Interfața PIA și Tehnologia Bluetooth

Formatare logică a memoriei DRAM

• SDRAM: funcționează sincron cu unitatea centrală (UCP), arhitectură superscalar.
• EDRAM: viteză mare de încărcare a memoriei cache, multitasking.
• CDRAM: cache pe fiecare cip.
• MDRAM: date stocate într-un număr de bancuri de memorie separate.
• RDRAM: magistrale de mare viteză, cache RAM static, citire rapidă.
• DDR SDRAM: transferă date pe ambele fronturi de ceas.
• DDR2 SDRAM: funcționează de două ori mai rapid cu jumătate din frecvența de ceas.
• DDR3 SDRAM: funcționează de patru ori mai rapid, consum redus de energie.
• DDR4 SDRAM: reduce consumul de energie.
• XDR RAM: succesor pentru RDRAM.
• PDRAM: integrată în același cip cu unitatea centrală (UCP).

Formatare logică a memoriei SRAM

• IT-SRAM: capacitate mare, arie mică, consum redus de energie.
• IT-SRAM_M, IT-SRAM-R, IT-SRAM-Q: diferite variante IT-SRAM.
• ODR2 SRAM: citire/scriere simultană.

Formatare fizică a memoriei

• DIP: clasic, pini individuali sunt dezlipiti.
• SOJ: mai modern, terminale în formă de J.
• TSOP: dimensiuni mici, pentru laptopuri.
• BGA: biluțe de cositor, performanță de conducere bună.
• SIMM: un rând de pini, cu un singur sau dublu strat.
• SODIMM: jumătate din dimensiunea unui SIMM, pentru laptopuri.
• SIPP: SIMM cu pini ascuțiți, rar utilizat.
• DIMM: capacități mari, două rânduri de pini.
• RIMM: similar DIMM, cu radiatoare.

Metode de acces la memorie

• Paginare: îmbunătățește viteza prin utilizarea unor pagini în loc de adrese directe de memorie.
• Întrețesere: procesor execută operații paralele pe doi bancuri de memorie în același timp.

Memoria Cache

• Internă/primară: situată în interiorul unității centrale de prelucrare (UCP), foarte rapidă.
• Externă/secundară: mai mare decât cache-ul intern, situată între UCP și RAM.
• Dimensiune: mai mică decât memoria RAM.
• Tip static (SRAM), fără refresh.
• Viteză mare, timp de acces redus (ta = 100/fp, unde fp este frecvența procesorului).
• Localizare spaţială/temporală: cache-ul se află între UCP și memoria principală (RAM).
• Cache primar/intern (L1, L3)
• Cache secundar/extern (L2, L3)
• Rata de succes (hit rate)/Rata de eșec (miss rate): măsuri ale performanței cache-ului.

Mapare cache

• Mapare directă: fiecare adresă din memoria principală este mapară la o singură linie din cache.
• Mapare asociativă: o adresă din memoria principală poate fi mapară la orice linie din cache.
• Mapare asociativă pe seturi: îmbunătățește performanța cache-ului comparativ cu celelalte metode.
• Mapare pseudo-asociativă: combină caracteristicile mapei asociative și directe.

Eficiența și localizarea datelor în memoria cache

• Localizare spațială: date adiacente în memorie vor fi accesate adesea împreună
• Localizare temporală: date accesate recent vor fi probabil accesate din nou în viitorul apropiat

Reînnoire date

• RW (Random Write): rescriere aleatorie de date.
• FIFO (First-In, First-Out): rescrierea datelor respectă ordinea de intrare.
• LRU (Least Recently Used): datele folosite cel puțin recent sunt rescrise mai întâi.
• LFU (Least Frequently Used): datele cu cea mai mică frecvență de utilizare sunt rescrise mai întâi.
• clock

Conectarea cache-ului la ucp

• lock through (arială)
• p-RAM prin intermediul cache-ului
• lock aside (paralelă)