20 Questions
Os díodos de potência baseiam-se no processamento de informação.
False
Os tempos de passagem condução-corte limitam as frequências de comutação dos díodos de potência.
True
O díodo Schotky tem maior queda de tensão do que o díodo de silício.
False
O fotodíodo permite criar pares eletrão-buraco através da radiação visível.
True
O LED aproveita a absorção de radiação para funcionar como gerador em circuitos de comando.
False
O transístor bipolar de potência (BJT) tem uma frequência de comutação maior do que o transístor de efeito campo (MOSFET).
False
O TRIAC é equivalente a dois tiristores ligados em série, com uma gate comum.
False
O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tem queda de tensão em condução quase constante.
True
Os materiais semicondutores usados incluem silício tradicional, carbeto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN).
True
Os transistores GTO (gate turn off) têm correntes de gate ao corte muito baixas.
False
Qual é a principal limitação dos díodos de potência em relação à frequência de comutação?
Tempos de passagem condução-corte
Qual é a principal diferença entre o díodo Schotky e o díodo de Silício?
O díodo Schotky tem menor queda de tensão
Qual é a função do fotodíodo em circuitos de comando?
Criar pares eletrão-buraco através da radiação visível
Por que os díodos emissores de luz (LEDs) são usados em circuitos de comando?
Para aproveitar a emissão de radiação resultante da recombinação de pares eletrão-buraco
Quais são as características do díodo Zener que permitem trabalhar com polarizações inversas em baixas potências?
Permite trabalhar com polarizações inversas aproveitando a tensão de rutura
Quais são as limitações de frequência de comutação do transístor bipolar de potência (BJT) e do transístor de efeito campo (MOSFET)?
Para o BJT, a frequência de comutação é limitada pelo turn off time; para o MOSFET, é limitada pelas capacidades parasitas.
O que limita a área segura de operação (SOA) do transístor bipolar de potência (BJT) e do transístor de efeito campo (MOSFET)?
O BJT tem sua área segura de operação limitada pela tensão de ruptura (1000 V) e corrente (800 A); o MOSFET, pela tensão de ruptura (1000 V) e corrente (100 A).
O que caracteriza as limitações do tiristor em relação às frequências de comutação?
As limitações do tiristor em relação às frequências de comutação são determinadas pelo turn off time e turn on time, impondo frequências na ordem das centenas de Hz.
Como o TRIAC se diferencia do tiristor?
O TRIAC é equivalente a dois tiristores ligados em antiparalelo, com uma gate comum, enquanto o tiristor funciona apenas como um interruptor de comando à condução.
Qual é a principal diferença entre os dispositivos GTO (gate turn off) e IGCT (Insulated Gate Commutated Thyristor)?
Enquanto o GTO tem correntes de gate ao corte muito elevadas, o IGCT evoluiu para ter um comando como um MOS e condução como um tiristor.
Study Notes
Díodos de Potência
- Os díodos de potência têm sua frequência de comutação limitada pelos tempos de passagem condução-corte.
Díodos Específicos
- O díodo Schotky apresenta maior queda de tensão do que o díodo de silício.
- O fotodíodo permite criar pares eletrão-buraco através da radiação visível.
- O LED aproveita a absorção de radiação para funcionar como gerador em circuitos de comando.
Transistores
- O transístor bipolar de potência (BJT) tem uma frequência de comutação maior do que o transístor de efeito campo (MOSFET).
- O TRIAC é equivalente a dois tiristores ligados em série, com uma gate comum.
- O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tem queda de tensão em condução quase constante.
Materiais Semicondutores
- Os materiais semicondutores usados incluem silício tradicional, carbeto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN).
Transistores GTO e IGCT
- Os transistores GTO (gate turn off) têm correntes de gate ao corte muito baixas.
- A principal diferença entre os dispositivos GTO (gate turn off) e IGCT (Insulated Gate Commutated Thyristor) é a corrente de gate ao corte.
Limitações
- A principal limitação dos díodos de potência em relação à frequência de comutação é o tempo de passagem condução-corte.
- A área segura de operação (SOA) do transístor bipolar de potência (BJT) e do transístor de efeito campo (MOSFET) é limitada pela frequência de comutação e pela corrente de gate ao corte.
- O tiristor tem limitações em relação às frequências de comutação devido ao tempo de passagem condução-corte.
This quiz covers the basics of power electronics, focusing on power processing and electronic switching devices such as power diodes. The limitations and characteristics of power diodes are also discussed.
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