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Questions and Answers
¿Qué tipo de transistor está formado por dos capas de material tipo N y una de tipo P?
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En un transistor PNP, ¿cómo se polariza la unión emisor-base?
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¿Cuál es la corriente que fluye de la base al emisor en un transistor bipolar?
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¿Qué ocurre con la mayoría de los electrones inyectados desde el emisor en un transistor NPN?
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¿Qué función cumple la corriente de colector (𝐼𝑐) en un transistor?
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¿Cómo se polariza la unión base-colector en un transistor PNP?
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¿Qué es un transistor de unión bipolar?
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¿Cuál es el efecto de aplicar corriente al terminal del emisor en un transistor NPN?
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Cuáles son las tres configuraciones en las que se puede conectar un transistor?
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Qué parámetro define la ganancia de corriente de un transistor?
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Cuál es la corriente indeseable que fluye en el colector cuando IB es cero?
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Qué significa la frecuencia de corte α o β en un transistor?
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Cuál es el voltaje de ruptura de colector?
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Qué ocurre si se sobrepasan las corrientes máximas de colector y emisor?
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Cuál es la temperatura máxima típica de operación para un transistor de silicio?
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Qué se refiere a la disipación máxima de colector en un transistor?
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¿Cuál es la función principal de la corriente de base en un transistor bipolares?
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¿Cómo se relacionan las corrientes en un transistor según las leyes de Kirchhoff?
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¿Qué indica la relación α (alfa) en un transistor?
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¿Cuál es la gama típica para el valor de α (alfa) en un transistor?
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¿Qué define la relación β (beta) en un transistor?
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En un transistor, ¿qué tipo de polarización debe tener la unión emisor-base?
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¿Qué ocurre cuando hay pequeñas variaciones en la corriente de base?
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¿Cuál de las siguientes características NO se menciona en la descripción básica de un transistor?
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¿Qué se entiende por el producto ganancia-ancho de banda (fT) en un transistor?
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¿Cuál es la principal diferencia en la operación entre un transistor BJT y un transistor FET?
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¿Cuáles son los dos tipos de MOSFET mencionados?
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¿Cuál de los siguientes tipos de FET normalmente se prefiere para aplicaciones de conmutación?
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¿Qué terminal se conoce como 'Gate' en un transistor JFET?
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¿Cuál es la característica principal de la configuración de fuente común?
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En un JFET de canal N, ¿qué material se utiliza para la base?
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¿Qué configuración de FET se utiliza para acoplar alta impedancia de salida a baja impedancia de entrada?
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La impedancia de entrada en una configuración de compuerta común se caracteriza por ser:
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¿Cómo se distingue un JFET de canal P de uno de canal N?
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¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre los MOSFET de agotamiento es correcta?
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¿Cuál es una característica de un transistor FET comparado con un BJT?
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¿Qué terminal en un JFET es responsable de la salida de la señal?
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¿Cuál es la función principal de los circuitos construidos con FET?
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¿Cómo se clasifica a un JFET de acuerdo al tipo de canal?
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¿Cuál no es una característica del MOSFET de agotamiento?
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¿Cuál es una característica que distingue a los transistores NPN de los PNP?
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En la configuración de emisor común, ¿qué característica es correcta?
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¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre los transistores de unión bipolar (BJT) es falsa?
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¿Cuál de las siguientes configuraciones de FET no invierte la fase de la señal?
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En un transistor MOSFET de enriquecimiento, ¿cómo se caracteriza su funcionamiento?
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¿Qué configuración de BJT es más adecuada para aplicaciones de adaptación de impedancias?
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¿En qué tipo de transistor FET se puede encontrar un canal de tipo P o de tipo N?
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¿Qué característica de la configuración drain común se destaca?
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Study Notes
Transistores
- Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto por dos capas de material tipo N y una de material tipo P (NPN) o viceversa (PNP).
- Los transistores NPN y PNP permiten controlar el paso de corriente y modificar el voltaje.
- La polarización PNP tiene la unión emisor-base polarizada directamente y la unión base-colector polarizada inversamente. Esto es similar al transistor NPN, pero con las polaridades de las baterías invertidas.
Corrientes en un Transistor
- La operación del transistor bipolar se basa en el control de la corriente a través de sus regiones.
- Existen dos tipos de transistores bipolares: NPN y PNP.
- Cuando se aplica una corriente al emisor, se inyectan portadores de carga (electrones) a la base.
- La base es una región estrecha con polarización directa para permitir el flujo de electrones inyectados a la base.
- La corriente de base (Ib) es clave en la operación, ya que una pequeña parte de los electrones se combina, mientras que la mayoría pasa al colector.
- El colector está polarizado inversamente para que la corriente del colector (Ic) sea mayor que la corriente de base, lo que resulta en amplificación de corriente.
- La relación alfa (α) es el cociente entre la corriente de colector (Ic) y la corriente del emisor (Ie), generalmente entre 0.95 y 0.99, representando ganancia de corriente.
- La relación beta (β) es el cociente entre la corriente de colector (Ic) y la corriente de base (Ib), indicando la capacidad de controlar una alta corriente de salida con una pequeña corriente de entrada.
- Mientras que un valor mayor de β implica mejor capacidad de amplificación.
- La corriente de colector (Ic) es mucho mayor que la corriente de base (Ib).
Configuraciones de Transistores
- Los transistores pueden conectarse en tres configuraciones: fuente común, compuerta común y drenaje común.
- Cada configuración tiene características eléctricas propias.
Valores máximos
- Voltaje de ruptura de colector y emisor: Los valores de polarización inversa que producen un aumento repentino de la corriente.
- Corrientes máximas de colector y emisor: Valores límite para proteger el transistor del daño.
- Disipación máxima de colector: Potencia máxima que puede soportar sin dañarse.
- Rangos de temperatura: Límites dentro de los cuales el transistor funciona correctamente.
- Producto ganancia-ancho de banda (fr): Frecuencia asociada a la ganancia de corriente del transistor. A mayor frecuencia, menor ganancia.
Transistores de Efecto de Campo (FET)
- Existen dos tipos principales de FET: el JFET y el MOSFET.
- El JFET es unipolar, operando con corriente de electrones o huecos, pero no ambos al mismo tiempo.
- El MOSFET puede ser de agotamiento o de crecimiento, y también de canal N o canal P.
- Los FET son frecuentemente preferidos para aplicaciones de conmutación debido a su alta velocidad.
- Los JFET y MOSFET tienen tres terminales: fuente (source), compuerta (gate) y drenaje (drain).
Transconductancia y Ganancia
- La transconductancia (gm) relaciona la ganancia de voltaje (Av) con la resistencia de drenaje (rd) en las configuraciones de fuente común.
- La ecuacion para la ganancia de voltaje se da por Av = gm * rd.
- En esta fórmula gm representa transconductancia, y rd es la resistencia de drenaje del JFET.
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Description
Este cuestionario explora los fundamentos de los transistores, especialmente los tipos NPN y PNP. Aprenderás cómo funcionan y cómo se controlan las corrientes a través de ellos, así como sus aplicaciones en circuitos electrónicos. El conocimiento sobre la polarización y la corriente de base es esencial para entender su operación.