Transistoren en hun functies

De energie die nodig is om de dunne sperlaag van een diode te doorbreken.

De spanning over een diode blijft ongeveer hetzelfde vanaf deze spanning.

De spanning die nodig is om de drempelspanning te overwinnen. Deze spanning is ongeveer 0,7V voor silicium diodes (Si) en 0,3V voor germanium diodes (Ge).

Een klein stroompje dat door een diode vloeit in de sperrichting.

De spanning waarbij de diode in de sperrichting overbelast wordt, en defect kan raken.

Een diode die speciaal is ontworpen om te werken in de sper-regio, waar de diode een gecontroleerde stroom laat passeren.

Een grafiek die laat zien hoe de stroom door een diode verandert bij veranderingen in de aangelegde spanning.

Een weerstand die in serie met een diode wordt geplaatst om de stroom te beperken.

Een spanningsregelaar die ervoor zorgt dat de uitgangsspanning constant blijft, ongeacht de ingangsspanning of de belasting.

Een halfgeleidercomponent met drie aansluitingen: emitter, basis en collector. Transistoren kunnen gebruikt worden om elektrische signalen te versterken of als schakelaars.

De emissielaag in een transistor. De emitter stuurt de stroom naar de basis.

De dunne, centrale laag in een transistor. De basis controleert de stroom tussen emitter en collector.

De ontvangstlaag in een transistor. De collector ontvangt de stroom die de basis bestuurt.

Een transistor met een N-type basis geleid tussen twee P-type gebieden.

Een transistor met een P-type basis geleid tussen twee N-type gebieden.

Een type transistor die wordt gebruikt in moderne elektronica, heeft een lagere lekstroom, een groter temperatuurbereik en kleinere afmetingen, waardoor hogere frequenties mogelijk zijn.

Een transistor gemaakt van silicium, dat een hogere efficiëntie en betrouwbaarheid heeft dan germaniumtransistoren.

Een transistor die is gemaakt van germanium, een minder gebruikelijk type transistor vanwege de lagere efficiëntie.

Een techniek om een ​​transistor te maken door verontreinigingsatomen in te brengen in een halfgeleidermateriaal.

Een techniek om een ​​transistor te maken door twee verschillende soorten halfgeleidermateriaal te smelten.

Een type transistor dat wordt gebruikt in geïntegreerde schakelingen, die een groot aantal transistoren op één chip bevatten.

Het vermogen van een transistor om een ​​klein signaal te versterken, wat resulteert in een groter signaal.

De transistor is volledig gesperd en er vloeit geen stroom door de collector. Dit gebeurt wanneer de basisstroom zo klein is dat de collectorstroom nul is.

De spanning tussen collector en emitter van een transistor in gesperde toestand.

Een weerstand die in de basis van een transistor wordt geplaatst om de basisstroom te regelen. De weerstand R1 moet hoog genoeg zijn om de transistor te sperren.

De maximale waarde van hfe die een transistor kan bereiken, wanneer de basisstroom volledig wordt gebruikt.

De waarde van de basisweerstand die nodig is om een transistor te sperren.

Een schakeling die twee transistoren gebruikt om een hogere versterkingsfactor (hfe) te creëren.

Een schakeling met een weerstand in de emitor van een transistor. Dit zorgt voor een hogere ingangsweerstand en een lagere uitgangsweerstand.

Een transistor die gevoelig is voor licht. De stroom door de transistor wordt beïnvloed door de hoeveelheid licht die erop valt.

De drie aansluitingen van een transistor zijn: emitter, basis en collector. De emitter stuurt de stroom naar de basis, waar die wordt geregeld. De collector ontvangt de stroom.

De basisstroom (IB) in een transistor kan de collectorstroom (IC) regelen, waardoor de transistor als een versterker kan werken.

De stroomversterking van een transistor (hfe) is de verhouding tussen de collectorstroom (IC) en basisstroom (IB), meestal aangeduid als beta (beta) .

De spanning over de basisweerstand (URB) wordt gebruikt om de basisstroom (IRB) te regelen, die op zijn beurt de collectorstroom (IC) regelt. Dit bepaald de spanning over de collectorweerstand (URC).

De collectorspanning (UCE) is de spanning tussen de collector en de emitter. Een typische waarde is ongeveer 0,7V.

De spanning op de potentiometer die nodig is om het relais te activeren, is de minimale spanning die nodig is om de transistor te laten geleiden. De spanning die nodig is om het relais uit te schakelen, is de maximale spanning die de transistor nog kan geleiden.

Hfe (beta) = IC/IB = 50. De gebruikte spanning voor Ube is 0.7V.

Door de stroombegrenzingsweerstand (RB) te variëren kan de basisstroom en de collectorstroom worden aangepast.

Een elektronisch apparaat dat een constant, gestabiliseerd voltage levert.

Een elektronisch apparaat dat gebruikt wordt om signalen te versterken. Het vermenigvuldigt de ingangsspanning met een bepaalde factor.

Een elektronisch apparaat dat gebruikt wordt om wisselspanningssignalen te versterken, door een gelijkstroom component toe te voegen aan de ingangsstroom.

De verhouding tussen de uitgangsspanning en de ingangsspanning in een versterker.

Een transistor die als schakelaar gebruikt wordt, door hem te laten werken in twee toestanden: afgeknepen (geen stroom) of verzadigd (volledige stroom).

De spanning die nodig is om een transistor volledig in geleiding te brengen, waardoor maximale stroom door de collector loopt.

Een weerstand in het circuit die gebruikt wordt om de openbasistoestand van een transistor te voorkomen, waardoor eventuele schade door een te hoge stroom wordt beperkt.