Şekil 1'deki diyotlu dc devredeki diyotların iç direnci imal edilirse Ge diyotu üzerinden akan Id1 akımını ve Vo'yu bulunuz.

Steps to Solve

1. Devre Analizi için Diyotların Direncini Belirle Geçişten geçen akımların kıyaslanabilmesi için, Ge ve Si diyotlarının direnç değerlerini belirlememiz gerekiyor. Ge diyotunun iç direnci tipik olarak $R_{Ge} = 1 , k\Omega$ ve Si diyotunun iç direnci $R_{Si} = 2 , k\Omega$ olarak alınabilir.

2. Akımın Dağılımını Hesapla Devredeki toplam gerilim $V_{s} = 11 , V$'dir. Diyotlarla birlikte dirençleri dikkate alarak devreyi analiz edelim. Toplam direnç $R_{total}$ şöyle hesaplanır: $$R_{total} = R_{Ge} + R_{Si} + R_{load} = 1 , k\Omega + 2 , k\Omega + 3 , k\Omega = 6 , k\Omega$$

3. Toplam Akımı Hesapla Ohm yasasına göre toplam akımı bulmak için: $$I_{total} = \frac{V_{s}}{R_{total}} = \frac{11 , V}{6 , k\Omega} \approx 1.833 , mA$$

4. Diyot Üzerinden Geçen Akımı Bul Diyotlar arasındaki akım dağılımını bulmak için, her diyot üzerindeki gerilim dropunu $0.7 , V$ olarak alırsak, ilk diyot (Ge) için: $$V_{Ge} = I_{d1} \cdot R_{Ge}$$ Bu denklemde akım $I_{d1}$ olarak adlandırılır.

5. Gerilim Değerini Hesapla Son olarak, çıkış gerilimi $V_{o}$'yı bulmak için akım $I_{d1}$'in etkisini ve diyot gerilim düşüşünü hesaba katıyoruz. İkinci diyotun gerilimini bulmak için: $$V_{o} = I_{d1} \cdot 3 , k\Omega$$ Buradan $V_{o}$ değerini elde ediyoruz.