Półprzewodniki - Notatki do Studiów

<p>Tranzystor MOSFET jest sterowany przez napięcie, a tranzystor BJT przez prąd (A)</p> Signup and view all the answers

<p>Prąd bazowy (C)</p> Signup and view all the answers

<p>Wyjście jest niskie tylko wtedy, gdy wszystkie wejścia są niskie (C)</p> Signup and view all the answers

<p>Dynamiczna moc strat jest stała niezależnie od obciążenia układu (D)</p> Signup and view all the answers

<p>NOT (B)</p> Signup and view all the answers

<p>$U = L \frac{di}{dt}$ (A)</p> Signup and view all the answers

<p>Jest sumą konduktancji poszczególnych rezystorów (A)</p> Signup and view all the answers

<p>Element N2 (A)</p> Signup and view all the answers

<p>Jest to charakterystyka N (B)</p> Signup and view all the answers

<p>Jest sumą odwrotności rezystancji poszczególnych rezystorów (D)</p> Signup and view all the answers

<p>Tak, jest to możliwe (C)</p> Signup and view all the answers

<p>Posiada dodatnią rezystancję staticzną (A)</p> Signup and view all the answers

<p>Są większe w połączeniu równoległym (D)</p> Signup and view all the answers

<p>Może powodować pojawienie się dodatkowych poziomów energetycznych w przerwie energetycznej domieszkowanego półprzewodnika. (C), Może być realizowane poprzez naświetlanie półprzewodnika. (D)</p> Signup and view all the answers

<p>Płynie głównie prąd dyfuzji nośników większościowych. (A), Wyższy potencjał przykładany jest do obszaru typu p. (B)</p> Signup and view all the answers

<p>Anihilacja ładunku (pary elektron-dziura). (C)</p> Signup and view all the answers

<p>Parametr h21 oznacza wzmocnienie prądowe. (C), Parametr h21 oznacza wzmocnienie napięciowe. (D)</p> Signup and view all the answers

<p>Rosnąc wraz ze wzrostem temperatury. (B)</p> Signup and view all the answers

<p>Potencjał na bazie jest niższy niż na kolektorze. (C), Potencjał na kolektorze jest wyższy niż na emiterze. (D)</p> Signup and view all the answers

<p>Oznacza rezystancję wejściową. (A), Oznacza wzmocnienie prądowe. (C)</p> Signup and view all the answers

<p>Donory i akceptory. (D)</p> Signup and view all the answers

<p>Są całkowicie izolatorami. (B)</p> Signup and view all the answers

<p>Płynie prąd mniejszościowy. (A), Płynie głównie prąd dyfuzji. (C)</p> Signup and view all the answers

<p>Zwiększa się liczba nośników większościowych. (A)</p> Signup and view all the answers

<p>Wpływają na mobilność nośników ładunku. (A)</p> Signup and view all the answers

<p>Prąd jonowy. (A)</p> Signup and view all the answers

<p>Napięcie bazy jest wyższe niż napięcie emitera. (D)</p> Signup and view all the answers

<p>Zależy od ilości domieszek i temperatury. (C)</p> Signup and view all the answers

<p>Aktywność nośników większościowych. (B)</p> Signup and view all the answers

<p>n = 0 (D)</p> Signup and view all the answers

<p>Prąd dyfuzji polega na przepływie nośników od miejsca o wyższej koncentracji do miejsca o niższej koncentracji. (B)</p> Signup and view all the answers

<p>Prąd przewodzenia rośnie (B)</p> Signup and view all the answers

<p>Prąd wsteczny rośnie (A)</p> Signup and view all the answers

<p>Przepływ nośników w kierunku niższej koncentracji. (B)</p> Signup and view all the answers

<p>n &gt; 0 dla T &lt; 0K (A)</p> Signup and view all the answers

<p>Zwiększa spadek napięcia przy stałym natężeniu prądu (D)</p> Signup and view all the answers

<p>Charakterystyka N jako ch-ka zastępcza dla połączenia szeregowego N1 i N2. (D)</p> Signup and view all the answers

<p>Powoduje spadek natężenia prądu (D)</p> Signup and view all the answers

<p>Przechodzi z trybu zaporowego do przewodzenia (B)</p> Signup and view all the answers

<p>Wzmacnia przepływ nośników w kierunku niższej koncentracji. (A)</p> Signup and view all the answers

<p>Wszystkie nośniki mają energię potencjalną wyższą niż energia Fermi. (D)</p> Signup and view all the answers

<p>Ich koncentracja rośnie (B)</p> Signup and view all the answers

<p>Zależność napięcia od prądu w warunkach stałych. (A)</p> Signup and view all the answers

<p>Zmniejsza wydajność przewodzenia (C)</p> Signup and view all the answers

<p>Dioda przewodzi prąd w jednym kierunku (B)</p> Signup and view all the answers

U generowana w cewce o indukcyjności L opisana wzorem: U = -L * (di/dt)

Jest sumą konduktancji poszczególnych rezystorów.

Rezystancja w połączeniu szeregowym jest sumą poszczególnych rezystancji.

Charakterystyka elementu z negatywną rezystancją w stałym stanie.

Charakterystyka elementu z negatywną rezystancją w stanach dynamicznych.

N1 i N2 to elementy z zakresami ujemnej rezystancji statycznej.

Zastępcza charakterystyka dla połączenia szeregowego N1 i N2.

Zastępcza charakterystyka dla połączenia równoległego N1 i N2.

Zastępcza charakterystyka elementu N wynikająca z połączenia N1 i N2.

Oznaczana jako n, wyraża liczbę elektronów w półprzewodniku.

Oznaczana jako p, odnosi się do ludności dziur w półprzewodniku.

W półprzewodniku samoistnym, koncentracja elektronów jest mniejsza od koncentracji dziur.

Równość koncentracji elektronów i dziur w półprzewodniku.

Prąd spowodowany przepływem nośników od wyższej do niższej koncentracji.

Wartość, która wpływa na kierunek prądu dyfuzji.

Element półprzewodnikowy składający się z obszaru typu p i n.

Ustawienie złącza, gdzie wyższy potencjał jest do obszaru typu n.

Odległość energetyczna między pasmem walencyjnym a przewodnictwa w półprzewodnikach.

Prąd związany z nośnikami mniejszościowymi w polaryzowanym złączu.

Wzmocnienie prądowe w modelu zastępczym małosygnałowym tranzystora bipolarnego.

Zależności wzmocnienia prądowego, rezystancji i napięcia.

Układ tranzystora bipolarnego, gdzie wzmocnienie napięciowe analizowane jest przez h21.

Naładowane elektrycznie cząstki, składniki atomowe.

Element elektroniczny, który przewodzi prąd w jednym kierunku.

Prąd płynący w przeciwnym kierunku do przewodzenia diody.

Zwiększenie temperatury może wpływać na przewodzenie prądu przez diodę.

Właściwość obwodów, która wpływa na spadek napięcia.

Cząstki, które wpływają na spadek natężenia prądu w diodzie.

Różnica potencjałów elektrycznych na diodzie przy natężeniu prądu.

Proces polegający na podstawieniu atomów krzemu atomami pierwiastków z III lub V grupy układu okresowego.

Atomy, które zwiększają koncentrację dziur po dostarczeniu energii jonizacji.

Proces, w którym elektron przechodzi z pasma przewodzenia do pasma walencyjnego, co powoduje anihilację ładunku.

Zjawisko, które może wystąpić podczas rekombinacji, prowadzące do powstania fotonów.

Zdolność przewodzenia prądu przez półprzewodniki, zależna od temperatury i ruchliwości nośników.

Konduktywność półprzewodników rośnie ze wzrostem temperatury.

Obserwacja przewodzenia prądu jonowego i powiązanych nośników w półprzewodnikach.

Pasmo energetyczne, z którego mogą przechodzić elektrony do przewodzenia.

Charakterystyka, gdzie prąd i napięcie są w proporcjonalnej relacji.

Charakterystyka, gdzie prąd i napięcie mają znaczną różnicę w relacji.

Napięcie, przy którym następuje przewodzenie przez dielektryk.

Obwody używane do kontroli fazy napięcia w systemach elektrycznych.

Sygnał używany do aktywacji elementów logicznych.

Tabela przedstawiająca możliwe wyniki dla różnych kombinacji wejść w logice cyfrowej.

Energia tracona w systemach cyfrowych w trakcie działania.

Opór podłączony do wyjścia układu cyfrowego.