電子學（上）隨堂測驗卷 PDF

電子學（上）隨堂測驗卷 得 分 科 年 班 第一回 姓名： CH1 座號： I 選 擇 題 ： （ 每...

電子學（上）隨堂測驗卷 得 分 科 年 班 第一回 姓名： CH1 座號： I 選 擇 題 ： （ 每 題 4 分 ， 共 計 100 分 ） ( D )1. 電 子 元 件 發 展 的 三 個 時 期 ， 依 序 為 (A)真 空 管 、 積 體 電 路 、 電 晶 體 (B)積 體 電 路 、 真 空 管 、 電 晶 體 (C)電 晶 體 、 真 空 管 、 積 體 電 路 (D)真 空 管 、 電 晶 體 、 積 體 電 路 【 1-1】 ( D )2. 超 大 型 積 體 電 路 （ VLSI） 每 個 晶 片 上 的 元 件 數 目 約 為 ？ (A)10～ 100個 (B)100～ 1000個 (C)1000～ 10000個 (D)10000個 以 上 【 1-1】 ( C )3. 有 一 正 弦 波 信 號 為 v(t ) = 10 2 sin(377t + 30°) V ， 此 信 號 週 期 為 1 1 (A)60秒 (B)377秒 (C) 秒 (D) 秒 【 1-2】 60 377 1 ( D )4. 承 上 題 ， 求 當 t = 秒時之電壓瞬間值為 360 (A)0V (B) 5 2 V (C) 5 6 V (D) 10 2 V 【 1-2】 ( D )5. 有 一 週 期 性 脈 波 ， 其 頻 率 為 100kHz， 若 其 工 作 週 期 為 20%， 則 此 脈 波 之 脈 波 寬 度 為 (A) 20µ s (B) 10μ s (C) 5µ s (D) 2µ s 【 1-2】 ( D )6. 峰 對 峰 值 為 40 2 伏 特 之 正 弦 電 壓 ， 其 有 效 值 為 多 少 伏 特 ？ (A) 40 2 (B) 20 2 (C)40 (D)20 【 1-2】 ( D )7. 一 般 市 電 所 標 示 的 AC110V或 是 AC220V， 代 表 的 是 (A)峰 值 電 壓 (B)平 均 值 電 壓 (C)峰 對 峰 值 (D)有 效 值 電 壓 【 1-2】 ( B )8. 某 電 路 工 作 於 1kHz， 該 電 路 上 某 一 點 的 電 壓 與 電 流 間 的 相 位 差 為 45° ， 此 相 位 差表示在時間上的差為多少？ (A)0.5ms (B)0.125ms (C)0.1ms (D)0.001ms 【 1-2】 ( C )9. 有 一 弦 波 電 壓 信 號 ， 其 時 間 式 為 v(t ) = 10 2 cos(6280t + 30°) 伏 特 ， 則 此 電 壓 信 號的週期與有效值分別為 (A)10ms， 10V (B)10ms， 10 2 V (C)1ms， 10V (D)1ms， 10 2 V 【 1-2】 ( B )10. 一 正 弦 交 流 電 壓 之 峰 對 峰 220 2 V ， 則 其 電 壓 之 有 效 值 為 (A) 110 2 V (B)110V (C) 55 2 V (D)55V 【 1-2】 ( A )11. 有 關 波 形 因 數 值 ， 下 列 敘 述 何 者 正 確 ？ (A)三 角 波 為 1.15 (B)三 角 波 為 1 (C)方 波 為 0.5 (D)正 弦 波 為 0.71 【 1-2】 ( A )12. 電 流 i (t ) = 3 + 4 2 sin 377t A ， 其 電 流 平 均 值 為 (A)3A (B)4A (C)5A (D)10A 【 1-2】 旗立發行 (第1回試卷，第1頁，共3頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( B )13. 如 圖 (1)所 示 電 壓 波 形 ， 其 平 均 值 為 (A)20V (B)10V (C) − 10V (D) − 20V 【 1-2】 e 40V 10V t 1 2 3 4 5 6 −20V 圖 (1) ( C )14. 若 正 弦 波 電 壓 信 號 v(t ) = 0.1 sin(1000π t ) V ， 則 下 列 敘 述 何 者 正 確 ？ (A)有 效 值 為 0.1V (B)平 均 值 為 0.05V (C)頻 率 為 500Hz (D)時 間 t = 0.01 秒 時 ， 其 電 壓 值 為 0.1V 【 1-2】 ( B )15. 如 圖 (2) 所 示 之 v1 (t ) 為 週 期 性 電 壓 波 形 ， 若 v1 (t ) VP = 10 V ， T1 = 2 s ， T2 = 3 s ， 則 其 工 作 週 期 T2 （ duty cycle） 為 何 ？ VP (A)30% (B)40% t (s) (C)60% T1 (D)80% 【 1-2】 圖 (2) ( B )16. 一 週 期 性 脈 波 信 號 其 正 峰 值 電 壓 為 + 10V ， 負 峰 值 電 壓 為 − 2V 。 若 此 信 號 的 平 均 值 為 + 5.2V ， 則 工 作 週 期 （ duty cycle） 約 為 下 列 何 值 ？ (A)70% (B)60% (C)50% (D)40% 【 1-2】 ( A )17. 兩 電 壓 v1 (t ) = 8 cos(20π t + 13°) V 及 v2 (t ) = 4 sin(20π t + 45°) V ， 則 兩 電 壓 之 相 位 差 為 多 少 度 ？ (A) 58° (B) 45° (C) 32° (D) 13° 【 1-2】 ( A )18. 某 電 壓 v(t ) = 4 2 + 6 sin 377t V ， v(t)之 最 大 值 為 何 ？ (A)11.66V (B)10.66V (C)6.66V (D)5.66V 【 1-2】 ( C )19. 示 波 器 量 測 週 期 性 信 號 ， 時 間 軸 每 一 格 的 單 位 為 5ms/div； 若 該 信 號 每 一 週 期 的 寬 度 為 2格 ， 則 此 信 號 的 頻 率 為 何 ？ (A)10Hz (B)20Hz (C)100Hz (D)200Hz 【 1-2】 ( B )20. 以 示 波 器 測 量 某 弦 波 輸 出 波 形 如 圖 (3) 所 示 ， 已 知 示 波 器 的 設 定 ： 時 基 = 0.2 ms / div ， 振 幅 = 0.1 V / div ， 波 形 的 頻 率 與 峰 對 峰 值 為 何 ？ (A)5kHz、 3V (B)1kHz、 0.5V (C)5kHz、 0.5V (D)1kHz、 3V 【 1-2】 圖 (3) 旗立發行 (第1回試卷，第2頁，共3頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( A )21. 有 一 電 壓 源 v(t ) = − 2 2 + 4 sin 5t V ， 其 有 效 值 電 壓 與 平 均 值 電 壓 比 約 為 何 ？ (A) − 2 (B) − 2 (C) 2 (D)2 【 1-2】 ( B )22. 某 脈 波 之 工 作 週 期 D = 25% ， 若 脈 波 寬 度 為 20µ s ， 則 此 脈 波 之 頻 率 為 多 少 ？ (A)5kHz (B)12.5kHz (C)15.5kHz (D)50kHz 【 1-2】 ( C )23. 交 流 正 弦 波 的 波 形 因 數 （ form factor） 為 多 少 ？ (A)0.637 (B)0.707 (C)1.11 (D)1.414 【 1-2】 ( B )24. 有 一 脈 波 ， 其 脈 波 寬 度 為 200µ s ， 若 頻 率 為 1kHz， 峰 值 電 壓 為 5V， 則 其 工 作 週 期 （ duty cycle） 為 若 干 ？ (A)40% (B)20% (C)10% (D)5% 【 1-2】 ( D )25. 有 A、 B兩 個 獨 立 電 壓 源 ， A串 接 一 個 50Ω 的 負 載 電 阻 ， B亦 串 接 一 個 50Ω 的 負 載 電 阻 。 A輸 出 之 電 壓 為 脈 波 ， 其 工 作 週 期 （ duty cycle） 為 36%， 高 準 位 電 壓 為 5V， 低 準 位 電 壓 為 0V， 頻 率 為 50Hz； B輸 出 之 電 壓 為 5 sin(100t )V 。 則 下 列 敘 述 何 者 錯 誤 ？ （ 0.36 = 0.6 ， 2 = 1.414 ） (A)A的 電 壓 頻 率 較 B高 (B)A輸 出 的 平 均 功 率 較 B低 (C)A的 平 均 值 電 壓 較 B低 （ 正 弦 波 以 半 週 期 計 算 ） (D)A的 有 效 值 電 壓 較 B高 【 1-2】 旗立發行 (第1回試卷，第3頁，共3頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  電子學（上）隨堂測驗卷 得 分 科 年 班 第二回 姓名： CH2-1～CH2-2 座號： I 選 擇 題 ： （ 每 題 4 分 ， 共 計 100 分 ） ( B )1. 一 個 電 子 的 電 量 為 多 少 庫 倫 ？ (A) + 1.6 × 10−19 (B) − 1.6 × 10−19 (C) + 1.6 × 10−23 (D) − 1.6 × 10−23 【 2-1】 ( D )2. 電 子 分 布 在 以 原 子 核 為 中 心 的 同 心 球 上 ， 從 內 向 外 分 別 為 n = 1 、 2、 3… 等 殼 層 （ 或 稱 K、 L、 M… 殼 層 ） ， M殼 層 最 多 可 容 納 的 電 子 數 目 為 多 少 ？ (A)3 (B)6 (C)9 (D)18 【 2-1】 ( C )3. 下 列 敘 述 何 者 有 誤 ？ (A)原 子 最 外 層 軌 道 上 的 電 子 ， 稱 為 價 電 子 （ valence electron） (B)自 然 界 以 最 外 層 價 電 子 數 為 8個 的 元 素 最 為 安 定 (C)矽 是 半 導 體 材 料 ， 原 子 序 為 14， 所 以 矽 原 子 有 14個 中 子 與 14個 電 子 (D)矽 原 子 的 價 電 子 數 為 4個 【 2-1】 ( C )4. 有 關 鍺 （ Ge） 原 子 的 敘 述 何 者 有 誤 ？ (A)原 子 序 32 (B)價 電 子 數 為 4個 (C)比 矽 （ Si） 更 容 易 生 成 氧 化 層 (D)鍺 半 導 體 的 導 電 性 能 較 靈 敏 ， 但 漏 電 流 較 大 【 2-1】 ( D )5. 下 列 有 關 對 矽 、 鍺 二 極 體 之 敘 述 ， 何 者 錯 誤 ？ (A)矽 的 原 子 較 小 (B)矽 的 漏 電 流 較 小 (C)矽 的 溫 度 穩 定 性 較 佳 (D)矽 的 能 隙 較 大 ， 導 電 性 較 佳 【 2-1】 ( C )6. 有 關 本 質 半 導 體 （ Intrinsic semiconductor） 的 敘 述 何 者 有 誤 ？ (A)是 指 未 摻 入 雜 質 的 半 導 體 (B)帶 電 荷 的 載 子 有 兩 種 ， 就 是 自 由 電 子 與 電 洞 (C)電 子 濃 度 不 等 於 電 洞 濃 度 (D)本 質 半 導 體 的 載 子 濃 度 很 接 近 絕 緣 體 【 2-1】 ( A )7. 下 列 有 關 電 子 能 帶 的 敘 述 何 者 有 誤 ？ (A) 傳 導 帶 ： 物 質 中 電 子 能 夠 自 由 移 動 的 能 階 範 圍 ， 在 此 區 活 動 的 電 子 稱 為 價 電子 (B) 價 電 帶 ： 最 外 層 電 子 所 佔 據 的 能 帶 (C) 禁 止 帶 （ 能 階 ） ： 傳 導 帶 與 價 電 帶 之 間 的 能 量 距 離 (D) 絕 緣 體 的 禁 止 帶 最 寬 【 2-1】 旗立發行 (第2回試卷，第1頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( D )8. 下 列 敘 述 何 者 有 誤 ？ (A) 純 矽 或 鍺 在 0K時 ， 所 有 的 價 電 子 都 被 共 價 鍵 所 束 縛 ， 無 自 由 的 載 子 ， 可 視 為絕緣體 (B) 電 子 由 價 電 帶 進 入 傳 導 帶 所 需 的 能 量 ： 鍺 約 為 0.7eV， 矽 約 為 1.1eV (C) 1eV = 1.6 × 10 −19 焦 耳 (D) 電 子 伏 特 eV是 電 壓 單 位 【 2-1】 ( B )9. 下 列 有 關 電 子 -電 洞 的 敘 述 何 者 有 誤 ？ (A)電 洞 的 移 動 實 際 是 由 電 子 移 動 所 造 (B)電 洞 的 移 動 速 度 較 電 子 的 移 動 速 快 (C)本 質 半 導 體 中 的 電 子 -電 洞 數 量 遠 低 於 原 子 的 數 量 (D)以 電 流 觀 點 而 言 ， 電 洞 是 一 正 電 荷 ， 其 所 帶 的 電 量 與 電 子 相 同 【 2-1】 ( D )10. 由 於 半 導 體 內 的 電 子 或 電 洞 濃 度 不 均 ， 濃 度 高 的 載 子 會 往 濃 度 低 的 區 域 移 動，而形成的電流稱為 (A)渦 電 流 (B)過 渡 電 流 (C)漂 移 電 流 (D)擴 散 電 流 【 2-1】 ( C )11. 下 列 有 關 摻 雜 （ doping） 的 敘 述 ， 何 者 錯 誤 ？ (A)將 雜 質 加 入 純 半 導 體 內 的 過 程 (B)可 精 確 的 控 制 半 導 體 的 導 電 性 (C)純 矽 加 入 5價 元 素 ， 可 成 P型 半 導 體 (D)加 入 的 5價 元 素 ， 例 如 磷 （ P） 、 砷 （ As） 、 銻 （ Sb） ， 稱 為 施 體 【 2-1】 ( C )12. 下 列 有 關 質 量 作 用 定 律 敘 述 ， 何 者 有 誤 ？ (A) 在 熱 平 衡 的 條 件 下 ， 半 導 體 內 自 由 電 子 濃 度 （ n） 與 電 洞 濃 度 （ p） 的 乘 積 為定值 (B) n × p = ni2 ， ni 代 表 未 摻 雜 前 之 本 質 半 導 體 的 電 子 （ 洞 ） 濃 度 (C) ni 與 溫 度 無 關 (D) 在 熱 平 衡 的 條 件 下 無 論 是 本 質 半 導 體 或 是 外 質 半 導 體 都 符 合 質 量 作 用 定 律 【 2-1】 ( D )13. P型 半 導 體 與 N型 半 導 體 結 合 時 ， 在 PN接 合 面 上 會 形 成 空 乏 區 ， 此 空 乏 區 內 (A)電 場 方 向 由 P指 向 N (B)沒 有 任 何 電 荷 (C)接 面 的 電 場 強 度 最 弱 (D)只 有 不 可 移 動 的 離 子 【 2-2】 ( D )14. 下 列 有 關 空 乏 區 的 敘 述 何 者 有 誤 ？ (A)空 乏 區 的 形 成 主 要 原 因 是 因 為 外 加 的 電 壓 所 造 成 (B)P型 端 帶 負 電 受 體 離 子 (C)分 開 的 正 負 電 荷 在 空 乏 區 內 形 成 電 場 ， 阻 止 電 子 與 電 洞 的 移 動 (D)在 平 衡 狀 態 下 ， 接 面 所 形 成 的 電 位 差 稱 為 障 壁 電 勢 【 2-2】 ( A )15. 二 極 體 外 加 順 向 偏 壓 時 ， 下 列 敘 述 何 者 正 確 ？ (A)順 向 電 流 隨 電 壓 增 加 而 增 加 ， 空 乏 區 隨 電 壓 增 加 而 減 小 (B)順 向 電 流 隨 電 壓 增 加 而 減 小 ， 空 乏 區 隨 電 壓 增 加 而 減 小 (C)順 向 電 流 隨 電 壓 增 加 而 減 小 ， 空 乏 區 隨 電 壓 增 加 而 增 加 (D)順 向 電 流 隨 電 壓 增 加 而 減 小 ， 空 乏 區 隨 電 壓 增 加 而 減 小 【 2-2】 旗立發行 (第2回試卷，第2頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( C )16. 二 極 體 外 加 逆 向 偏 壓 時 ， 下 列 敘 述 何 者 錯 誤 ？ (A) 空 乏 區 寬 度 變 寬 (B) 障 壁 電 壓 增 加 (C) 外 加 電 壓 小 於 崩 潰 電 壓 ， 進 入 空 乏 區 的 少 數 載 子 隨 逆 向 偏 壓 而 大 幅 改 變 (D) 外 加 電 壓 增 加 超 過 崩 潰 電 壓 ， 產 生 大 量 的 少 數 載 子 造 成 PN接 面 形 成 短 路 ， 當功率過大時元件損毀 【 2-2】 ( C )17. 在 室 溫 下 ， 一 般 矽 質 二 極 體 導 通 時 ， 兩 端 的 電 位 差 為 多 少 ？ (A)1.2V (B)0.9V (C)0.7V (D)0.3V 【 2-2】 ( A )18. 使 用 三 用 電 表 之 電 阻 檔 來 測 量 二 極 體 ， 假 設 二 極 體 的 順 向 電 阻 為 R1 、 逆 向 電 阻 為 R2 ， 若 二 極 體 為 良 好 ， 則 下 列 敘 述 何 者 正 確 ？ (A) R1 的 值 非 常 小 ， R2 的 值 非 常 大 (B) R1 及 R2 的 值 都 非 常 小 (C) R1 的 值 非 常 大 ， R2 的 值 非 常 小 (D) R1 及 R2 的 值 都 非 常 大 【 2-2】 ( C )19. 下 列 有 關 二 極 體 特 性 的 敘 述 ， 何 者 錯 誤 ？ (A)溫 度 上 升 時 ， 切 入 電 壓 隨 之 降 低 (B)逆 向 飽 和 電 流 隨 溫 度 上 升 而 增 加 (C)擴 散 電 容 效 應 主 要 發 生 在 逆 向 偏 壓 時 (D)逆 向 偏 壓 越 大 時 ， 則 空 乏 區 電 容 越 小 【 2-2】 ( D )20. 在 室 溫 下 ， 一 般 鍺 質 二 極 體 導 通 時 ， 兩 端 的 電 位 差 為 多 少 ？ (A)1.2V (B)0.9V (C)0.7V (D)0.2V 【 2-2】 ( D )21. 下 列 有 關 二 極 體 PN接 面 之 電 容 的 敘 述 ， 何 者 錯 誤 ？ (A)過 渡 電 容 之 電 容 量 與 逆 向 偏 壓 成 反 比 (B)過 渡 電 容 之 電 容 量 與 PN接 面 之 截 面 積 成 正 比 (C)擴 散 電 容 之 電 容 量 與 順 向 偏 壓 成 正 比 (D)擴 散 電 容 量 之 電 容 與 電 洞 之 平 均 壽 命 無 關 【 2-2】 ( B )22. 下 列 I-V特 性 曲 線 中 ， 何 者 代 表 理 想 二 極 體 （ VK 為 切 入 電 壓 ） ？ 【 2-2】 (A) I (B) I V V VK VK (C) I (D) I V V VK VK ( A )23. 矽 製 二 極 體 65°C 時 的 逆 向 飽 和 電 流 為 48µA ， 試 求 於 25°C 時 的 逆 向 飽 和 電 流 大 小 為 何 ？ (A) 3µA (B) 6µA (C) 12µA (D) 24µA 【 2-2】 旗立發行 (第2回試卷，第3頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( C )24. 矽 製 二 極 體 25°C 時 的 切 入 電 壓 為 0.6V， 試 求 65°C 時 切 入 電 壓 為 何 ？ (A)0.7V (B)0.6V (C)0.5V (D)0.4V 【 2-2】 ( C )25. 下 列 有 關 二 極 體 量 測 的 敘 述 何 者 有 誤 ？ (A) 若 以 三 用 電 表 量 測 ， 黑 棒 （ 正 極 ） 接 二 極 體 陽 極 ， 紅 棒 （ 負 極 ） 接 二 極 體 陰極，應顯示低電阻狀態 (B) 若 以 三 用 電 表 量 測 ， 黑 棒 （ 正 極 ） 接 二 極 體 陰 極 ， 紅 棒 （ 負 極 ） 接 二 極 體 陽極，應顯示高電阻狀態 (C) 將 交 流 電 源 與 一 電 阻 和 二 極 體 串 接 ， 以 示 波 器 探 棒 連 接 二 極 體 兩 端 ， 若 二 極體視為理想元件，當二極體順偏，看到的波形為正半週輸入波形 (D) 若 觀 察 到 的 負 半 週 波 形 振 幅 減 小 ， 代 表 漏 電 流 有 變 大 的 趨 勢 【 2-2】 旗立發行 (第2回試卷，第4頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  電子學（上）隨堂測驗卷 得 分 科 年 班 第三回 姓名： CH2-3～CH2-5 座號： I 選 擇 題 ： （ 每 題 4 分 ， 共 計 100 分 ） ( D )1. 稽 納 二 極 體 最 常 應 用 於 (A)整 流 電 路 (B)檢 波 電 路 (C)振 盪 電 路 (D)穩 壓 電 路 【 2-3】 ( C )2. 下 列 何 者 是 稽 納 二 極 體 的 電 路 符 號 ？ 【 2-3】 (A) (B) (C) (D) ( D )3. 下 列 敘 述 ， 何 者 有 誤 ？ (A) 一 般 二 極 體 受 逆 偏 壓 區 時 ， 大 部 分 的 狀 況 下 ， 幾 乎 都 不 會 有 電 流 流 過 (B) 逆 偏 壓 大 於 某 個 電 壓 後 ， 流 過 二 極 體 的 電 流 就 會 快 速 增 加 。 這 個 電 壓 稱 之 為「崩潰電壓」 (C) 對 於 大 部 分 的 一 般 二 極 體 來 說 ， 崩 潰 是 個 不 可 逆 的 反 應 ， 也 就 是 崩 潰 一 旦 發生，通常伴隨著不可逆的損壞 (D) 稽 納 二 極 體 是 一 種 經 過 特 別 製 程 製 造 的 二 極 體 ， 它 的 逆 向 崩 潰 電 壓 比 一 般 二極體高，而且它的崩潰現象是不可逆的 【 2-3】 ( D )4. 稽 納 二 極 體 的 應 用 ， 通 常 工 作 在 (A)順 向 偏 壓 非 崩 潰 區 (B)順 向 偏 壓 崩 潰 區 (C)逆 向 偏 壓 非 崩 潰 區 (D)逆 向 偏 壓 崩 潰 區 【 2-3】 ( B )5. 下 列 有 關 稽 納 二 極 體 的 敘 述 何 者 有 誤 ？ (A)改 變 摻 雜 程 度 即 可 控 制 稽 納 電 壓 的 大 小 (B)摻 雜 濃 度 增 加 ， 稽 納 電 壓 變 大 (C)一 般 稽 納 二 極 體 採 用 矽 的 原 因 是 因 為 矽 可 承 受 較 高 的 溫 度 與 電 流 (D)又 稱 為 崩 潰 二 極 體 【 2-3】 ( C )6. 當 一 VZ = 10 V ， 溫 度 係 數 為 + 0.072% 的 稽 納 二 極 體 ， 當 接 面 溫 度 升 高 攝 氏 1°C 時 ， VZ 將 如 何 變 化 ？ (A)增 加 0.72V (B)增 加 0.072V (C)增 加 0.0072V (D)增 加 0.00072V 【 2-3】 ( B )7. 稽 納 二 極 體 因 逆 向 偏 壓 造 成 的 強 大 電 場 ， 吸 引 出 大 量 的 價 電 子 ， 造 成 大 量 的 電流現象稱為 (A)累 增 效 應 (B)稽 納 效 應 (C)穿 透 效 應 (D)壓 電 效 應 【 2-3】 ( A )8. 有 一 崩 潰 電 壓 為 16V的 稽 納 二 極 體 ， 若 20mA的 稽 納 電 流 變 化 ， 對 應 有 0.2V的 稽 納 電 壓 改 變 ， 則 稽 納 電 阻 為 何 ？ (A) 10Ω (B) 1Ω (C) 20Ω (D) 2Ω 【 2-3】 ( C )9. 有 一 崩 潰 電 壓 為 12V的 稽 納 二 極 體 ， 若 50mA的 稽 納 電 流 變 化 ， 對 應 有 0.1V的 稽 納 電 壓 改 變 ， 當 流 過 的 稽 納 電 流 為 100mA 時 ， 則 稽 納 二 極 體 兩 端 壓 降 為 何 ？ (A)12V (B)12.1V (C)12.2V (D)0V 【 2-3】 旗立發行 (第3回試卷，第1頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( A )10. 有 關 發 光 二 極 體 LED發 出 光 線 的 顏 色 的 敘 述 ， 何 者 正 確 ？ (A)因 材 料 的 不 同 而 發 出 不 同 顏 色 的 光 線 (B)因 偏 壓 的 不 同 而 發 出 不 同 顏 色 的 光 線 (C)因 電 流 的 不 同 而 發 出 不 同 顏 色 的 光 線 (D)因 尺 寸 的 不 同 而 發 出 不 同 顏 色 的 光 線 【 2-4】 ( C )11. 下 列 關 於 發 光 二 極 體 特 性 之 敘 述 ， 何 者 為 是 ？ (A)操 作 於 反 向 偏 壓 下 (B)所 發 光 之 波 長 與 電 流 大 小 有 關 (C)所 發 光 之 波 長 與 半 導 體 能 隙 有 關 (D)電 流 愈 大 ， 波 長 愈 短 【 2-4】 ( A )12. 有 關 LED的 敘 述 何 者 不 正 確 ？ (A) 平 均 使 用 壽 命 比 加 熱 式 燈 具 低 (B) 電 子 與 電 洞 將 相 偕 面 移 動 且 於 接 面 再 結 合 ， 此 一 再 結 合 ， 能 量 以 光 的 形 式 釋放 (C) 發 光 二 極 體 屬 於 冷 性 發 光 (D) 反 應 （ 開 關 ） 時 間 快 ， 可 以 達 到 很 高 的 閃 爍 頻 率 【 2-4】 ( B )13. 早 期 的 發 光 二 極 體 晶 粒 邊 長 大 約 1毫 米 （ mm） ， 隨 著 技 術 進 步 ， 目 前 廠 商 已 開 發 出 尺 寸 更 小 ， 晶 粒 邊 長 小 於 100微 米 （ µ m ） 的 發 光 二 極 體 ， 應 用 在 耗 電 量低、發光效率佳、色彩飽和度高的手機面板，這樣的發光二極體稱為 (A)Mini LED (B)Micro LED (C)OLED (D)HLED 【 2-4】 ( A )14. 小 明 想 要 設 計 一 LED電 路 ， 如 圖 (1)所 示 。 若 LED的 順 向 壓 降 為 1.7V， 且 小 明 想 要 讓 LED的 電 流 控 制 在 10mA， 則 限 流 電 阻 R應 為 多 少 ？ (A) 330Ω (B) 660Ω (C) 990Ω (D) 1kΩ 【 2-4】 R + + 5V 1.7 V − − 圖 (1) ( B )15. 將 交 流 的 輸 入 信 號 轉 成 直 流 輸 出 的 電 路 為 ？ (A)濾 波 電 路 (B)整 流 電 路 (C)箝 位 電 路 (D)升 壓 電 路 【 2-5】 ( B )16. 如 圖 (2)電 路 所 示 ， 下 列 敘 述 何 者 正 確 ？ (A)方 塊 甲 內 為 半 波 整 流 電 路 (B)方 塊 甲 內 為 全 波 整 流 電 路 (C)方 塊 乙 內 為 電 壓 調 整 電 路 (D)方 塊 乙 內 為 濾 波 電 路 【 2-5】 保險絲 變壓器 插座 甲 乙 丙 負載 t t t t t 圖 (2) 旗立發行 (第3回試卷，第2頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( C )17. 下 列 有 關 二 極 體 整 流 電 路 的 敘 述 何 者 有 誤 ？ (A) 全 波 整 流 電 路 的 輸 出 信 號 頻 率 為 輸 入 信 號 頻 率 的 2倍 (B) 全 波 整 流 電 路 的 輸 出 信 號 平 均 值 為 半 波 整 流 電 路 輸 出 信 號 平 均 值 的 2倍 (C) 橋 式 全 波 整 流 電 路 使 用 的 二 極 體 ， PIV為 中 央 抽 頭 式 全 波 整 流 電 路 的 2倍 (D) 橋 式 全 波 整 流 電 路 使 用 的 二 極 體 數 量 為 中 央 抽 頭 式 全 波 整 流 電 路 二 極 體 數 量 的 2倍 【 2-5】 ( C )18. 如 圖 (3)所 示 電 路 ， 二 極 體 為 理 想 ， 負 載 消 耗 的 有 效 電 壓 為 何 ？ （ 2 = 1.4 ） (A)8.4V (B)6V (C)4.2V (D)0V 【 2-5】 110V 6V AC 110V VAC RL 1kΩ 電源 0V 0V 圖 (3) ( B )19. 二 極 體 的 半 波 整 流 電 路 如 圖 (4) 所 示 ， 二 極 體 D1 的 導 D1 通 電 壓 為 0.7V ， 導 通 電 阻 忽 略 不 計 ， R1 = 100 Ω ， + + vi = 5 2 sin 377t V 。 輸 出 電 壓 vo 的 平 均 值 及 流 經 二 極 vi R1 vo 體電流最大值約為 − − (A)1.414V、 63.7mA 圖 (4) (B)2V、 63.7mA (C)5V、 31.8mA (D)7V、 63.7mA 【 2-5】 ( A )20. 圖 (5)為 某 生 作 實 驗 的 電 路 圖 ， 量 vo 端 波 形 時 發 現 漣 波 因 數 太 大 ， 下 列 何 者 不 是降低漣波因數的可行做法？ (A)將 二 極 體 反 接 (B)增 加 電 容 C的 值 (C)增 加 電 阻 RL 的 值 (D)增 加 vi 的 頻 率 【 2-5】 + + vi C vC RL vo − − 圖 (5) ( B )21. 單 相 中 間 抽 頭 變 壓 器 型 二 極 體 全 波 整 流 電 路 中 ， 其 輸 出 電 壓 平 均 值 為 50V， 負 載 為 純 電 阻 ， 則 每 個 二 極 體 之 逆 向 峰 值 電 壓 （ PIV） 約 為 多 少 伏 特 ？ (A)173 (B)157 (C)79 (D)50 【 2-5】 ( A )22. 有 關 輸 入 、 輸 出 電 壓 與 容 量 規 格 皆 相 同 之 理 想 二 極 體 全 波 整 流 電 路 的 比 較 ， 下列敘述何者正確？ 1 (A)橋 式 整 流 電 路 之 二 極 體 逆 向 耐 壓 需 求 為 中 間 抽 頭 式 整 流 電 路 之 2 1 (B)中 間 抽 頭 式 整 流 電 路 之 變 壓 器 線 圈 僅 半 波 動 作 ， 故 變 壓 器 容 量 可 縮 小 約 2 (C)橋 式 整 流 電 路 之 輸 出 電 壓 漣 波 值 較 中 間 抽 頭 式 整 流 電 路 高 (D)中 間 抽 頭 式 整 流 電 路 之 二 極 體 電 流 規 格 可 較 橋 式 整 流 電 路 為 小 【 2-5】 旗立發行 (第3回試卷，第3頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( D )23. 如 圖 (6)電 路 所 示 ， 使 用 主 級 線 圈 與 次 級 線 圈 比 例 為 110:24之 變 壓 器 ， 若 二 極 體順向導通時兩端的電壓為零。下列選用的二極體之額定峰值逆向電壓 （ Peak Inverse Voltage） ， 何 者 較 為 適 當 ？ (A)28V (B)30V (C)32V (D)34V 【 2-5】 vo AC110V R 60Hz 110 : 24 圖 (6) ( B )24. 單 相 橋 式 全 波 整 流 電 路 ， 若 其 整 流 二 極 體 視 為 理 想 ， 則 輸 出 電 壓 漣 波 百 分 率 約 為 何 ？ (A)121% (B)48% (C)21% (D)0% 【 2-5】 ( B )25. 整 流 電 路 輸 出 電 壓 的 漣 波 電 壓 的 峰 對 峰 值 Vr ( P − P ) 為 2V的 弦 波 ， 其 輸 出 電 壓 的 峰 值 VP 為 10V， 則 其 漣 波 百 分 率 r(%)約 為 多 少 ？ (A)4% (B)8% (C)10% (D)12% 【 2-5】 旗立發行 (第3回試卷，第4頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  電子學（上）隨堂測驗卷 得 分 科 年 班 第四回 姓名： CH2-1～CH2-6 座號： I 選 擇 題 ： （ 每 題 4 分 ， 共 計 100 分 ） ( D )1. 如 圖 (1)所 示 ， 二 極 體 為 理 想 二 極 體 ， 則 電 流 I約 為 (A)50mA (B)20mA (C)12.5mA (D)10mA 【 2-6】 RS = 300Ω R1 + + + + 15V VZ = 9V I 900Ω Vi R2 Vo − − − − 圖 (1) 圖 (2) ( D )2. 如 圖 (2)所 示 ， 若 Vi = 20 V ， VZ = 10 V ， R1 = 20 kΩ ， R2 = 10 kΩ ， 則 Vo = ？ (A)20V (B)13.8V (C)10V (D)6.7V 【 2-6】 ( C )3. 如 圖 (3)所 示 電 路 中 ， 欲 使 I Z = 1 mA ， 則 RS 值 應 為 若 干 ？ (A) 1kΩ (B) 2kΩ (C) 5kΩ (D) 10kΩ 【 2-6】 IS RS 1kΩ IZ IL + + 45V VZ = 20V RL 5kΩ 20V 2kΩ − − 圖 (3) 圖 (4) ( B )4. 如 圖 (4)所 示 ， 若 稽 納 二 極 體 之 崩 潰 電 壓 VZ = 8 V ， 則 此 稽 納 二 極 體 的 消 耗 功 率 為 何 ？ (A)16mW (B)64mW (C)24mW (D)0W 【 2-6】 ( D )5. 如 圖 (5)所 示 ， 欲 使 稽 納 二 極 體 正 常 工 作 ， 其 RL 最 小 值 應 為 多 少 ？ (A) 2kΩ (B) 500Ω (C) 4kΩ (D) 1kΩ 【 2-6】 R = 1kΩ RS = 300Ω + + + Vi = 20V VZ = 10V RL 15V VZ = 9V RL Vo − − − 圖 (5) 圖 (6) ( B )6. 如 圖 (6)所 示 為 一 稽 納 二 極 體 電 路 ， 若 負 載 RL = ∞ 時 ， 其 輸 出 電 壓 Vo 為 (A)15V (B)9V (C)6V (D)0V 【 2-6】 旗立發行 (第4回試卷，第1頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( A )7. 如 圖 (7)所 示 電 路 中 ， 若 RS = 2 kΩ ， 則 I Z 值 應 為 (A)6mA (B)12mA (C)18mA (D)24mA 【 2-6】 IS RS 6Ω IZ IL + + 48V VZ = 24V RL 4 kΩ 36V IZ 15Ω − − 圖 (7) 圖 (8) ( A )8. 如 圖 (8)所 示 ， 假 設 稽 納 二 極 體 的 崩 潰 電 壓 為 15V， 則 其 通 過 的 電 流 I Z 等 於 (A)2.5A (B)5A (C)7.5A (D)10A 【 2-6】 ( B )9. 稽納電壓調整電路如圖(9)所示，其中稽納二極體之 VZ = 10 V ， I Z = 5 mA ~ 20 mA ， 若 Vi = 100 V ， 請 問 電 阻 R的 值 需 為 多 少 ， 才 能 使 稽 納 二 極 體 在 I L = 0 ~ I L (max) 之 間 進 行 調 節 ？ 且 I L (max) = ？ (A) R = 4.5 kΩ ， I L (max) = 40 mA (B) R = 4.5 kΩ ， I L (max) = 15 mA (C) R = 4.5 kΩ ， I L (max) = 25 mA (D) R = 18 kΩ ， I L (max) = 15 mA 【 2-6】 R 120Ω IZ + IL + IZ I + + Vi VZ RL VS VZ = 3V RL = 60Ω − − − − 圖 (9) 圖 (10) ( A )10. 如 圖 (10)所 示 之 理 想 稽 納 （ Zener） 二 極 體 電 路 ， 若 VS = 18 V ， 則 該 電 路 之 稽 納二極體功率規格至少應為何？ (A)225mW (B)180mW (C)168mW (D)132mW 【 2-6】 ( C )11. 如圖(11)所示電路，輸入電壓為 vi = 10 sin(377t ) V ， R 其中稽納二極體（Zener diode） Z1 、 Z 2 特 性 相 同 ， + + Z1 順 向 電 壓 為 0.6V， 稽 納 崩 潰 電 壓 為 6V。 此 電 路 在 vi vo 正 常 工 作 時 ， vo 最 大 值 為 何 ？ Z2 − − (A)1.2V (B)5.4V (C)6.6V (D)10V 【 2-6】 圖 (11) ( C )12. 將 硼 原 子 摻 雜 在 純 矽 中 所 形 成 的 半 導 體 材 料 中 ， 電 流 傳 導 的 主 要 載 子 為 (A)電 子 (B)離 子 (C)電 洞 (D)質 子 【 2-1】 ( C )13. 如 圖 (12)所 示 ， 下 列 Z 2 與 C的 組 合 中 ， 何 者 會 使 vo 的 漣 波 電 壓 最 小 ？ (A) RL = 5 kΩ 、 C = 5 µF (B) RL = 10 kΩ 、 C = 10 µF (C) RL = 20 kΩ 、 C = 20 µF (D) RL = 1 kΩ 、 C = 1 µF 【 2-5】 AC 110V + 60Hz vo C RL − 圖 (12) 旗立發行 (第4回試卷，第2頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( D )14. 有 關 稽 納 二 極 體 崩 潰 的 敘 述 ， 下 列 何 者 正 確 ？ (A)稽 納 崩 潰 之 崩 潰 電 壓 屬 於 正 溫 度 係 數 (B)稽 納 崩 潰 摻 雜 的 雜 質 濃 度 比 累 增 崩 潰 摻 雜 濃 度 低 (C)稽 納 二 極 體 接 順 向 偏 壓 可 造 成 崩 潰 (D)摻 雜 濃 度 高 則 崩 潰 電 壓 較 低 【 2-3】 ( B )15. 在 未 外 加 偏 壓 下 ， 下 列 有 關 PN接 面 二 極 體 空 乏 區 的 敘 述 ， 請 問 何 者 錯 誤 ？ (A) 所 形 成 的 障 壁 電 位 ， 在 空 乏 區 N側 的 電 位 比 P側 的 電 位 高 (B) 達 到 平 衡 狀 態 時 ， 在 空 乏 區 P側 中 有 電 洞 、 在 N側 中 有 自 由 電 子 (C) 在 空 乏 區 中 ， P側 有 負 離 子 、 N側 有 正 離 子 (D) P、 N兩 側 空 乏 區 的 寬 度 ， 其 所 摻 雜 的 雜 質 濃 度 愈 高 ， 則 該 側 空 乏 區 的 寬 度 愈窄 【 2-2】 ( A )16. 如 圖 (13)所 示 ， 為 矽 二 極 體 ， V = 20 V ， D1 R1 R1 = 3.5 kΩ ， R2 = 5 kΩ ， 求 I 2 約 為 何 值 ？ + (A)3.5mA V D2 I2 (B)5.6mA − R2 (C)6.7mA (D)8mA 【 2-2】 圖 (13) ( D )17. 於一純矽半導體，其本質濃度為 ni = 1.5 × 1010 原子 cm 3 ，密度為 5 × 10 22 原子 cm 3 ， 若 每 109 個 矽 原 子 加 入 一 個 施 體 原 子 ， 電 洞 濃 度 為 何 ？ (A) 5 × 10 22 / cm 3 (B) 5 × 1013 / cm 3 (C) 1.5 × 1010 / cm 3 (D) 4.5 × 10 6 / cm 3 【 2-1】 ( B )18. 已 知 在 室 溫 下 ， 二 極 體 η = 2 ， 熱 電 壓 （ thermalvoltage ） VT = 25 mV ， 導 通 電 流 I D = 1 mA ， 電 壓 VD = 0.6 V ， 則 二 極 體 的 動 態 電 阻 rd 為 何 ？ (A) 25Ω (B) 50Ω (C) 100Ω (D) 150Ω 【 2-2】 ( A )19. 如 圖 (14)所 示 之 電 路 ， 假 設 二 極 體 之 降 為 0.7V， 則 此 電 路 之 vi - vo 之 特 性 曲 線 最有可能為下列何者？ 【 2-2】 (A) vo (B) vo vi vi (C) vo (D) vo vi vi R1 vi vo R2 圖 (14) 旗立發行 (第4回試卷，第3頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( D )20. 下 列 敘 述 何 者 有 誤 ？ (A) 溫 度 上 升 ， 半 導 體 能 隙 （ Eg） 減 小 (B) 遷 移 率 µ （ Mobility） 代 表 單 位 電 場 環 境 下 ， 載 子 可 移 動 的 能 力 ， µ 值 高 代表元件工作速度快，導通能力好，電子的遷移率大於電洞的遷移率 VD ηVT (C) 二 極 體 方 程 式 I D = I S (e − 1) ， 溫 度 上 升 ， I S 變 大 εA (D) 二 極 體 過 渡 電 容 CT = ， 增 加 逆 向 偏 壓 會 使 得 CT 變 大 【 2-2】 d ( C )21. 如 圖 (15)所 示 之 理 想 二 極 體 電 路 ， 電 流 I = ？ (A)0A (B)2A (C)3A (D)6A。 【 2-2】 D1 1V D2 1kΩ 3V Io + I 2Ω 3V 1kΩ − −3V 圖 (15) 圖 (16) ( C )22. 如 圖 (16)所 示 之 電 路 ， 若 二 極 體 在 順 向 導 通 壓 降 為 0.7V， 其 I o = ？ (A)0mA (B)0.9mA (C)1.5mA (D)2.1mA 【 2-2】 ( C )23. 如 圖 (17)電 路 ， 矽 二 極 體 導 通 電 壓 為 0.6V， Vo = ？ (A)12V (B)10.6V (C)9.7V (D)0.6V 【 2-2】 Si Vo 10mA 2kΩ 2kΩ 圖 (17) ( B )24. 發 光 二 極 體 （ LED） 的 相 對 發 光 強 度 與 (A)逆 向 偏 壓 成 正 比 (B)順 向 電 流 成 正 比 (C)逆 向 偏 壓 成 反 比 (D)順 向 電 流 成 反 比 【 2-4】 ( C )25. 下 列 濾 波 電 路 中 ， 哪 一 個 適 用 於 大 電 流 負 荷 ？ (A)電 容 輸 入 濾 波 器 (B)電 阻 輸 入 濾 波 器 (C)電 感 輸 入 濾 波 器 (D)電 阻 電 容 濾 波 器 【 2-5】 旗立發行 (第4回試卷，第4頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  電子學（上）隨堂測驗卷 得 分 科 年 班 第五回 姓名： CH3-1～CH3-2 座號： I 選 擇 題 ： （ 每 題 4 分 ， 共 計 100 分 ） ( A )1. 雙 載 子 電 晶 體 的 三 個 半 導 體 區 域 濃 度 最 高 者 為 (A)射 極 (B)基 極 (C)集 極 (D)源 極 【 3-1】 ( B )2. 電 晶 體 若 欲 工 作 在 飽 和 區 則 (A)基 射 接 面 需 順 偏 ， 基 集 接 面 需 反 偏 (B)基 射 接 面 需 順 偏 ， 基 集 接 面 需 順 偏 (C)基 射 接 面 需 反 偏 ， 基 集 接 面 需 順 偏 (D)基 射 接 面 需 反 偏 ， 基 集 接 面 需 反 偏 【 3-1】 ( D )3. 下 列 有 關 電 晶 體 的 敘 述 ， 何 者 有 誤 ？ (A)射 極 摻 雜 濃 度 最 高 (B)集 極 面 積 最 大 (C)基 極 寬 度 最 低 (D)集 極 與 射 極 可 對 調 使 用 【 3-1】 ( D )4. 一 NPN型 電 晶 體 偏 壓 於 主 動 區 ， 則 (A) VBE < 0 ， VCE > 0 ， VBC < 0 (B) VBE < 0 ， VCE > 0 ， VBC > 0 (C) VBE > 0 ， VCE > 0 ， VBC > 0 (D) VBE > 0 ， VCE > 0 ， VBC < 0 【 3-1】 ( B )5. 下 列 有 關 BJT電 晶 體 之 敘 述 何 者 錯 誤 ？ (A)為 電 流 控 制 元 件 (B)BJT當 線 性 放 大 器 使 用 時 是 工 作 於 飽 和 區 或 截 止 區 (C)BJT在 作 用 區 的 偏 壓 方 式 是 BE接 面 順 向 偏 壓 ， BC接 面 逆 向 偏 壓 (D)BJT在 飽 和 區 集 極 電 流 達 到 最 大 【 3-1】 ( B )6. 電 晶 體 作 為 數 位 開 關 使 用 時 ， 工 作 在 哪 幾 區 ？ (A)飽 和 區 及 工 作 區 (B)飽 和 區 及 截 止 區 (C)工 作 區 及 截 止 區 (D)飽 和 區 、 工 作 區 及 截 止 區 【 3-1】 ( C )7. 要 將 電 晶 體 當 作 小 信 號 的 線 性 放 大 器 ， 電 晶 體 必 須 施 加 適 當 的 偏 壓 ， 使 工 作 點 落 在 (A)截 止 區 (B)崩 潰 區 (C)作 用 區 (D)飽 和 區 【 3-1】 ( C )8. 圖 (1)虛 線 範 圍 內 為 NPN電 晶 體 主 I B = 80µA I C (mA) D 動 區 （ Active region ） 的 安 全 工 A I B = 70µA 25 C 作區域，除了代表最大集極散逸 I B = 60µA 功 率 PD (max) 的 虛 線 D外 ， 其 他 虛 線 20 I B = 50µA 如 A、 C所 代 表 的 意 義 分 別 為 何 ？ I B = 40µA 15 （ 註 ： sat- 飽 和 ， cutoff- 截 止 ， I B = 30µA max-最 大 ） B 10 I B = 20µA (A) VCE (cutoff ) ， I C ( sat ) I B = 10µA (B) VCE ( sat ) ， I C ( sat ) 5 I B = 0µA (C) VCE ( sat ) ， I C (max) VCE (V ) 0 5 10 15 20 (D) VCE (cutofft ) ， I C (max) 【 3-2】 圖 (1) 旗立發行 (第5回試卷，第1頁，共3頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( A )9. 下 列 何 者 對 NPN電 晶 體 I B = 30 µA 、 I C = 4 mA 、 β = 200 ， 下 列 何 者 敘 述 為 誤 ？ (A)電 晶 體 工 作 於 主 動 區 (B) VCE ≅ 0.2 V (C)電 晶 體 工 作 於 飽 和 區 (D)電 晶 體 飽 和 時 β I B < I C 【 3-1】 ( A )10. 電 晶 體 之 集 極 電 流 與 基 極 電 流 的 比 值 為 β ， 集 極 電 流 與 射 極 電 流 的 比 值 為 α ，則下列何者為正確的關係式？ α α 1−α 1+α (A) β = (B) β = (C) β = (D) β = 【 3-1】 1−α 1+α α α ( C )11. 有 一 電 晶 體 之 集 極 電 流 I C 為 4.9mA， 射 極 電 流 I E 為 5.0mA， 則 此 電 晶 體 之 β 值 為 (A)29 (B)39 (C)49 (D)50 【 3-1】 ( D )12. 電晶體之基極電流 I B = 50 µA 、 β = 199 、 I CBO = 20 nA （電晶體工作於主動區）， 下列何者敘述為誤？ (A) γ = 200 (B) α = 0.995 (C) I C = 9.954 mA (D) I CEO = 50 µA 【 3-2】 ( A )13. 若 一 電 晶 體 的 I CBO 值 為 10nA， 而 其 I CEO 值 為 1μA ， 則 此 電 晶 體 的 β 值 約 為 (A)100 (B)1 (C)50 (D)10 【 3-2】 ( B )14. 假 設 有 一 電 晶 體 ， 偏 壓 於 工 作 區 後 ， 測 得 I B = 0.01 mA ， I E = 1.01 mA ， 則 該 電 晶體的 α 、 β 參數為 (A) α = 0.95 、 β = 0.05 (B) α = 0.99 、 β = 100 (C) α = 0.95 、 β = 99 (D) α = 0.95 、 β = 95 【 3-1】 ( B )15. 如 圖 (2)所 示 電 路 ， VCE ( sat ) 可 忽 略 ， VBE = 0.7 V ， β = 100 ， 發 光 二 極 體 之 順 向 導 通 電 壓 VD = 2 V ， 下 列 敘 述 何 者 正 確 ？ (A)電 晶 體 工 作 於 主 動 區 （ active region） (B)二 極 體 導 通 時 ， I D = 13 mA ID (C)輸 入 為 高 電 位 時 ， 電 晶 體 基 極 電 流 I B = = 0.13 mA β (D)將 1kΩ 換 成 2kΩ ， 二 極 體 發 光 顏 色 將 改 變 【 3-2】 +15V 1kΩ ID + VD − 5V 4.3kΩ 0 IB 圖 (2) ( D )16. 若 電 晶 體 α 值 從 0.99變 化 值 0.995， 則 β 之 變 動 量 （ Δβ ） 為 多 少 ？ (A)0.005 (B)99 (C)199 (D)100 【 3-2】 ( A )17. 電 晶 體 是 (A)電 流 控 制 元 件 的 主 動 元 件 (B)電 壓 控 制 元 件 的 主 動 元 件 (C)電 流 控 制 元 件 的 被 動 元 件 (D)電 壓 控 制 元 件 的 被 動 元 件 【 3-1】 旗立發行 (第5回試卷，第2頁，共3頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( C )18. 如 圖 (3)所 示 電 路 ， 此 為 (A)共 射 極 放 大 電 路 (B)共 基 極 放 大 電 路 (C)共 集 極 放 大 電 路 (D)集 極 隨 耦 器 【 3-2】 VCC R1 C1 vi C2 vo R2 RE RL 圖 (3) ( C )19. 欲 提 高 雙 極 性 接 面 電 晶 體 內 部 電 流 放 大 率 ， 可 由 哪 兩 個 方 面 著 手 來 改 善 ？ 集極摻雜濃度提高 射極摻雜濃度提高 基極寬度變窄 基極摻雜濃度提高 射極寬度增加 (A)  (B)  (C)  (D)  【 3-2】 ( C )20. 有 電 晶 體 參 數 值 ： α = 0.995 ， I CBO = 0.01 μA 。 當 電 晶 體 接 成 CE或 CC組 態 放 大 器 時 之 I CEO 為 多 少 ？ (A)1mA (B)0.2mA (C) 2µA (D) 1μA 【 3-2】 ( B )21. 若 電 晶 體 工 作 於 主 動 區 時 ， 其 集 極 電 流 與 基 極 電 流 的 比 值 為 β1 ； 若 工 作 於 飽 和 區 時 ， 其 集 極 電 流 與 基 極 電 流 的 比 值 為 β2 ， 則 (A) β1 < β 2 (B) β1 > β 2 (C) β1 = β 2 (D)無 法 比 較 【 3-2】 ( B )22. 共 射 極 （ CE） 組 態 的 電 流 增 益 為 (A) α (B) β (C) γ (D) 1 + β 【 3-2】 ( C )23. 電 晶 體 的 放 大 電 路 中 ， 何 種 組 態 的 電 壓 增 益 可 能 為 − 25 ？ (A)共 基 極 (B)共 集 極 (C)共 射 極 (D)以 上 皆 非 【 3-2】 ( C )24. 下 列 關 於 電 晶 體 應 用 於 開 關 上 的 敘 述 何 者 正 確 ？ (A)電 晶 體 開 關 ON時 VCE = VCC (B)電 晶 體 開 關 OFF時 VCE ≅ 0 V (C)電 晶 體 工 作 於 飽 和 時 β I B ≥ I C ( sat ) (D)電 晶 體 開 關 ON工 作 於 截 止 區 【 3-2】 ( B )25. 如 圖 (4)所 示 電 路 ， 若 VCE ( sat ) 可 忽 略 ， 當 Vi = 5.7 V ， 欲 +15V 使電晶體操作於飽和區，則電晶體之最小 β 值為多 少 ？ (A)30 (B)60 (C)90 (D)100 【 3-2】 1kΩ 20kΩ 5.7V 圖 (4) 旗立發行 (第5回試卷，第3頁，共3頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  電子學（上）隨堂測驗卷 得 分 科 年 班 第六回 姓名： CH3-3 座號： I 選 擇 題 ： （ 每 題 4 分 ， 共 計 100 分 ） ( C )1. 溫 度 上 升 時 ， 電 晶 體 的 (A) VBE 增 加 (B)漏 電 流 I CO 減 少 (C)靜 態 工 作 點 （ Q 點 ） 向 飽 和 點 移 動 (D) β 減 少 【 3-3】 ( D )2. 最 穩 定 的 電 晶 體 偏 壓 方 式 為 (A)固 定 偏 壓 (B)集 極 回 授 偏 壓 (C)射 極 電 阻 回 授 偏 壓 (D)分 壓 偏 壓 【 3-3】 ( A )3. 如 圖 (1)所 示 電 路 ， 假 設 β 很 大 ， 則 負 載 線 方 程 式 為 (A) 10 = I C (0.5k + 0.5k ) + VCE (B) 10 = I C (0.5k ) + VCE (C) 10 = I C (0.5k + 0.5k ) + VBE (D) 10 = I C (0.5k ) + VBE 【 3-3】 VCC = +10V VCC 500Ω RC 210kΩ RB vo vo vi C2 vi C1 500Ω 圖 (1) 圖 (2) ( A )4. 如 圖 (2)所 示 電 路 ， 當 RB 變 大 時 (A)工 作 點 會 遠 離 飽 和 點 ， 但 仍 落 在 同 一 負 載 線 上 (B)工 作 點 會 接 近 飽 和 點 ， 但 仍 落 在 同 一 負 載 線 上 (C)工 作 點 會 遠 離 飽 和 點 ， 且 不 在 同 一 負 載 線 上 (D)工 作 點 會 遠 離 飽 和 點 ， 且 不 在 同 一 負 載 線 上 【 3-3】 ( B )5. 如圖(3)所示電路，若 β = 100 、 VBE = 0.7 V ， 試 求 VCEQ = ？ 400Ω RC (A)15V 50kΩ + (B)7.6V 15V RB − (C)0.7V + (D)0.2V 【 3-3】 10V − 圖(3) ( C )6. 當 電 晶 體 進 入 飽 和 區 時 (A) I C = β I B (B) I C > β I B (C) I C < β I B (D) I C = 0 【 3-3】 旗立發行 (第6回試卷，第1頁，共5頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( D )7. 如 圖 (4)所 示 為 共 射 極 放 大 電 路 ， β = 90 、 VBE = 0.7 V 、 VCE ( sat ) = 0.2 V ， 下 列 敘 述何者錯誤？ 1 (A) I CQ = 3 mA (B) I BQ = mA (C) VCEQ = 6 V (D)本 電 路 工 作 於 飽 和 區 【 3-3】 30 VCC = +12V VCC = +10V RC = 2kΩ 500Ω 339kΩ 210kΩ vo vo vi vi C2 C1 500Ω 圖 (4) 圖 (5) ( C )8. 如 圖 (5)所 示 電 晶 體 ， β = 200 、 VBE = 0.7 V ， 試 求 VC = ？ (A)9.3V (B)8V (C)7V (D)6V 【 3-3】 ( A )9. 如 圖 (6)所 示 電 路 ， 若 β = 50 、 VCEQ = 10 V ， 則 RB 之 近 似 值 為 (A) 1MΩ (B) 600kΩ (C) 400kΩ (D) 100kΩ 【 3-3】 VCC VCC = +20V 10kΩ RC RB RB vo vi RE CE 圖 (6) 圖 (7) ( C )10. 如 圖 (7)所 示 電 路 ， RE 之 作 用 為 (A)使 電 晶 體 進 入 飽 和 區 (B)增 加 輸 出 功 率 (C)提 供 負 回 授 ， 增 加 穩 定 度 (D)降 低 輸 入 阻 抗 【 3-3】 ( C )11. 如 圖 (8) 所 示 電 路 ， 其 直 流 負 載 線 方 程 VCC 式為 (A) VCC = I C RL + VBE RL (B) VCC = I C RL + VBC RB (C) VCC = I C RL + VCE vo (D) VCC = I C RL − VCE 【 3-3】 vi 圖 (8) 旗立發行 (第6回試卷，第2頁，共5頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( B )12. 如 圖 (9) 所 示 電 路 ， 若 電 晶 體 β = 100 、 R1 = 50 kΩ 、 R2 = 5 kΩ 、 RE = 1.3 kΩ 、 VBE = 0.7 V ， 則 VCEQ 之 值 為 (A)20V (B)11V (C)6V (D)2V 【 3-3】 VCC = +22V VEE = −10.7V 10kΩ RC RE = 500Ω R1 C vo vi vi E vo R2 RB = 150kΩ RE RC = 1kΩ 圖 (9) 圖 (10) ( C )13. 如 圖 (10)所 示 之 電 路 ， 若 電 晶 體 β = 100 、 VBE = 0.7 V ， 則 VCE 電 壓 值 約 為 (A)1.2V (B)2.2V (C)3.2V (D)4.2V 【 3-3】 ( C )14. 如 圖 (11)所 示 電 路 ， 假 設 I B 可 忽 略 ， 則 VB 約 為 (A)15V (B)10V (C)5V (D)0.7V 【 3-3】 +15V VCC = +9V 4kΩ RB 100kΩ IC IB vi VCE IE IB vo IE 50kΩ 3kΩ RE 圖 (11) 圖 (12) ( B )15. 如 圖 (12)所 示 電 路 ， 若 β = 60 、 RB = 100 kΩ 、 RE = 2.5 kΩ ， 則 (A) I B ≅ 60 µA ， I E ≅ 2.7 mA (B) I B ≅ 36 µA ， I E ≅ 2.1 mA (C) I B ≅ 50 µA ， I E ≅ 3 mA (D) I B ≅ 80 µA ， I E ≅ 4.8 mA 【 3-3】 ( A )16. 如 圖 (13)所 示 電 路 ， β = 200 、 VEB = 0.6 V 、 RE = 2 kΩ 、 RB = 83 kΩ ， 試 求 VE = ？ (A)4V (B)8V (C)12V (D)20V 【 3-3】 VEE = +20V RE C2 VE vo C1 vi RB 圖 (13) 旗立發行 (第6回試卷，第3頁，共5頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( D )17. 如 圖 (14) 所 示 電 路 ， 若 VCC = 12.7 V 、 RL = 3 kΩ 、 RB = 700 kΩ 、 RE = 1 kΩ 、 β = 100 ， 則 基 極 電 流 I B 約 為 (A) 60µA (B) 45µA (C) 30µA (D) 15µA 【 3-3】 +12V VCC = 12.7V RL IC 1kΩ RB 100kΩ IB C B E RE 圖 (14) 圖 (15) ( B )18. 如 圖 (15)所 示 電 路 ， 若 β = 50 ， VBE 忽 略 不 計 ， 則 VCEQ = ？ (A)10V (B)8V (C)6V (D)4V 【 3-3】 ( D )19. 如 圖 (16)所 示 電 路 ， VCC = 20 V 、 RE = 0.9 kΩ 、 R2 = 5 kΩ ， 則 下 列 何 者 錯 誤 ？ (A) I C = 2 mA (B) VE = 1.8 V (C) VB = 2.5 V (D) R1 = 40 kΩ 【 3-3】 VCC = +20V IC 4 kΩ R1 VC = +12V VB VE R2 RE 圖 (16) ( D )20. 如 圖 (17a)中 ， RB 之 值 應 為 多 少 才 能 滿 足 圖 (17b)中 Q點 之 位 置 ？ (A) 500kΩ (B) 430kΩ (C) 333kΩ (D) 275kΩ 【 3-3】 +20V VCC = +10V 10kΩ 82kΩ I C ( mA) vo RC RB C2 2mA Q點 1.2mA 10kΩ β = 100 18kΩ + RE 3kΩ 0.7V − 0 VCE ( V ) 4V 10V (a) (b) 圖 (17) 圖 (18) ( C )21. 如 圖 (18)所 示 電 路 ， 若 VBE = 0.6 V ， 試 求 VC = ？ (A)20V (B)15V (C)10V (D)5V 【 3-3】 旗立發行 (第6回試卷，第4頁，共5頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( D )22. 如 圖 (19) 所 示 電 路 ， 若 VEE = 10 V 、 R1 = 2.7 kΩ 、 R2 = 7.3 kΩ 、 RE = 1 kΩ 、 RC = 2 kΩ ， 試 求 VCE = ？ (A)8V (B) − 8V (C)4V (D) − 4V 【 5-3】 VEE VCC RE 10kΩ R1 R1 C1 IB vi Si 0.9kΩ vo R2 C2 R2 RC 圖 (19) 圖 (20) ( B )23. 如 圖 (20) 所 示 電 路 ， 已 知 VCC = 10 V 、 VBE = 0.6 V 、 R1 = 7 kΩ 、 R2 = 3 kΩ ， 則 I B = ？ (A)0.5mA (B)0.8mA (C)2mA (D)5mA 【 3-2】 ( D )24. 如 圖 (21)所 示 電 路 ， 若 電 晶 體 的 β 值 為 50， 則 RB 電 阻 應 選 用 多 少 ， 才 能 使 電 晶 體 工 作 於 飽 和 區 ？ (A) 100kΩ (B) 80kΩ (C) 60kΩ (D) 40kΩ 【 3-3】 +VCC IE IC RB 1kΩ + − VCB RE 5kΩ RC − + VEE 2V 10V VCC + − 圖 (21) 圖 (22) ( B )25. 如 圖 (22)所 示 電 路 ， 電 晶 體 的 參 數 β = 100 ， VBE = 0.7 V ， 已 知 電 壓 VCB = 3.5 V ， 則 電 阻 RE 約 為 多 少 ？ (A) 0.48kΩ (B) 1kΩ (C) 1.5kΩ (D) 2.1kΩ 【 3-3】 旗立發行 (第6回試卷，第5頁，共5頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  電子學（上）隨堂測驗卷 得 分 科 年 班 第七回 姓名： CH4-1～CH4-3 座號： I 選 擇 題 ： （ 每 題 4 分 ， 共 計 100 分 ） ( B )1. 分 析 電 晶 體 直 流 偏 壓 及 交 流 小 信 號 分 析 ， 遇 電 容 時 應 各 分 別 和 假 設 ？ (A)短 路 ， 斷 路 (B)斷 路 ， 短 路 (C)短 路 ， 短 路 (D)斷 路 ， 斷 路 【 4-2】 ( B )2. 如 圖 (1)所 示 電 晶 體 小 信 號 等 效 電 路 ， g m = ？ r β α (A) π (B) (C) β rπ (D) 【 4-2】 β rπ rπ ib ic B + C vbe rπ g m vbe − E E 圖 (1) ( A )3. 圖 (2)為 BJT在 主 動 區 的 vBE - iC 特 性 曲 線 ， Q點 斜 率 對 應 下 列 哪 一 個 參 數 ？ (A) g m (B) re (C) rπ (D) g m vbe 【 4-1】 iC ΔiC IC Q Q Δv BE vBE 0 V BE Q 圖 (2) ( C )4. 下 列 有 關 共 射 極 放 大 器 的 敘 述 ， 何 者 有 誤 ？ (A)輸 入 阻 抗 小 (B)輸 出 阻 抗 高 (C)電 壓 增 益 小 (D)電 流 增 益 大 【 4-3】 ( A )5. 在 共 射 極 放 大 電 路 中 ， 電 晶 體 之 基 極 對 地 的 交 流 電 阻 rπ 為 26mV 26mV 26mV 26mV (A) rπ = (B) rπ = (C) rπ = (D) rπ = 【 4-3】 IB ib IE ie ( A )6. 進 行 電 晶 體 小 信 號 分 析 時 ， 下 列 敘 述 何 者 正 確 ？ (A)直 流 電 壓 源 須 短 路 ， 電 容 須 短 路 (B)直 流 電 壓 源 須 開 路 ， 電 容 須 短 路 (C)直 流 電 壓 源 須 短 路 ， 電 容 須 開 路 (D)直 流 電 壓 源 須 開 路 ， 電 容 須 開 路 【 4-2】 旗立發行 (第7回試卷，第1頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( A )7. 圖 (3)所 示 之 電 晶 體 電 路 中 ， 電 阻 RE 最 主 要 的 功 能 為 (A)增 加 直 流 偏 壓 工 作 點 的 穩 定 度 (B)提 高 小 信 號 放 大 的 電 壓 增 益 (C)提 高 小 信 號 放 大 的 電 流 增 益 (D)降 低 輸 出 電 阻 【 4-3】 +VCC VCC RC R1 CC RC RB vo CB vo vi C2 = ∞ vi C1 = ∞ RE1 R2 RE RE 2 CE 圖 (3) 圖 (4) ( C )8. 圖 (4)為 CE放 大 器 ， 下 列 敘 述 何 者 有 誤 ？ (A) RE1 電 阻 值 變 小 ， Av 變 大 (B) RC 電 阻 值 變 大 ， Av 變 大 (C)將 CE 開 路 ， Av 變 大 (D) RE 2 改 變 ， Av 不 變 【 4-3】 vo ( D )9. 圖 (5)為 一 放 大 器 的 等 效 電 路 ， 試 求 電 壓 增 益 為多少？ vS Av RS Av RL Av Ro Ri Av RL (A) (B) (C) (D) 【 4-3】 RS + Ri Ro + RL Ro + RL RS + Ri Ro + RL RS ii Ro io + + + + vS vi Ri Av vi RL vo − − − − 圖 (5) vo ( B )10. 圖 (6)為 一 放 大 器 的 小 信 號 等 效 電 路 ， 試 求 電 壓 增 益 為多少？ vi (A)100 (B) − 100 (C) − 50 (D)50 【 4-3】 RS ib + + io + rπ β ib RL = 1kΩ vs vi RL v o β = 100 − rπ = 1kΩ − − 圖 (6) 旗立發行 (第7回試卷，第2頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( B )11. 圖(7)所示電路中， RB = 200 kΩ ， RE = 2 kΩ ， RC = 5 kΩ ，電晶體參數為 rπ = 1 kΩ ， i β = 100 ， 則 此 電 路 之 電 流 增 益 o 為 ii (A)100 (B)50 (C)0.995 (D) − 45 【 4-3】 ( B )12. 承 上 題 ， 輸 入 阻 抗 Z i 為 多 少 ？ (A) 1kΩ (B) 100kΩ (C) 200kΩ (D) 133 kΩ 【 4-3】 vo ( D )13. 承 上 題 ， 電 壓 增 益 約為多少？ vi (A) − 250 (B) − 100 (C) − 50 (D) − 2.5 【 4-3】 +VCC +VCC io io RC R1 C2 RC vo RB C1 ii vo vi C2 = ∞ Zo vi ii C1 = ∞ R2 Zi RE CE RE Zi 圖(7) 圖 (8) ( C )14. 如 圖 (8)所 示 電 路 ， 若 電 路 中 VT = 25 mV 、 VCC = 20 V 、 R1 = 90 kΩ 、 R2 = 10 kΩ 、 RC = 10 kΩ 、 RE = 1.3 kΩ 、 β = 100 ， 則 Z i 為 (A) Z i = 250 Ω (B) Z i = 25 Ω (C) Z i = 2.5 kΩ (D) Z i = 1.25 kΩ 【 4-3】 ( A )15. 承 上 題 ， 輸 出 阻 抗 Z o = ？ (A) 10kΩ (B) 100kΩ (C) 200kΩ (D) 133kΩ 【 4-3】 io ( C )16. 承 上 題 ， 電 流 增 益 =？ ii R1 // R2 R1 // R2 (A) β × (B) R1 // R2 // Z i ( R1 // R2 ) + Z i R1 // R2 Zi (C) β × (D) β × 【 4-3】 ( R1 // R2 ) + Z i ( R1 // R2 ) + Z i vo ( B )17. 承 上 題 ， 電 壓 增 益 =？ (A) − 250 (B) − 400 (C) − 150 (D) − 100 【 4-3】 vi ( A )18. 在 共 射 極 （ CE） 組 態 下 ， 電 晶 體 之 射 極 交 流 電 阻 應 為 (A) re (B) β re (C) β ib (D) re + RE 【 4-2】 ( A )19. 在 分 析 放 大 器 時 ， 關 於 電 容 器 的 敘 述 何 者 正 確 ？ (A)對 AC分 析 而 言 ， 可 視 為 短 路 (B)對 AC分 析 而 言 ， 可 視 為 開 路 (C)對 DC分 析 而 言 ， 可 視 為 短 路 (D)以 上 皆 是 【 4-2】 旗立發行 (第7回試卷，第3頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( B )20. re 與 rπ 的 關 係 為 (A) re = (1 + β ) rπ (B) rπ = (1 + β ) re (C) re = rπ (D) rπ = α re 【 4-2】 ( C )21. 雙 極 性 接 面 電 晶 體 （ BJT） 小 信 號 模 型 中 ， VT 為 熱 電 壓 ， re 為 射 極 交 流 電 阻 ， ΔiC 為 集 極 電 流 微 小 變 動 量 ， ΔvBE 為 基 射 極 電 壓 微 小 變 動 量 ， ic 為 集 極 小 信 號 電 流 ， vbe 為 基 射 極 小 信 號 電 壓 ， Q 為 工 作 點 ， I CQ 為 工 作 點 集 極 直 流 偏 壓 電 流 。 則 下 列 有 關 轉 移 電 導 gm 的 敘 述 ， 何 者 錯 誤 ？ ΔiC I CQ ic β (A) g m = (B) g m = (C) g m = (D) g m = 【 4-1】 ΔvBE Q點 VT vbe re ( B )22. 電 晶 體 的 哪 一 種 組 態 放 大 器 兼 具 有 電 壓 增 益 與 電 流 增 益 ？ (A)CB (B)CE (C)CC (D)CG 【 4-3】 ( A )23. 電 晶 體 當 作 線 性 放 大 器 使 用 時 ， 其 工 作 區 域 在 (A)作 用 區 (B)飽 和 區 (C)截 止 區 (D)無 限 制 【 4-1】 ( D )24. 在 電 晶 體 共 射 極 組 態 的 電 路 中 ， 其 輸 入 信 號 和 輸 出 信 號 的 相 位 (A)相 同 (B)相 差 45度 (C)相 差 90度 (D)相 差 180度 【 4-3】 ( B )25. 如 圖 (9) 所 示 之 電 晶 體 放 大 電 路 ， 若 電 晶 體 之 β = 99 ， VBE = 0.7 V ， 熱 電 壓 vo VT = 26 mV ， C為 耦 合 電 容 或 旁 路 電 容 。 欲 設 計 其 電 壓 增 益 = 200 ， 則 RC 約 vi 為多少？ (A) 3kΩ (B) 4kΩ (C) 5kΩ (D) 6kΩ 【 4-3】 +10V RC vo C C vi 50kΩ + 0.5kΩ C 2V − 圖 (9) 旗立發行 (第7回試卷，第4頁，共4頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  電子學（上）隨堂測驗卷 得 分 科 年 班 第八回 姓名： CH4-4～4-6 座號： I 選 擇 題 ： （ 每 題 4 分 ， 共 計 100 分 ） ( D )1. 射 極 隨 耦 器 的 主 要 功 用 ， 下 列 何 者 為 非 ？ (A)做 為 緩 衝 電 路 (B)提 高 電 流 增 益 (C)阻 抗 匹 配 用 (D)消 除 米 勒 電 容 的 影 響 【 4-4】 ( C )2. 下 列 何 者 為 射 極 隨 耦 器 的 特 性 ？ (A)輸 入 阻 抗 非 常 低 (B)輸 出 阻 抗 非 常 高 (C)電 壓 增 益 約 為 1 (D)電 流 增 益 約 為 1 【 4-4】 ( B )3. 關 於 共 基 極 放 大 電 路 之 敘 述 ， 下 列 何 者 錯 誤 ？ (A)輸 出 信 號 由 集 極 取 出 (B)電 壓 增 益 約 為 1 (C)輸 入 阻 抗 低 ， 輸 出 阻 抗 高 (D)電 流 增 益 約 為 1 【 4-5】 ( C )4. 如 圖 (1)所 示 電 路 ， 若 rπ = 1 kΩ ， 則 輸 入 阻 抗 Z i 近 似 值 為 (A) 20kΩ (B) 40kΩ (C) 400kΩ (D) 100kΩ 【 4-4】 +VCC +VCC RB vi β = 400 vi vo ii vo io 1kΩ RE Zi Zi Zo 圖 (1) 圖 (2) ( C )5. 如 圖 (2) 所 示 電 路 ， 若 rπ = RE = 1 kΩ ， RB = 250 kΩ ， β = 150 ， 則 輸 入 阻 抗 Z i = ？ (A) 1kΩ (B) 250kΩ (C) 152kΩ (D) 94kΩ 【 4-4】 ( A )6. 承 上 題 ， 輸 出 阻 抗 Z o = ？ (A) 6.62Ω (B) 1kΩ (C) 1.66kΩ (D) 8.33Ω 【 4-4】 io ( B )7. 承 上 題 ， 電 流 增 益 最 大 可 能 值 =？ ii (A) − 150 (B) − 94 (C)100 (D)65 【 4-4】 vo ( A )8. 承 上 題 ， 電 壓 增 益 =？ (A)0.99 (B)0.89 (C)99 (D)0.95 【 4-4】 vi 旗立發行 (第8回試卷，第1頁，共3頁) 教用版書號：E175A2-X1 回裝本書號：E175A2-Y1  ( A )9. 如 圖 (3) 所 示 電 路 ， 若 電 晶 體 為 矽 質 （ 即 VBE = 0.7 V ） ， β = 49 、 RC = 1 kΩ 、 RE = 2 kΩ 、 VC