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Questions and Answers
Os díodos de potência baseiam-se no processamento de informação.
Os díodos de potência baseiam-se no processamento de informação.
False
Os tempos de passagem condução-corte limitam as frequências de comutação dos díodos de potência.
Os tempos de passagem condução-corte limitam as frequências de comutação dos díodos de potência.
True
O díodo Schotky tem maior queda de tensão do que o díodo de silício.
O díodo Schotky tem maior queda de tensão do que o díodo de silício.
False
O fotodíodo permite criar pares eletrão-buraco através da radiação visível.
O fotodíodo permite criar pares eletrão-buraco através da radiação visível.
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O LED aproveita a absorção de radiação para funcionar como gerador em circuitos de comando.
O LED aproveita a absorção de radiação para funcionar como gerador em circuitos de comando.
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O transístor bipolar de potência (BJT) tem uma frequência de comutação maior do que o transístor de efeito campo (MOSFET).
O transístor bipolar de potência (BJT) tem uma frequência de comutação maior do que o transístor de efeito campo (MOSFET).
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O TRIAC é equivalente a dois tiristores ligados em série, com uma gate comum.
O TRIAC é equivalente a dois tiristores ligados em série, com uma gate comum.
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O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tem queda de tensão em condução quase constante.
O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tem queda de tensão em condução quase constante.
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Os materiais semicondutores usados incluem silício tradicional, carbeto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN).
Os materiais semicondutores usados incluem silício tradicional, carbeto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN).
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Os transistores GTO (gate turn off) têm correntes de gate ao corte muito baixas.
Os transistores GTO (gate turn off) têm correntes de gate ao corte muito baixas.
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Qual é a principal limitação dos díodos de potência em relação à frequência de comutação?
Qual é a principal limitação dos díodos de potência em relação à frequência de comutação?
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Qual é a principal diferença entre o díodo Schotky e o díodo de Silício?
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Qual é a função do fotodíodo em circuitos de comando?
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Por que os díodos emissores de luz (LEDs) são usados em circuitos de comando?
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Quais são as características do díodo Zener que permitem trabalhar com polarizações inversas em baixas potências?
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Quais são as limitações de frequência de comutação do transístor bipolar de potência (BJT) e do transístor de efeito campo (MOSFET)?
Quais são as limitações de frequência de comutação do transístor bipolar de potência (BJT) e do transístor de efeito campo (MOSFET)?
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O que limita a área segura de operação (SOA) do transístor bipolar de potência (BJT) e do transístor de efeito campo (MOSFET)?
O que limita a área segura de operação (SOA) do transístor bipolar de potência (BJT) e do transístor de efeito campo (MOSFET)?
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O que caracteriza as limitações do tiristor em relação às frequências de comutação?
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Como o TRIAC se diferencia do tiristor?
Como o TRIAC se diferencia do tiristor?
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Qual é a principal diferença entre os dispositivos GTO (gate turn off) e IGCT (Insulated Gate Commutated Thyristor)?
Qual é a principal diferença entre os dispositivos GTO (gate turn off) e IGCT (Insulated Gate Commutated Thyristor)?
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Study Notes
Díodos de Potência
- Os díodos de potência têm sua frequência de comutação limitada pelos tempos de passagem condução-corte.
Díodos Específicos
- O díodo Schotky apresenta maior queda de tensão do que o díodo de silício.
- O fotodíodo permite criar pares eletrão-buraco através da radiação visível.
- O LED aproveita a absorção de radiação para funcionar como gerador em circuitos de comando.
Transistores
- O transístor bipolar de potência (BJT) tem uma frequência de comutação maior do que o transístor de efeito campo (MOSFET).
- O TRIAC é equivalente a dois tiristores ligados em série, com uma gate comum.
- O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tem queda de tensão em condução quase constante.
Materiais Semicondutores
- Os materiais semicondutores usados incluem silício tradicional, carbeto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN).
Transistores GTO e IGCT
- Os transistores GTO (gate turn off) têm correntes de gate ao corte muito baixas.
- A principal diferença entre os dispositivos GTO (gate turn off) e IGCT (Insulated Gate Commutated Thyristor) é a corrente de gate ao corte.
Limitações
- A principal limitação dos díodos de potência em relação à frequência de comutação é o tempo de passagem condução-corte.
- A área segura de operação (SOA) do transístor bipolar de potência (BJT) e do transístor de efeito campo (MOSFET) é limitada pela frequência de comutação e pela corrente de gate ao corte.
- O tiristor tem limitações em relação às frequências de comutação devido ao tempo de passagem condução-corte.
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Description
This quiz covers the basics of power electronics, focusing on power processing and electronic switching devices such as power diodes. The limitations and characteristics of power diodes are also discussed.