Elementos Discretos PDF

Elementos discretos 24  Transistores de efecto de campo El transistor FET de unión (JFET) El transistor FET tienen muchas aplicaciones en los circuitos electrónicos. Este dispositivo se construye con semiconductores tipo N y tipo P, y al igual que los BJT, se emplea como...

Elementos discretos 24  Transistores de efecto de campo El transistor FET de unión (JFET) El transistor FET tienen muchas aplicaciones en los circuitos electrónicos. Este dispositivo se construye con semiconductores tipo N y tipo P, y al igual que los BJT, se emplea como amplificador o como conmutador. Sin embargo, su construcción es diferente y opera bajo principios completamente distintos. Se dice que es un dispositivo unipolar, lo que significa que funciona con corrientes de electrones o de huecos, pero no con ambas al mismo tiempo. Por lo general, el BJT es preferido sobre el FET como amplificador, pero a veces se escoge al FET sobre el BJT, por causa de su alta impedancia de entrada. El JFET y el MOSFET Por otro lado, si se trata de crear un sistema de conmutación, el FET suele preferirse sobre el BJT por su más alta velocidad de conmutación. Existen dos grandes tipos de FETs: JFET MOSFET Construcción del JFET La construcción de este tipo de transistor empieza con una base de silicio ligeramente dopada conocida como substrato. Esta pieza puede ser de tipo N o de tipo P, y sirve simplemente como plataforma para las demás partes. Dentro de esta base se forma una zona dopada de material contrario a la del substrato, en forma de “U” que sale del subcontrato a la superficie en sólo dos puntos.  Elementos discretos 25  JFET de canal N y de canal P Esta zona en forma de “U” funciona como canal para la circulación de corriente. Si el canal es de material N, se dice que el transistor es un JFET de canal N. Si fuera de material P, tendríamos un JFET de canal P. Nota que este tipo de transistor tiene tres terminales: Fuente (Source), Compuerta (Gate) y Drenaje (Drain).  El FET de compuerta aislada (MOSFET) Clasificación de los FET En la lección anterior, estudiamos a los JEFT, y establecimos que existen dos tipos de ellos: JFET de canal N JFET de canal P Ahora estamos iniciamos el estudio de otra familia de FET. Se trata de los MOSFET y de ellos vamos a encontrar dos tipos: MOSFET de agotamiento (o empobrecimiento). MOSFET de crecimiento (o de enriquecimiento).  Clasificación de los MOSFET A su vez, los MOSFET de agotamiento, podemos encontrarlos de canal N o de canal P. Así mismo, los MOSFET de crecimiento, podemos encontrarlos también, de canal N o de canal P. En esta lección vamos a estudiar los MOSFET de agotamiento.  Elementos discretos  Configuración de los circuitos con FET 26 Configuración con los FET Igual que con los circuitos que emplean transistores bipolares, los circuitos construidos con cualquier tipo de FET, son empleados principalmente para obtener amplificación o conmutación. Como es lógico, existen tres configuraciones para conectar los FET: fuente común, compuerta común y drenaje común. Cada uno de ellos tienen sus propias características eléctricas.  Configuración de fuente común El de la figura es una configuración de fuente común, y que, por cierto, es la más empleada. Este arreglo proporciona una alta impedancia de entrada y buena amplificación de voltaje en bajas y altas frecuencias.  Configuración de compuerta común Igual que la configuración de fuente común, este arreglo provee amplificación de voltaje, aunque no tan alta como aquella. La impedancia de entrada no es tan alta como la de la configuración fuente común, pero la impedancia de salida es muy alta, de manera que el circuito puede servir muy bien cuando hay que aplicar una señal a otro circuito de alta impedancia de entrada. Otra característica apreciada de esta configuración es que maneja muy bien las altas frecuencias, y al igual que en las otras configuraciones, puede utilizarse JFET, o también MOSFET de agotamiento o de incremento.  Configuración de drenaje común Esta configuración se emplea primordialmente para acoplar un circuito con muy alta impedancia de salida, con otro de muy baja impedancia de entrada, aunque no provee ganancia de voltaje. Su característica de poseer muy alta impedancia de entrada y muy baja impedancia de salida, lo hace ideal para servir como acoplador.