Prąd elektryczny i prawa Kirchhoffa

Prąd płynie kolejno przez wszystkie odbiorniki, natężenie jest takie same dla wszystkich, a napięcie sumuje się.

Prąd rozgałęzia się, natężenia prądów sumują się, a napięcie jest takie same na każdym odbiorniku.

Suma oporów wszystkich odbiorników w szeregu.

Odwrotność sumy odwrotności oporów odbiorników.

Energia elektryczna dostarczona do odbiornika w danym czasie; liczona na podstawie napięcia, natężenia, czasu i oporu.

Szybkość zużycia energii elektrycznej w odbiorniku.

Ciepło wydzielane w przewodniku z powodu przepływu prądu elektrycznego.

Współczynnik proporcjonalny opisujący opór przewodnika w zależności od materiału.

Uporządkowany ruch nośników ładunku pod wpływem pola elektrycznego.

Iloraz ładunku przepływającego przez przekrój przewodnika do czasu przepływu.

Suma prądów wpływających do węzła równa jest sumie prądów wypływających z węzła.

Zależność natężenia prądu od napięcia dla danego odbiornika.

Natężenie prądu jest wprost proporcjonalne do napięcia i odwrotnie proporcjonalne do oporu.

Stały stosunek napięcia do natężenia prądu w przewodniku.

Miara wpływu temperatury na opór przewodnika.

Om - jednostka oporu elektrycznego (1 V / 1 A).

Iloraz pracy wykonanej przez źródło energii elektrycznej na przesunięcie ładunku Δq wbrew sile elektrycznej.

Opór elektrolitu wewnątrz źródła energii elektrycznej.

SEM źródła równa się iloczynowi natężenia prądu I i sumy oporu zewnętrznego R oraz wewnętrznego r źródła.

Wskazuje siłę elektromotoryczną (SEM) źródła.

Suma algebraiczna wszystkich SEM i spadków napięcia w zamkniętym obwodzie wynosi zero.

Półprzewodnik utworzony z pierwiastków z czwartej grupy układu okresowego, np. krzem.

I = neSv, gdzie n to koncentracja elektronów, S - przekrój, v - prędkość elektronów.

W półprzewodniku samoistnym nośnikami ładunku są swobodne elektrony i dziury.

Półprzewodniki domieszkowane atomami z V grupy, w których większościowymi nośnikami są elektrony.

Półprzewodniki domieszkowane atomami z III grupy, w których większościowymi nośnikami są dziury.

Dwa półprzewodniki typu n i p połączone ze sobą tworzące złącze n-p lub p-n, charakteryzująca się jednostronnym przewodzeniem prądu.

Przepływ prądu, gdy napięcie zewnętrzne podłączone jest w ten sposób, aby zmniejszało barierę potencjału na złączu.

Brak przepływu prądu gdy napięcie zewnętrzne podłączone jest w taki sposób, żeby zwiększać barierę potencjału.

Trzy warstwy półprzewodnikowe (n-p-n lub p-n-p), emiter, baza i kolektor, używane do wzmacniania lub przełączania sygnałów.

Emiter jest silnie domieszkowany i dostarcza nośniki ładunku do bazy.

W tranzystorze, niewielkie zmiany napięcia w obwodzie emiter-baza powodują duże zmiany natężenia prądu płynącego między emiterem i kolektorem, co prowadzi do dużych zmian napięcia na odbiorniku w obwodzie baza-kolektor.

Roztwory wodne kwasów, zasad i soli, które dysocjują na jony, nadając cieczy przewodnictwo elektryczne.

Ruch ładunków elektrycznych w cieczy spowodowany obecnością jonów dodatnich i ujemnych.

Prędkość jonu w ruchu jednostajnym jest równa stosunkowi siły pola elektrycznego do współczynnika oporu lepkiego cieczy.

Współczynnik zależny od wielkości jonu i temperatury, określający opór jonu podczas ruchu w cieczy.

Gaz w stanie naturalnym nie przewodzi prądu, ale staje się przewodnikiem po zjonizowaniu np. przez wysoką temperaturę lub promieniowanie.

Przewodnictwo gazu spowodowane obecnością zewnętrznego czynnika jonizującego, np. promieniowania.

Gwałtowny wzrost natężenia prądu w gazie po osiągnięciu pewnego napięcia, gdy energia rozpędzonych jonów jest wystarczająca do jonizacji napotkanych obojętnych cząsteczek.