Elektronik: Ohmsches Gesetz und Transistoren

Beschreibt den Zusammenhang zwischen Spannung (U), Widerstand (R) und Stromstärke (I) in einem elektrischen Stromkreis. Formel: U = R * I

Elektrische Druckdifferenz, die den Stromfluss antreibt

Eigenschaft eines Materials, den Stromfluss zu behindern

Menge an Ladung, die pro Zeiteinheit fließt

Halbleiterbauelement zur Steuerung und Verstärkung von elektrischem Strom

Eine Art Transistor mit drei Schichten: Emitter, Basis und Kollektor. In der Mitte leichte Dotierung, der Strom fließt vom Emitter zum Kollektor

Eine Art Transistor mit drei Schichten: Emitter, Basis und Kollektor. In der Mitte leichte Dotierung, der Strom fließt vom Kollektor zum Emitter

Die drei Schichten (Emitter, Basis, Kollektor) in einem Transistor, die aus unterschiedlich dotiertem Halbleitermaterial bestehen.

Das Einbringen von Fremdatomen in ein Halbleitermaterial, um dessen elektrische Leitfähigkeit zu beeinflussen.

Beschreibt den Zusammenhang zwischen Spannung, Widerstand und Stromstärke in einem Stromkreis.

Elektrischer Druck, der den Stromfluss antreibt.

Hemmt den Stromfluss.

Menge an Ladung pro Zeiteinheit.

Ein Bauelement zur Steuerung und Verstärkung von Strom.

Transistor-Typ, Strom fließt Emitter → Kollektor.

Transistor-Typ, Strom fließt Kollektor → Emitter.

Die Schichten eines Transistors (Emitter, Basis, Kollektor).

Fremdatome in Halbleitermaterial, beeinflussen Leitfähigkeit.