombinacji promienistej par elektron-dziura E. następuje na skutek generacji NIEpromienistej par elektron-dziura https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 13/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 24 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Transoptory: Wybierz wszystkie poprawne: A. to przyrządy służące do komunikacji na duże odległości B. to przyrządy służące do separacji galwanicznej obwodów elektrycznych C. są urządzeniami bilateralnymi (dwukierunkowymi) D. składają się z emitera i detektora fali świetlnej E. są urządzeniami unilateralnymi (jednokierunkowymi) Pytanie 25 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Jeżeli VB2 = 20 V, VB1 = 10 V to tranzystor może przewodzić prąd między E i B1 jeśli: Wybierz wszystkie poprawne: A. VE > 5,7 V B. VE > 0,7 V C. VE > 15,7 V D. VE > 4,3 V E. VE > 5 V Pytanie 26 Zakończone Ocena: 0,75 z 1,00 Triak: Wybierz wszystkie poprawne: A. posiada NIEsymetryczną charakterystykę I-U B. samodzielnie może być stosowany w obwodach sterowania fazowego o wypełnieniu 40% C. załączany jest po przekroczeniu napięcia przebicia D. załączany jest impulsem bramki E. posiada symetryczną charakterystykę I-U https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 14/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 27 Zakończone Ocena: 1,00 z 1,00 Układy CMOSFET: Wybierz wszystkie poprawne: A. składają się z pary tranzystorów NMOSFET i PMOSFET B. składają się z dwu tranzystorów NMOSFET C. składają się z pary tranzystorów NJFET i PJFET D. składają się z tranzystorów IGBT, MOSFET i JFET E. składają się z dwu tranzystorów PMOSFET Pytanie 28 Zakończone Ocena: 0,20 z 1,00 Dynamiczna moc strat układów cyfrowych zależy od: Wybierz wszystkie poprawne: A. konstrukcji wewnętrznej B. rezystancji podłączonej do wyjścia układu cyfr. C. ilości bramek podłączonych do wyjścia układu cyfr. D. napięcia zasilania E. od częstotliwości przełączania https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 15/16 10.02.2021 Egzamin Przyrządy półprzewodnikowe I: Attempt review Pytanie 29 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 ◄ Ustalenia organizacyjne w sem. zimowym 2020/2021 PrzejdźNa rysunku przedstawiono schematycznie strukturę: do... Egzamin poprawkowy Przyrządy półprzewodnikowe I ► Wybierz wszystkie poprawne: A. Epiplanarnego monolitycznego tranzystora podłożowego PNP trakcie wywoływania B. Epiplanarnego monolitycznego tranzystora podłożowego NPN C. Epiplanarnego monolitycznego tranzystora krawędziowego NPN D. Tranzysora NPN i PNP w układzie Darlingtona E. Epiplanarnego monolitycznego tranzystora krawędziowego PNP Pytanie 30 Zakończone Ocena: 0,00 z 1,00 Na rysunku przedstawiono profil domieszki uzyskany w wyniku: Wybierz wszystkie poprawne: A. Dyfuzji z nieograniczonego źródła B. Dyfuzji z ograniczonego źródła C. Utleniania D. Rozpylania magnetronowego E. Implantacji jonów https://eportal.pwr.edu.pl/mod/quiz/review.php?attempt=238637&cmid=280613 16/16