Transistores NPN y PNP

Un dispositivo de tres capas que utiliza un material semiconductor para controlar el flujo de corriente. Puede ser de tipo NPN (dos capas de tipo N y una de tipo P) o PNP (dos capas de tipo P y una de tipo N).

La unión emisor-base está directamente polarizada, mientras que la unión base-colector está polarizada inversamente. Esta configuración permite el flujo de corriente del emisor hacia la base y luego al colector.

La corriente que fluye de la base al emisor. Es mucho menor que la corriente de colector.

La corriente que fluye del emisor al colector. Es mucho mayor que la corriente de base.

El proceso de amplificación de corriente en un transistor bipolar se basa en el control de la corriente que fluye entre las regiones del transistor.

El control de la corriente de base (𝐼𝑏 ) determina la cantidad de corriente que fluye al colector (𝐼𝑐). La corriente de colector es mucho mayor que la corriente de base.

La unión base-colector está polarizada inversamente para recolectar los electrones que llegan desde el emisor.

La región de la base es delgada para facilitar el paso de los electrones hacia el colector. Esto permite que la mayoría de los electrones inyectados desde el emisor lleguen al colector.

Son las tres formas posibles de conectar un transistor a un circuito, manteniendo el orden de polarización.

La corriente de colector (IC) dividida entre la corriente de emisor (IE). Es una medida de la eficiencia del transistor.

La corriente de colector (IC) dividida entre la corriente de base (IB). Es la ganancia de corriente del transistor.

La frecuencia a la que la ganancia del circuito transistorizado cae al 70.7% de la ganancia en baja frecuencia.

La corriente de colector que fluye cuando la corriente de base es cero. Es una corriente indeseable causada por portadores minoritarios.

La corriente de colector que fluye cuando la corriente de emisor es cero. Es una corriente indeseable causada por portadores minoritarios.

El valor de voltaje inverso colector-base que produce un aumento repentino de la corriente de colector-base. Es un límite de operación.

El voltaje de polarización inversa base-emisor que produce un aumento repentino de la corriente de emisor. Es otro límite de operación.

La corriente de base controla la corriente de colector, lo que permite al transistor actuar como un amplificador de corriente. Pequeñas variaciones en la corriente de base pueden resultar en grandes cambios proporcionales en la corriente de colector.

La relación α (alfa) es la proporción entre la corriente de colector (IC) y la corriente de emisor (IE). Se puede interpretar como la ganancia del transistor, ya que relaciona la corriente de salida con la corriente de entrada.

La relación β (beta) es la proporción entre la corriente de colector (IC) y la corriente de base (IB). Representa la capacidad del transistor para controlar una alta corriente de salida (IC) con una pequeña corriente de entrada (IB). Un valor β alto es ideal para la amplificación.

IE = IB + IC. Esta ecuación representa la ley de Kirchhoff aplicada a un transistor bipolar, donde la corriente de emisor (IE) es igual a la suma de la corriente de base (IB) y la corriente de colector (IC).

La unión emisor-base de un transistor bipolar se polariza directamente, mientras que la unión base-colector se polariza inversamente.

Los transistores bipolares se utilizan en diferentes aplicaciones, incluyendo la amplificación y la conmutación. En la amplificación, la corriente de base modula la corriente de colector, permitiendo amplificar señales. En la conmutación, se utiliza el transistor como un interruptor, activando o desactivando el flujo de corriente.

La frecuencia a la que la ganancia de corriente del transistor es igual a 1. Es la frecuencia máxima de operación para un transistor dado.

Un transistor FET de unión (JFET) es un tipo de transistor de efecto de campo que utiliza una unión PN para controlar el flujo de corriente. Se utiliza como amplificador o como interruptor en circuitos electrónicos.

Un transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo semiconductor que utiliza un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente entre dos terminales llamados Fuente (S) y Drenaje (D).

El JFET es un dispositivo unipolar. Esto significa que funciona con corriente de electrones o huecos, pero no con ambas al mismo tiempo.

El JFET tiene tres terminales: Fuente (S), Compuerta (G) y Drenaje (D).

El canal del JFET está formado por una zona dopada de material contrario a la base del transistor, en forma de "U" que sale del substrato a la superficie en sólo dos puntos.

Un JFET de canal N tiene un canal de material N, y un JFET de canal P tiene un canal de material P.

Los JFETs se prefieren a los BJT para aplicaciones de conmutación debido a su mayor velocidad de conmutación.

Los JFET (Transistores de Efecto de Campo de Unión) son dispositivos semiconductores que controlan el flujo de corriente entre el drenaje y la fuente mediante un voltaje aplicado a la compuerta. Existen dos tipos: Canal N y Canal P.

Los MOSFET (Transistores de Efecto de Campo de Óxido-Metal) son dispositivos semiconductores que controlan el flujo de corriente entre el drenaje y la fuente mediante un campo eléctrico aplicado a la compuerta. Existen dos tipos: Agotamiento y Crecimiento.

Los MOSFET de agotamiento (o empobrecimiento) son dispositivos que conducen corriente en su estado normal y la conductividad se reduce (se agota) cuando se aplica un voltaje negativo a la compuerta.

Los MOSFET de crecimiento (o de enriquecimiento) son dispositivos que no conducen corriente en su estado normal y la conductividad aumenta (se incrementa) cuando se aplica un voltaje positivo a la compuerta.

Es una configuración donde la fuente del FET está conectada a tierra o un punto de referencia de voltaje, la compuerta es la entrada y el drenaje es la salida. Proporciona alta impedancia de entrada y buena amplificación de voltaje.

Es una configuración donde la compuerta del FET está conectada a tierra o un punto de referencia de voltaje, la fuente es la entrada y el drenaje es la salida. Ofrece amplificación de voltaje, impedancia de entrada no tan alta como la configuración de fuente común y una alta impedancia de salida.

Es una configuración donde el drenaje del FET está conectado a tierra o un punto de referencia de voltaje, la fuente es la entrada y la compuerta es la salida. No proporciona ganancia de voltaje, pero es útil para acoplar circuitos con diferentes impedancias.

Un tipo de transistor bipolar que utiliza una capa delgada de material tipo P entre dos capas de material tipo N. Se caracteriza por una alta ganancia de corriente y una respuesta rápida. Se utiliza principalmente en circuitos digitales.

Un tipo de transistor bipolar que utiliza una capa delgada de material tipo N entre dos capas de material tipo P. Se caracteriza por una polaridad opuesta al NPN y se utiliza principalmente en circuitos analógicos.

Una configuración de transistor bipolar donde el emisor está conectado a tierra o un punto de referencia de voltaje, la base es la entrada y el colector es la salida. Proporciona alta ganancia de voltaje, pero invierte la fase de la señal.

Una configuración de transistor bipolar donde el colector está conectado a tierra o un punto de referencia de voltaje, la base es la entrada y el emisor es la salida. Actúa como un seguidor de emisor, no invierte la fase y amplifica la corriente, pero no el voltaje.

Una configuración de transistor bipolar donde la base está conectada a tierra o un punto de referencia de voltaje, el emisor es la entrada y el colector es la salida. Ofrece baja impedancia de entrada y alta impedancia de salida, ideal para amplificar señales de alta frecuencia.

Un tipo de transistor de efecto de campo que utiliza un óxido de metal para controlar el flujo de corriente. Ofrece alta impedancia de entrada y se distingue por su alta densidad de integración. Se utiliza ampliamente en circuitos digitales y analógicos.

Una configuración de transistor FET donde la fuente está conectada a tierra o un punto de referencia de voltaje, la compuerta es la entrada y el drenador es la salida. Ofrece alta ganancia de voltaje pero invierte la fase de la señal.