Lithografie-Prinzipien Kapitel 4

Die Fähigkeit des Resists, helle und dunkle Bereiche zu unterscheiden.

Eine Funktion, die beschreibt, wie gut verschiedene räumliche Frequenzen durch das optische System übertragen werden.

Der minimale MTF-Wert, der erforderlich ist, um ein bestimmtes Merkmal im Resist zu erzeugen.

Die minimale Belichtungsenergie, die benötigt wird, um ein bestimmtes Muster im Resist zu erzeugen.

Die Fähigkeit des Resists, gegen ein bestimmtes Ätzmittel (oder Plasma) zu widerstehen.

Ein Phänomen, das auftritt, wenn sich das Licht auf der Oberfläche des Wafers überlagert und Interferenzmuster erzeugt.

Eine dünne Schicht, die auf die Oberfläche des Wafers aufgebracht wird und eine gleichmäßige Beschichtung des Resists sicherstellt.

Ein Prozess, der angewendet wird, um die Restlösungsmittel aus dem Resist zu entfernen und die Haftung des Resists auf dem Wafer zu verbessern.

Ein Prozess, der angewendet wird, um die restlichen Lösungsmittel aus dem Resist zu entfernen und die Haftung des Resists auf dem Wafer zu verbessern.

Ein Prozess, der die unerwünschte Schicht des Resists entfernt und das Muster freilegt.

Ein Prozess, der angewendet wird, um den Resist zu stabilisieren und seine Ätzresistenz zu verbessern.

Ein System, das verwendet wird, um die Muster auf dem Wafer zu erzeugen.

Ein Verfahren, bei dem das Muster in den Resist übertragen wird, indem selektiv Material abgetragen wird.

Eine Technik, die verwendet wird, um die Auflösung der Lithographie zu verbessern, indem die Wellenlänge des Lichts reduziert wird.

Eine Technik, die verwendet wird, um die Auflösung der Lithographie zu verbessern, indem die Phase des Lichts verändert wird.

Extreme Ultraviolett (EUV) ist eine fortschrittliche Lithographietechnik, die extrem kurzwelliges UV-Licht verwendet, um hochpräzise Strukturen auf Halbleitern zu erzeugen. EUV-Lithographie ermöglicht die Herstellung von Chips mit immer kleineren Strukturen und bietet somit höhere Integrationsdichten.

Bei der EUV-Lithographie wird ein reflektierendes Muster verwendet, um die gewünschte Struktur auf den Halbleiter zu übertragen.

NGL steht für Next Generation Lithographie, ein breiter Begriff für verschiedene fortgeschrittene Lithographietechniken, die eingesetzt werden, um die Grenzen der herkömmlichen optischen Lithographie zu überwinden.

Polymethylmethacrylat (PMMA) ist ein häufig verwendetes, positiv wirkendes Photoresist-Material, das in der EUV-Lithographie verwendet wird.

Die Herstellung der Maskenbilder für die EUV-Lithographie erfolgt häufig mit Hilfe von Elektronenstrahl-Lithographie.

Elektronenstrahl-Lithographie (EBL) ist eine direkte Schreibtechnik, bei der ein fokussierter Elektronenstrahl verwendet wird, um ein Muster in ein Photoresist-Material zu übertragen.

Eine der größten Herausforderungen der EBL ist die geringe Geschwindigkeit, da die Belichtung mit einem einzelnen, langsam bewegten Elektronenstrahl erfolgt.

Elektronen können während des EBL-Prozesses in der Probe gestreut werden, was zu einer Vergrößerung der geätzten Strukturen führt.

EBL findet in einem Vakuum statt, um Streuung durch Luftmoleküle zu vermeiden. EBL bietet zudem einen größeren Tiefenschärfebereich im Vergleich zu herkömmlicher optischer Lithographie.

Elektronen werden durch verschiedene Methoden emittiert, darunter die thermische Emission, die Feldemission und die Photoemission. Nach der Emission werden sie gebündelt, fokussiert und auf die Probe beschleunigt.

Eine weitere vielversprechende Lithographietechnik ist die Nanoimprägung, bei der ein Muster in eine weiche, dünne Schicht gepresst wird.

Alternative Lithographietechniken, wie die Seitenwand-Transfer-Lithographie (STL), basieren auf neuartigen Materialien und Verfahren, um Nanostrukturen zu erzeugen.

Die Elektronenstrahl-Lithographie (EBL) ist eine wichtige Technik für die Herstellung von Nanostrukturen in kleinen Stückzahlen, da sie hohe Flexibilität und Präzision bietet.

Die Nanoimprägung (NIL) ist ebenfalls ein vielversprechendes Verfahren für die Nanostrukturproduktion.

Die Seitenwand-Transfer-Lithographie (STL) ist eine vielversprechende, aber noch experimentelle Technik, die verwendet wird, um Nanostrukturen herzustellen.