Φυσική: Κρούσεις και Ιοντισμός
139 Questions
3 Views

Choose a study mode

Play Quiz
Study Flashcards
Spaced Repetition
Chat to lesson

Podcast

Play an AI-generated podcast conversation about this lesson

Questions and Answers

Ποια είναι η χημική αντίδραση που συμβαίνει όταν έχουμε επανασύνδεση-διασπαστική επανασύνδεση;

  • 𝑒 − + 𝑆𝐹6 → 𝑆𝐹6 − (correct)
  • 𝑒 − + 𝑂2 → 𝑂2∗
  • 𝑒 − + 𝐴𝑟 → 𝐴𝑟 + + 2𝑒 −
  • 𝑒 − + 𝑆𝑖𝐻4 → 𝑆𝑖Η ∗ + 3𝐻 + 𝑒 −

    • Ποια από τις παρακάτω είναι εφαρμογή του CVD με την βοήθεια πλάσματος;

  • Καρβίδια του πυριτίου
  • PECVD –το παράδειγμα των λεπτών υμενίων Si (correct)
  • Οξείδια του πυριτίου
  • Νιτρίδια του πυριτίου

    • Ποια είναι η θερμοκρασία υποστρώματος κατά τη διαδικασία του PECVD;

  • 100 oC
  • 150 oC
  • 200 oC (correct)
  • 250 oC

    • Ποια είναι η χημική ουσσία που χρησιμοποιείται ως πρόδρομη ένωση στο PECVD;

    <p>Σιλάνιο (SiH4)</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η επίδραση της προσθήκης διβοράνης (B2H6) στο ρυθμό εναπόθεσης;

    <p>Μεγάλη αύξηση</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία που λαμβάνει χώρα κατά τη διαδικασία εναπόθεσης;

    <p>Συνέχιση πυρηνοποίησης και επώασης</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η επιφανειακή μεταβολή που μπορεί να συμβεί σε ένα υλικό κατά τη διαδικασία sputtering;

    <p>Αμορφοποίηση</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η χρήση της τεχνικής sputtering;

    <p>Καθαρισμό επιφανειών και εναπόθεση υμενίων</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία που λαμβάνει χώρα όταν οι ιόντες βομβαρδίζουν το στόχο;

    <p>Απελευθέρωση ουδετέρων ατόμων</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η εκπομπή που λαμβάνει χώρα κατά τη διαδικασία sputtering;

    <p>Εκπομπή δευτεροετών ηλεκτρονίων</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η χαρακτηριστική ιδιότητα του υλικού που προκύπτει από τη διαδικασία εναπόθεσης;

    <p>Κρυσταλλικότητα</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαφορά μεταξύ DC sputtering και RF sputtering;

    <p>Η χρήση διαφορετικού είδους υλικών λόγω αγωγιμότητας</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η λειτουργία του πλάσματος στο DC sputtering;

    <p>Το πλάσμα δημιουργεί ιόντα, ηλεκτρόνια και άτομα</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η λειτουργία των θετικών ιόντων στο DC sputtering;

    <p>Προσπίπτουν στη άνοδο</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η χρήση του αδρανή αερίου στο DC sputtering;

    <p>Για την δημιουργία του πλάσματος</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η χρήση της τεχνικής DC sputtering;

    <p>Για την εναπόθεση αγώ gimων υλικών</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαφορά μεταξύ του στόχου και του υποστρώματος;

    <p>Το στόχο είναι το υλικό προς εναπόθεση</p> Signup and view all the answers

    Ποια από τις παρακάτω εκκενώσεις χρησιμοποιείται για την παραγωγή πλάσμματος;

    <p>Ολες οι παραπάνω</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαφορά μεταξύ χωρικής σύζευξης και επαγωγικής σύζευξης;

    <p>Η χωρική σύζευξη χρησιμοποιείται για υψηλής πίεσης ενώ η επαγωγική σύζευξη χρησιμοποιείται για χαμηλής πίεσης</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η αιτία για την έναρξη μιας εκκένωσης ή ηλεκτρικού τόξου;

    <p>Η ιονίωση του αερίου</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η σχέση μεταξύ της πίεσης και του μήκους του διακένου στην εξίσωση του Paschen;

    <p>Η τάση διάσπασης είναι ανάλογη της πίεσης και αντιστρόφου του μήκους του διακένου</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η συνθήκη για την αυτοσυντηρούμενη εκκένωση;

    <p>Ο ρυθμός ιονισμού του αερίου είναι ίσος με τις απώλειες τους στα τοιχώματα</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η εφαρμογή των εκκενώσεων;

    <p>Παραγωγή πλάσμματος για χρήση σε βιομηχανικές εφαρμογές</p> Signup and view all the answers

    Πώς επηρεάζει η συνολική πίεση τη σύσταση της αέριας φάσης;

    <p>Ενισχύει τις δευτερογενείς αντιδράσεις</p> Signup and view all the answers

    Ποια ρίζα οδηγεί συνήθως σε άμορφα υλικά με πολλές ατέλειες;

    <p>SiH2</p> Signup and view all the answers

    Τι συμβαίνει όταν στο υμένιο δίνονται ενέργεια;

    <p>Ευνοείται η κρυσταλλικότητα</p> Signup and view all the answers

    Πώς ονομάζεται η φάση επώασης πριν από τη φάση κρυσταλλοποίησης;

    <p>Incubation phase</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία που λείπει στην επιφάνεια;

    <p>Θέρμανση</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η κατάσταση του υδρογονωμένου πυριτίου;

    <p>Άμορφη</p> Signup and view all the answers

    Ποιο είναι το βασικό χαρακτηριστικό της Λιθογραφίας Ακτίνων Χ;

    <p>Η χρήση μιας μάσκας που απορροφά τις ακτίνες Χ</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η περιοριστική παράμετρος της φωτολιθογραφίας;

    <p>Η ανάλυση</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία που χρησιμοποιείται στη Λιθογραφία Ακτίνων Χ;

    <p>Η διαδικασία υπό κενό</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η εφαρμογή της Λιθογραφίας Ακτίνων Χ;

    <p>Όλες οι παραπάνω</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η πηγή ακτίνων Χ που χρησιμοποιείται στη Λιθογραφία Ακτίνων Χ;

    <p>Πηγή Laser που προσπίπτει πάνω σε μια σταγόνα κασσιτέρου</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαφορά μεταξύ της Λιθογραφίας Ακτίνων Χ και της Λιθογραφίας Ακραίου Υπεριώδους;

    <p>Το μήκος κύματος των ακτίνων</p> Signup and view all the answers

    Ποιος είναι ο τρόποςfuncτίων της νανολιθογραφίας Dip-pen (NDP);

    <p>Μικροσκοπία ατομικής δύναμης (AFM)</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η ιδιότητα της νανολιθογραφίας Dip-pen (NDP) που επιτρέπει τη χρήση πολλών μελανιών;

    <p>Μεγάλο πλήθος μελανιών</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία που χρησιμοποιείται για την εγγραφή μοτίβων στο υπόστρωμα;

    <p>Νανολιθογραφία Dip-pen (NDP)</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η ιδιότητα της εστιασμένης λιθογραφίας δέσμης ιόντων (FIBL);

    <p>Δημιουργεί μοτίβα στο υπόστρωμα ή απευθείας στο υλικό</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία εγχάραξης που πραγματοποιείται με έμβαψη σε υγρό διάλυμα;

    <p>Υγρή εγχάραξη</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία που χρησιμοποιείται για την δημιουργία βιουλικών;

    <p>Νανολιθογραφία Dip-pen (NDP)</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία που συμβαίνει όταν έχουμε χημική αντίδραση;

    <p>Χημική προσβολή</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η μονάδα του χρόνου στην οποία μετριέται ο ρυθμός εγχάραξης;

    <p>μm/min</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η μειονέκτημα της νανολιθογραφίας Dip-pen (NDP);

    <p>Ταχύτητα εγγραφής σειριακά</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία εγχάραξης που πραγματοποιείται με έκθεση σε πλάσμα;

    <p>Ξηρή εγχάραξη</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία που χρησιμοποιείται για εγχαράξεις πλήρους κάλυψης σε στρώματα πολυκρυσταλλικού Si;

    <p>Υγρή εγχάραξη</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η μονάδα του βαθμού ανισοτροπίας;

    <p>无</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η χημική αντίδραση που συμβαίνει κατά τη διάλυση του οξειδίου του πυριτίου;

    <p>𝑆𝑖 + 4𝐻𝑁𝑂3 → 𝑆𝑖𝑂2 + 2𝐻2 𝑂 + 4𝑁𝑂2</p> Signup and view all the answers

    Πώς υπολογίζουμε τον μεσοσταθμικό ρυθμό εγχάραξης στρώματος Al;

    <p>Με τη μέση τιμή των ρυθμών εγχάραξης στο κέντρο και στα άκρα του δيسκίου</p> Signup and view all the answers

    Ποιο είναι το αποτέλεσμα της υγρής χημικής εγχάραξης σε polisκρυσταλλικά υλικά;

    <p>Ανισότροπη εγχάραξη</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η χρησιμοποιούμενη χημική ουσσία για την διάλυση του στρώματος SiO2;

    <p>Υδροφθορικό οξύ (HF)</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η ομοιομορφία ρυθμού εγχάραξης για ένα δίσκο Si διαμέτρου 300nm;

    <p>4,4%</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η χημική αντίδραση που συμβαίνει όταν το νιτρικό οξύ οξειδώνει το Si;

    <p>𝑆𝑖 + 4𝐻𝑁𝑂3 → 𝑆𝑖𝑂2 + 2𝐻2 𝑂 + 4𝑁𝑂2</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η χημική αντίδραση που πραγματοποιείται κατά τη διαδικασία εναπόθεσης του SiO2;

    <p>SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαφορά μεταξύ της υγρής και της ξηρής εγχάραξης;

    <p>Η υγρή εγχάραξη χρησιμοποιεί χημικά ενώσεων, ενώ η ξηρή εγχάραξη χρησιμοποιεί πλάσμα</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η εν tlakτική εγχάραξη;

    <p>Ανισοτροπική εγχάραξη</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η σχέση μεταξύ της ταχύτητας εγχάραξης και του μήκους των υποκοπών;

    <p>Η ταχύτητα εγχάραξης είναι αντιστρόφως ανάλογη του μήκους των υποκοπών</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η ένωση που δημιουργείται κατά τη διαδικασία εναπόθεσης του SiO2;

    <p>H2SiF6</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η χαρακτηριστική ιδιότητα της υγρής εγχάραξης;

    <p>Ισοτροπική εγχάραξη</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η περιοριστική παράμετρος της φωτολιθογραφίας;

    <p>Το αριθμητικό άνοιγμα του οπτικού συστήματος</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η μέθοδος λιθογραφίας η οποία χρησιμοποιεί δέσμη ηλεκτρονίων;

    <p>Λιθογραφία με δέσμη ηλεκτρονίων</p> Signup and view all the answers

    Ποιός είναι ο τρόπος λει;oυργίας της Λιθογραφίας Ακτίνων Χ;

    <p>Ελεγχόμενη δέσμη ηλεκτρονίων</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία η οποία επαživει το πρόβλημα των μικρότερων δομών σε υποστρώματα;

    <p>Λιθογραφία με δέσμη ηλεκτρονίων</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η ιδιότητα των ηλεκτρονίων που τους επιτρέπει να έχουν υψηλότερη ανάλυση;

    <p>Το μικρότερο μήκος κύματος</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η πλεονεκτήματα της Λιθογραφίας Ακτίνων Χ;

    <p>Μπορεί να δημιουργήσει σχέδια με μικρά χαρακτηριστικά</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία η οποία χρησιμοποιεί μικρότερα μήκη κύματος φωτός;

    <p>Λιθογραφία Ακραίου Υπεριώδους</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία που χρησιμοποιείται στη Λιθογραφία Ακτίνων Χ;

    <p>Ελεγχόμενη δέσμη ηλεκτρονίων</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η εφαρμογή της Λιθογραφίας Ακτίνων Χ;

    <p>Δημιουργία μικροσκοπικών σχεδίων</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η μέθοδος η οποία χρησιμοποιεί ένα υγρό μεταξύ του φακού και wafer;

    <p>Φωτολιθογραφία</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία η οποία περιορίζει την ανάλυση-διακριτική ικανότητα;

    <p>Η περίθλαση του φωτός</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η πηγή ακτίνων Χ που χρησιμοποιείται στη Λιθογραφία Ακτίνων Χ;

    <p>Ελεγχόμενη δέσμη ηλεκτρονίων</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία η οποία δημιουργεί την επιθυμητή δομή;

    <p>Φωτολιθογραφία</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαφορά μεταξύ της Λιθογραφίας Ακτίνων Χ και της Λιθογραφίας Ακραίου Υπεριώδους;

    <p>Η μία χρησιμοποιεί ακτίνες Χ και η άλλη υπервiolet ακτίνες</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία του Nanoimprint Lithography;

    <p>Μεταφορά σχεδίου από ένα πρότυπο στο υπόστρωμα</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι το πλεονέκτημα του Nanoimprint Lithography;

    <p>Δημιουργεί σχέδια με μικρά χαρακτηριστικά</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία εγχάραξης που πραγματοποιείται με έμβαψη σε υγρό διάλυμα;

    <p>Υγρή χημική εγχάραξη</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η μονάδα του χρόνου στην οποία μετριέται ο ρυθμός εγχάραξης;

    <p>λεπτά ανά.MinValue</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η χημική αντίδραση που συμβαίνει όταν έχουμε οξειδωσί;

    <p>Σί + 4ΗΝΟ3 → ΣίΟ2 + 2Η2Ο + 4ΝΟ2</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία εγχάραξης που πραγματοποιείται με έκθεση σε πλάσμα;

    <p>Εγχάραξη με πλάσμα</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η μονάδα του βαθμού ανισοτροπίας;

    <p>%</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η χημική αντίδραση που συμβαίνει κατά τη διάλυση του οξειδίου του πυριτίου;

    <p>ΣίΟ2 + HF → Σί + 2HF</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία εγχάραξης που χρησιμοποιείται για εγχαράξεις πλήρους κάλυψης σε στρώματα πολυκρυσταλλικού Si;

    <p>Εγχάραξη με πλάσμα</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η ομοιμορφία ρυθμού εγχάραξης;

    <p>(812 − 743) × 100% / (812 + 743)</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία εγχάραξης που πραγματοποιείται με έμβαψη σε υγρό διάλυμα;

    <p>Υγρή εγχάραξη</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η μονάδα του χρόνου στην οποία μετριέται ο ρυθμός εγχάραξης;

    <p>Διάρκεια (s)</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία που χρησιμοποιείται για εγχαράξεις πλήρους κάλυψης σε στρώματα πολυκρυσταλλικού Si;

    <p>Υγρή χημική εγχάραξη</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η μονάδα του βαθμού ανισοτροπίας;

    <p>Ενότητα</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία εγχάραξης που πραγματοποιείται με έκθεση σε πλάσμα;

    <p>Ξηρή εγχάραξη</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η χαρακτηριστική του υλικού κατά τη διαδικασία της υγρής εγχάραξης;

    <p>Ισότροπη</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία που λαμβάνει χώρα κατά τη διαδικασία της υγρής χημικής εγχάραξης;

    <p>Όλες οι παραπάνω</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία που χρησιμοποιείται για τη δημιουργία βιουλικών;

    <p>Δεν αναφέρεται</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η χημική αντίδραση που συμβαίνει όταν έχουμε SiO2 + 6HF;

    <p>H2SiF6 + 2H2O + 2HF</p> Signup and view all the answers

    Ποιος είναι ο ρόλος των εγχαράκτων;

    <p>Διάλυση των στρωμάτων εγχαράκτησης</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαφορά μεταξύ της υγρής και ξηρής εγχάραξης;

    <p>Η υγρή εγχάραξη είναι κατά κανόνα ισοτροπική</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η επιστημονική οντότητα που περιγράφει το βαθμό ανισοτροπίας της εγχάραξης;

    <p>Βαθμός ανισοτροπίας (Af)</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η εξίσωση που περιγράφει το βαθμό ανισοτροπίας της εγχάραξης;

    <p>Af = 1 - (Rl/Rυ)</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η μονάδα του χρόνου στην οποία μετριέται ο ρυθμός εγχάραξης;

    <p>секούνδες (s)</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η διαδικασία εγχάραξης που πραγματοποιείται με έκθεση σε πλάσμα;

    <p>Εγχάραξη με πλάσμα</p> Signup and view all the answers

    Ποια είναι η μονάδα του βαθμού ανισοτροπίας;

    <p>.Dimensionless</p> Signup and view all the answers

    Το υλικό του στόχου πρέπει να είναι αγώγιμο για να χρησιμοποιηθεί η τεχνική DC sputtering.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Η τεχνική RF sputtering χρησιμοποιείται για την εναπόθεση υλικών που são αγώγιμα.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Το αδρανές αέριο χρησιμοποιείται για να δημιουργήσει πλάσμα κατά τη διαδικασία DC sputtering.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Τα θετικά ιόντα κατευθύνονται προς το θετικά πολωμένο ηλεκτρόδιο κατά τη διαδικασία DC sputtering.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Η τεχνική Sputtering χρησιμοποιείται μόνο για την εναπόθεση μετριαζόντων υλικών.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Το πλάσμα είναι μια κατάσταση της ύλης που σχηματίζεται όταν ένα αέριο ιοντίζεται.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Η τεχνική DC sputtering είναι η ίδια με τη τεχνική RF sputtering.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Το υπόστρωμα όπου εναποτίθεται το υλικό πρέπει να είναι αγώγιμο.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Η τεχνική Sputtering χρησιμοποιείται μόνο για την εναπόθεση μεταλλικών υλικών.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Το υλικό του στόχου πρέπει να έχει υψηλό σημείο τήξης για να χρησιμοποιηθεί η τεχνική Sputtering.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Στην τεχνική DC Sputtering, το υλικό του στόχου πρέπει να είναι αγώγιμο.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Η τεχνική RF Sputtering χρησιμοποιείται μόνο για υλικά που είναι αγώγιμα.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Τα θετικά ιόντα κατευθύνονται προς το θετικά πολωμένο ηλεκτρόδιο στην τεχνική DC Sputtering.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Η τεχνική Sputtering χρησιμοποιείται μόνο για την εναπόθεση υλικών με υψηλό σημείο τήξης.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Στην τεχνική DC Sputtering, το πλάσμα δημιουργείται λόγω ιοντισμού των ιόντων αερίου.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Το υπόστρωμα πρέπει να είναι αγώγιμο για να χρησιμοποιηθεί στην τεχνική RF Sputtering.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Η τεχνική Sputtering χρησιμοποιείται μόνο για την εναπόθεση μεταλλικών υλικών.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Τα άτομα του στόχου μπορούν να κινηθούν μέσα στο πλάσμα και να συμπυκνωθούν στην επιφάνεια του υποστρώματος.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Η τεχνική Sputtering χρησιμοποιείται μόνο για την εναπόθεση λεπτών υλικών.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Το αδρανή αέριο χρησιμοποιείται για να δημιουργήσει ένα πλάσμα με ιόντα και ηλεκτρόνια.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Η χημική αντίδραση ΣiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O είναι χημική αντίδραση οξειδίου του πυριτίου.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Τα υλικά εγχάραξης για μονωτικά και αγώγιμα στρώματα διαλύονται όπως τα ογκώδη υλικά.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Η υγρή εγχάραξη είναι κατά κανόνα ισοτροπική.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Ο συμβολισμός Rl και Rυ υποδηλώνει τους πλευρικούς και κατακόρυφους ρυθμούς εγχάραξης, αντίστοιχα.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Για ισοτροπική εγχάραξη Rl ≠ Rυ.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Ο χρόνος t είναι βασικό στοιχείο του λόγου ανισοτροπίας Af.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Η ξηρή εγχάραξη χρησιμοποιείται για εγχαράξεις πλήρους κάλυψης σε στρώματα πολυκρυσταλλικού Si.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Η υγρή εγχάραξη χρησιμοποιείται για εγχαράξεις πλήρους κάλυψης σε στρώματα πολυκρυσταλλικού Si.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Ο βαθμός ανισοτροπίας Af υπολογίζεται ως Af = 1 - l/hf.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Τα στρώματα εγχαράσονται ταχύτερα από τα ογκώδη υλικά του ίδιου υλικού.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Η παραπάνω χημική αντίδραση περιγράφει τη διαδικασία della εμβάπτισης.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Τα στρώματα εγχαράσονται ταχύτερα από τα ογκώδη υλικά του ίδιου υλικού.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Η υγρή εγχάραξη είναι κατά κανόνα ισοτροπική.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Ο βαθμός ανισοτροπίας της εγχάραξης Αf μπορεί να είναι μικρότερος του 0.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Η ξηρή εγχάραξη χρησιμοποιείται μόνο για τη δημιουργία μοτίβων.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Η εισαγωγή ψευδοδιαλυτών στο υγρό διάλυμα δεν επηρεάζει τη διαδικασία εγχάραξης.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Τα ογκώδη υλικά έχουν μεγαλύτερη επιφάνεια από τα στρώματα.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Η χημική αντίδραση που περιγράφεται κατά την εισαγωγή είναι αναστρέψιμη.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Η υγρή εγχάραξη χρησιμοποιείται μόνο για τη δημιουργία στρωμάτων.

    <p>False</p> Signup and view all the answers

    Ο χρόνος εγχάραξης είναι ανάλογος του ρυθμού εγχάραξης.

    <p>True</p> Signup and view all the answers

    Study Notes

    Εισαγωγή στις Εκκενώσεις

    • Οι εκκενώσεις που χρησιμοποιούνται στην ποιοτική έρευνα και ανάπτυξη υλικών είναι τα ακόλουθα:
      • Εκκενώσεις DC (DIRECT CURRENT)
      • Εκκενώσεις RF (RADIO FREQUENCY)
      • Εκκενώσεις μιクロκυμάτων (MICROWAVE)
      • Εκκενώσεις χαμηλής πίεσης (LOW PRESSURE)
      • Εκκενώσεις ατμοσφαιρικής πίεσης (ATMOSPHERIC PRESSURE)

    Πλάσμα στο Εργαστήριο/Βιομηχανία

    • Když ένα αέριο βρίσκεται εντός ηλεκτρικού πεδίου, τα ελεύθερα ηλεκτρόνιαjím τους επιταχύνουν και κερδίζουν ενέργεια.
    • Όταν τα ηλεκτρόνια κερδίσουν αρκετή ενέργεια, ιονίζουν το αέριο παράγοντας επιπλέον ηλεκτρόνια.
    • Η αυτοσυντηρούμενη εκκένωση αποκαθίσταται όταν ο ρυθμός ιονισμού του αερίου και άρα ο ρυθμός παραγωγής φορτίων αντισταθμίζεται από τις απώλειες τους στα τοιχώματα.

    Ο Νόμος του Paschen

    • Ο νόμος του Paschen είναι μια εξίσωση που δίνει την τάση διάσπασης δηλαδή την τάση που απαιτείται για την έναρξη μιας εκκένωσης ή ηλεκτρικού τόξου.
    • Ο νόμος του Paschen δίνει την τάση που απαιτείται για την έναρξη μιας εκκένωσης ως συνάρτηση της πίεσης και του μήκους του διακένου.

    Μη Ελαστική Κρούση Ηλεκτρονίων

    • Ιοντισμός-Διασπαστικός ιονισμός: e- + Ar → Ar+ + 2e-
    • Διέγερση: e- + Ar → Ar* + e-
    • Διάσπαση: e- + SiH4 → SiH3 + H + e-
    • Επανασύνδεση-διασπαστική επανασύνδεση: e- + SF6 → SF6-

    PECVD με την βοήθεια Πλάσματος

    • Χρησιμοποιείται για την παραγωγή οξειδίων του πυριτίου, νιτριδίων του πυριτίου, καρβιδίων του πυριτίου και υδρογονωμένου πυριτίου.
    • Οι ουσίες χρησιμοποιούνται ως πρόδρομες ενώσεις για την παραγωγή των υλικών.

    CVD με την βοήθεια Πλάσματος

    • Χρησιμοποιείται για την παραγωγή υλικών με ειδικές ιδιότητες.
    • Οι ουσίες χρησιμοποιούνται ως πρόδρομες ενώσεις για την παραγωγή των υλικών.
    • Ο ρυθμός εναπόθεσης και η κρυσταλλικότητα του υλικού εξαρτώνται από τις συνθήκες εναπόθεσης.

    Επίπεδα Εναπόθεσης

    • Οι διεργασίες στην επιφάνεια είναι όμοιες με αυτές στο thermal CVD δηλαδή προσρόφηση, διάχυση, ενσωμάτωση ή εκρόφηση.
    • Τα είδη των ριζών αλλά και ο ρυθμός με τον οποίο αυτές φτάνουν στην επιφάνεια καθορίζουν τον ρυθμό εναπόθεσης και την κρυσταλλικότητα.

    Sputtering

    • Χρησιμοποιείται για την εναπόθεση υλικών και για το καθαρισμό επιφανειών.
    • Στο βομβαρδισμό του στόχου με ιόντα, λαμβάνουν χώρα οι εξής διαδικασίες:
      • Απελευθέρωση ουδετέρων ατόμων
      • Ουδετεροποίηση και οπισθοσκεδαση των προσπιπτοντων ιόντων (backscattered particles)
      • Εκπομπή ακτίνων X
      • Παραγωγή γένεση Φωτονίων (photon generation)
      • Εκπομπή δευτερογενών ηλεκτρονίων (secondary electron emission)
      • Διασκορπισμός των ατόμων αερίου που βρίσκονται στην επιφάνεια του στόχου

    Τεχνολογία Λιθογραφίας

    • Η λιθογραφία είναι μια τεχνική για την κατασκευή μικροσυσκευών και μεγάλες πλάκες
    • Χρησιμοποιείται σε διάφορους τομείς όπως η μικροηλεκτρονική, φωτονική και αποθήκευση δεδομένων
    • Οι περιορισμοί της φωτολιθογραφίας οδήγησαν σε εναλλακτικές τεχνικές λιθογραφίας

    Λιθογραφία Ακτίνων Χ

    • Χρησιμοποιείται μικρότερο μήκος κύματος (13,5 nm) από την παραδοσιακή φωτολιθογραφία
    • Επίσης χρησιμοποιείται για μικροσυσκευές και μεγάλες πλάκες
    • Έχει εφαρμογή σε πολλές μικροηλεκτρονικές διατάξεις, διατάξεις ισχύος και συσκευές υψηλής τεχνολογίας

    Νανολιθογραφία Dip-pen (NDP)

    • Τεχνική άμεσης εγγραφής για την δημιουργία νανοδομών
    • Χρησιμοποιείται ένα μοριακό «μελάνι» και ένα μικροσκοπικό όργανο ΑΤΜ
    • Έχει εφαρμογή στην δημιουργία βιολογικών και χημικών υλικών

    Εστιασμένη Λιθογραφία Δέσμης Ιόντων (FIBL)

    • Χρησιμοποιείται για τη δημιουργία μοτίβων στο υπόστρωμα ή απευθείας στο υλικό
    • Τύποι εγχάραξης:
      • Υγρή εγχάραξη
      • Ξηρή εγχάραξη
    • Έχει εφαρμογή στην μικροηλεκτρονική και άλλες τεχνολογίες

    Εγχάραξη

    • Ορισμοί:
      • Ισότροπη εγχάραξη: η εγχάραξη πραγματοποιείται προς όλες τις κατευθύνσεις
      • Ανισότροπη εγχάραξη: η εγχάραξη πραγματοποιείται προς μια κατεύθυνση
    • Ρυθμός εγχάραξης: εύρος (διαστάσεις μήκους) του υλικού που απομακρύνεται στη μονάδα του χρόνου
    • Βαθμός ανισοτροπίας: 𝐴 = 1 − (ρυθμός εγχάραξης πλευρικός / ρυθμός εγχάραξης κατακόρυφος)

    Υγρή Εγχάραξη

    • Χρησιμοποιείται για εγχαράξεις πλήρους κάλυψης σε στρώματα πολυκρυσταλλικού Si, οξειδίων, νιτριδίων, μετάλλων και άλλων ημιαγωγών
    • Διεργασία υγρής χημικής εγχάραξης:
      1. Μεταφορά αντιδρώντων, μέσω διάχυσης, στην επιφάνεια-στόχο
      2. Πραγματοποίηση των προβλεπόμενων χημικών αντιδράσεων στην επιφάνεια-στόχο
      3. Απομάκρυνση των προϊόντων αντίδρασης από την επιφάνεια, μέσω διάχυσης

    Εγχάραξη Πυριτίου

    • Χρησιμοποιείται για την υγρή χημική εγχάραξη πυριτίου
    • Διεργασία εγχάραξης:
      1. Οξείδωση του πυριτίου με νιτρικό οξύ (HNO3)
      2. Διάλυση του σχηματιζόμενου οξειδίου μέσω χημικής αντίδρασης
    • Χρησιμοποιείται και για εγχαράξεις μετάλλων και αγωγίμων υλικών

    Οπτική Λιθογραφία

    • Το φως περνάει μέσα από την μάσκα και προσπίπτει πάνω στο σχέδιο-φωτοανθεκτικό υλικό, δημιουργώντας την επιθυμητή δομή.
    • Το υπόστρωμα μπορεί να υποβληθεί και σε άλλες διεργασίες όπως εγχάραξη ή εμφύτευση ιόντων για την δημιουργία της τελικής δομής.

    Οπτική Λιθογραφία, Πρόβλημα –μειονέκτημα

    • Το μικρότερο μέγεθος που μπορεί να δημιουργήσει περιορίζεται στο μήκος κύματος του φωτός που χρησιμοποιείται και το αριθμητικό άνοιγμα του οπτικού συστήματος, μια σχέση που περιγράφεται από το κριτήριο Rayleigh.
    • Η περίθλαση περιορίζει την ανάλυση-διακριτική ικανότητα.

    Προσπάθεια για μείωση του προβλήματος

    • Χρησιμοποιούνται μικρότερα μήκη κύματος λιθογραφίας φωτός και εμβάπτισης, παρεμβάλλοντας ένα υγρό μεταξύ του φακού και wafer (μεταβάλλεται ο δείκτης διάθλασης).
    • Ανάπτυξη τεχνικών λιθογραφίας επόμενης γενιάς, όπως η ακραία υπεριώδης λιθογραφία (EUVL), η οποία χρησιμοποιεί ακόμη μικρότερα μήκη κύματος φωτός για να επιτύχει μικρότερα χαρακτηριστικά.

    Electron Beam Lithography (Λιθογραφία με δέσμη ηλεκτρονίων)

    • Εξελιγμένη μέθοδος λιθογραφίας που ξεκίνησε το 1960, ως εναλλακτική λύση στη φωτολιθογραφίας.
    • Έλυνε το πρόβλημα των μικρότερων δομών σε υποστρώματα.
    • Αντί για φώς είχε εστιασμένη δέσμη ηλεκτρονίων, τα οποία έχουν σημαντικά μικρότερο μήκος κύματος από το φώς, δίνοντας μοτίβο υψηλότερης ανάλυσης.
    • Δίνει χαρακτηρίστηκα μικρότερα από 10nm.

    Πλεονεκτήματα Electron Beam Lithography

    • Η ικανότητα να δημιουργεί εξαιρετικά περίπλοκα και προσαρμοσμένα σχέδια-μοτίβα με υψηλή ανάλυση.
    • Απουσία φυσική μάσκας παρέχει μεγαλύτερη ευελιξία για αλλαγές σχεδιασμού.
    • Έλεγχος της δέσμης ηλεκτρονίων.

    Μειονεκτήματα Electron Beam Lithography

    • Αργή τεχνική.
    • Δέσμη ηλεκτρονίων σαρώνει γραμμή προς γραμμή.
    • Υψηλό κόστος εξοπλισμού.
    • Πηγή ηλεκτρονίων υψηλής τάσης.
    • Συνθήκες εξαιρετικά υψηλού κενού.
    • Προηγμένη οπτική ηλεκτρονίων.

    Nanoimprint Lithography (Λιθογραφία εμβάπτισης)

    • Λιθογραφία επαφής που μεταφέρει απευθείας ένα σχέδιο από ένα πρότυπο πάνω σε ένα υπόστρωμα το οποίο έχει επικαλυφθεί με ένα στρώμα μονομερούς ή πολυμερούς.
    • Μηχανική παραμόρφωση στο υπόστρωμα, χρησιμοποιώντας ένα καλούπι για την διαμόρφωση του επιθυμητού σχεδίου.

    Πλεονεκτήματα Nanoimprint Lithography

    • Δημιουργεί σχέδια με μικρά χαρακτηριστικά κάτω των 10nm με υψηλή απόδοση και χαμηλό κόστος.
    • Δεν περιορίζει το φαινόμενο περίθλασης.
    • Μπορείς να έχεις μεγάλες περιοχές με ένα μονο βήμα, καθιστώντας το μια γρήγορη διαδικασία για την δημιουργία επαναλαμβανόμενων μοτίβων.

    Μειονεκτήματα Nanoimprint Lithography

    • Η φυσική επαφή μεταξύ υποστρώματος και καλουπιού μπορεί να οδηγήσει σε ατέλειες εξαιτίας των σωματιδίων στην επιφάνεια του υποστρώματος ή του καλουπιού.
    • Τα καλούπια φθείρονται με την πάροδο του χρόνου.

    Εκκενώσεις Plasma

    • Οι εκκενώσεις plasma διακρίνονται σε trois κατηγορίες: RF, DC και Microwave
    • Οι εκκενώσεις RF και Microwave χρησιμοποιούνται για την εναπόθεση υμενίων

    Πλάσμα στο Εργαστήριο/Βιομηχανία

    • Στο εργαστήριο/βιομηχανία, το πλάσμα δημιουργείται όταν ένα αέριο βρίσκεται εντός ηλεκτρικού πεδίου
    • Τα ελεύθερα ηλεκτρόνια στο αέριο επιταχύνονται και κερδίζουν συνεχώς ενέργεια
    • Όταν τα ηλεκτρόνια κερδίσουν αρκετή ενέργεια, ιονίζουν το αέριο παράγοντας επιπλέον ηλεκτρόνια

    Νόμος του Paschen

    • Ο νόμος του Paschen είναι μια εξίσωση που δίνει την τάση διάσπασης μεταξύ δύο ηλεκτροδίων σε ένα αέριο ως συνάρτηση της πίεσης και του μήκους του διακένου

    Μη Ελαστική Κρούση Ηλεκτρονίων

    • Η μη ελαστική κρούση ηλεκτρονίων μπορεί να οδηγήσει σε ιοντισμό, διέγερση, διάσπαση ή επανασύνδεση

    CVD με Πλάσμα

    • Το CVD με πλάσμα χρησιμοποιείται για την εναπόθεση υμενίων όπως οξείδια του πυριτίου, νιτρίδια του πυριτίου, καρβίδια του πυριτίου και υδρογονωμένο πυρίτιο
    • Το PECVD είναι μία τεχνική CVD που χρησιμοποιείται για την εναπόθεση υμενίων όπως SiH4 και H2

    Εναπόθεση SiH4- H2

    • Η εναπόθεση SiH4-H2 μπορεί να οδηγήσει σε υλικά με διαφορετικές ιδιότητες ανάλογα με τις συνθήκες εναπόθεσης
    • Η συνολική πίεση καθορίζει τη σύσταση της αέριας φάσης
    • Οι διεργασίες στην επιφάνεια είναι όμοιες με αυτές στο thermal CVD

    Sputtering

    • Το sputtering είναι μία τεχνική εναπόθεσης υλικών που χρησιμοποιείται για την εναπόθεση υμενίων όπως κεραμικά και ημιαγωγικά υλικά
    • Κατά τον βομβαρδισμό του στόχου με ιόντα, λαμβάνουν χώρα οι εξής διαδικασίες:
      • Απελευθέρωση ουδετέρων ατόμων
      • Ουδετεροποίηση και οπισθοσκεδαση των προσπιπτοντων ιόντων
      • Εκπομπή ακτίνων X
      • Παραγωγή γένεση Φωτονίων
      • Εκπομπή δευτεροετών ηλεκτρονίων
      • Διασκορπισμός των ατόμων αερίου που βρίσκονται στην επιφάνεια του στόχου

    Τεχνικές Sputtering

    • DC Sputtering: χρησιμοποιείται για την εναπόθεση υμενίων από αγώγιμα υλικά
    • RF Sputtering: χρησιμοποιείται για την εναπόθεση υμενίων από μη αγώγιμα υλικά

    Πλάσμα

    • Το πλάσμα είναι ένα ιονισμένο αέριο που αποτελείται από θετικά και αρνητικά φορτισμένα σωματίδια (ιόντα, ηλεκτρόνια, αρνητικά ιόντα), ουδέτερα σωματίδια (μόρια, ελεύθερες ρίζες, διεγερμένα ουδέτερα σωματίδια και φωτόνια)
    • Ο βαθμός ιονισμού ποικίλλει
    • Το πλάσμα αποτελεί την τέταρτη και πλέον διαδεδομένη κατάσταση της ύλης στο σύμπαν (99%)
    • Για την μετάβαση από τη μια κατάσταση της ύλης σε μια άλλη απαιτείται ενέργεια περίπου 10-2 eV/σωματίδιο

    Τύποι Πλάσματος

    • Το πλάσμα κατηγοριοποιείται με βάση δυο μεγέθη: την πυκνότητα των ηλεκτρονίων και τη θερμοκρασία των ηλεκτρονίων

    Εφαρμογές της Διεργασίας Πλάσματος

    • Εναπόθεση υλικών (Plasma enhanced CVD, sputtering)
    • Εγχάραξη υλικών (Plasma Etching)
    • Τροποποίηση επιφανειών (Plasma surface modification)
    • Τομείς εφαρμογής:
      • Μικροηλεκτρονική
      • Βιουλικά
      • Ιατρική-Βιοιατρική
      • Προστασία περιβάλλοντος
      • Μεταβολή επιφανειακών ιδιοτήτων
      • Προστασία υλικών

    Διεργασίες Πλάσματος

    • Το πλάσμα που χρησιμοποιείται στην εναπόθεση και την επεξεργασία υλικών είναι μια αυτοσυντηρούμενη ηλεκτρική εκκένωση ανάμεσα σε δυο ηλεκτρόδια, την κάθοδο και την άνοδο
    • Εκκενώσεις dc, rf, microwave, χαμηλής πίεσης, ατμοσφαιρικής πίεσης

    Το Πλάσμα στο Εργαστήριο/Βιομηχανία

    • Όταν ένα αέριο βρεθεί εντός ηλεκτρικού πεδίου τα ελεύθερα ηλεκτρόνια που βρίσκονται στο αέριο επιταχύνονται κερδίζοντας συνεχώς ενέργεια
    • Η αυτοσυντηρούμενη εκκένωση αποκαθίσταται όταν ο ρυθμός ιονισμού του αερίου και άρα ο ρυθμός παραγωγής φορτίων αντισταθμίζεται από τις απώλειες τους στα τοιχώματα

    Νόμος του Paschen

    • Ο νομος του Paschen είναι μια εξίσωση που δίνει την τάση διάσπασης δηλαδή την τάση που απαιτείται για την έναρξη μιας εκκένωσης ή ηλεκτρικού τόξου, μεταξύ δύο ηλεκτροδίων σε ένα αέριο ως συνάρτηση της πίεσης και του μήκους του διακένου

    Sputtering

    • Ο βομβαρδισμός ιόντων μπορεί να δημιουργήσει μια σειρά από συγκρούσεις μεταξύ των ατόμων του στόχου, οδηγώντας πιθανώς σε εκτοπισμό ορισμένων από αυτά τα άτομα
    • Μπορεί να γίνει εναπόθεση υλικού
    • Μπορεί να γίνει εγχάραξη

    Χρησιμότητα Sputtering

    • Χρησιμοποιείται:
      • Καθαρισμό επιφανειών
      • Εναπόθεση υμενίων
      • Παραγωγή ημιαγωγών
      • Φωτοβολταικές διατάξεις
      • Υλικά με υψηλό σημείο τήξης όπως κεραμικά

    Λιθογραφία

    • Δημιουργία δομών σε μια επιφάνεια μέσω αφαίρεσης, προσθήκης υλικού ή χειραγώγησης ατόμων.
    • Τύποι λιθογραφίας:
      • Φωτολιθογραφία (UV, EUV)
      • Λιθογραφία δέσμης ηλεκτρονίων (E-beam)
      • Λιθογραφία δέσμης ιόντων (Ion-beam)
      • Λιθογραφία με ακτίνα X (X-ray)
      • Λιθογραφία με δέσμη νετρόνιου (Neutron beam)
    • Εργαλεία εγγραφής:
      • Δέσμες: Ακίδες SPM (Scanning probe microscopes)
      • Φωτολιθογραφία: Οπτικές λίθοι, E-beam, X-ray
      • Λιθογραφία με δέσμη ηλεκτρονίων: E-beam lithography
      • Λιθογραφία με δέσμη ιόντων: FIBL (Focused Ion Beam Lithography)

    Οπτική Λιθογραφία

    • Επίστρωση ενός υποστρώματος με στρώμα φωτοευαίσθητου υλικού (αντίσταση)
    • Θετικό αντίσταση: διαλύεται όταν εκτίθεται στο φως και σχηματίζει το επιθυμητό σχέδιο
    • Αρνητικό αντίσταση: αντιδρά «αντίθετα», οι εκτεθειμένες στο φως περιοχές σκληραίνουν και σχηματίζουν το σχέδιο
    • Χρήση ρητινών ευαισθητοποιημένων στο επιθυμητό μήκος κύματος
    • Τοποθέτηση μάσκας με το επιθυμητό σχέδιο μεταξύ φωτεινής πηγής και υποστρώματος

    Μειονέκτημα της Οπτικής Λιθογραφίας

    • Το μικρότερο μέγεθος που μπορεί να δημιουργήσει περιορίζεται στο μήκος κύματος του φωτός
    • Η περίθλαση περιορίζει την ανάλυση-διακριτική ικανότητα

    Λιθογραφία με Δέσμη Ηλεκτρονίων (EBL)

    • Εξελιγμένη μέθοδος λιθογραφίας που ξεκίνησε το 1960
    • Λιθογραφία με δέσμη ηλεκτρονίων χωρίς χρήση μάσκας
    • Πλεονέκτημα: δημιουργεί σχέδια με υψηλή ανάλυση και μικρά χαρακτηριστικά (<10nm)
    • Μειονέκτημα: αργή τεχνική, υψηλό κόστος εξοπλισμού

    Νανολιθογραφία (NIL)

    • Λιθογραφία επαφής που μεταφέρει ένα σχέδιο από ένα πρότυπο στο υπόστρωμα
    • Χρησιμοποιείται θερμοπλαστικό υπόστρωμα
    • Πλεονεκτήματα: δημιουργεί σχέδια με μικρά χαρακτηριστικά (<10nm), μπορεί να έχεις μεγάλες περιοχές με ένα μονο βήμα
    • Μειονεκτήματα: φυσική επαφή μεταξύ υποστρώματος και καλουπιού μπορεί να οδηγήσει σε ατέλειες

    Νανολιθογραφία Dip-pen (NDP)

    • Τεχνική άμεσης εγγραφής με χρήση ακίδας μικροσκοπίου σάρωσης και μελάνης
    • Πλεονεκτήματα: μπορεί να χρησιμοποιηθεί μεγάλο πλήθος μελανιών, εναπόθεση σε ποικιλία υποστρωμάτων, λειτουργία σε θερμοκρασία δωματίου, άμεση εγγραφή χωρίς μάσκες
    • Μειονεκτήματα: ταχύτητα εγγραφής, η ανάλυση εξαρτάται από την ακίδα (AFM), η επίτευξη ομοιομορφίας σε μεγάλες επιφάνειες

    Οπτική Λιθογραφία

    • Το φως περνάει μέσα από την μάσκα και προσπίπτει πάνω στο σχέδιο, δημιουργώντας την επιθυμητή δομή.
    • Το υπόστρωμα μπορεί να υποβληθεί και σε άλλες διεργασίες όπως εγχάραξη ή εμφύτευση ιόντων για την δημιουργία της τελικής δομής.
    • Το μικρότερο μέγεθος που μπορεί να δημιουργήσει περιορίζεται στο μήκος κύματος του φωτός που χρησιμοποιείται και το αριθμητικό άνοιγμα του οπτικού συστήματος, μια σχέση που περιγράφεται από το κριτήριο Rayleigh.
    • Η περίθλαση περιορίζει την ανάλυση-διακριτική ικανότητα.

    Μειονέκτημα της Οπτικής Λιθογραφίας

    • Το μικρότερο μέγεθος που μπορεί να δημιουργήσει περιορίζεται στο μήκος κύματος του φωτός που χρησιμοποιείται και το αριθμητικό άνοιγμα του οπτικού συστήματος.

    Λύσεις για το Μειονέκτημα της Οπτικής Λιθογραφίας

    • Χρήση μικρότερων μηκών κύματος φωτός και εμβάπτισης, παρεμβάλλοντας ένα υγρό μεταξύ του φακού και wafer (μεταβάλλεται ο δείκτης διάθλασης).
    • Ανάπτυξη τεχνικών λιθογραφίας επόμενης γενιάς, όπως η ακραία υπεριώδης λιθογραφία (EUVL), η οποία χρησιμοποιεί ακόμη μικρότερα μήκη κύματος φωτός για να επιτύχει μικρότερα χαρακτηριστικά.

    Λιθογραφία με Δέσμη Ηλεκτρονίων

    • Εξελιγμένη μέθοδος λιθογραφίας που ξεκίνησε το 1960, ως εναλλακτική λύση στη φωτολιθογραφίας.
    • Έλυνε το πρόβλημα των μικρότερων δομών σε υποστρώματα.
    • Αντί για φώς είχε εστιασμένη δέσμη ηλεκτρονίων.
    • Τα ηλεκτρόνια έχουν σημαντικά μικρότερο μήκος κύματος από το φώς, δίνοντας μοτίβο υψηλότερης ανάλυσης.

    Νανολιθογραφία Dip-pen (NDP)

    • Τεχνική άμεσης εγγραφής για την δημιουργία νανοδομών.
    • Η πένα είναι μια ακίδα μικροσκοπίου σάρωσης και το μελάνι αποτελείται από μόρια σχεδιασμένα να σχηματίζουν μια συγκεκριμένη δομή στο υπόστρωμα.
    • Έρχεται σε επαφή, με το υπόστρωμα, σχηματίζοντας ένα υδατικό μηνίσκο και μέσω αυτού τα μόρια μεταφέρονται πάνω σε αυτό με την βοήθεια τριχοειδούς σωλήνα.

    Εστιασμένη Λιθογραφία Δέσμης Ιόντων (FIBL)

    • Συμπληρωματική της λιθογραφίας δέσμης ηλεκτρονίων (ιόντα αντί избронίων ή φωτονίων).
    • Δημιουργεί μοτίβα στο υπόστρωμα ή απευθείας στο υλικό.
    • Υπόστρωμα ανθεκτικό ή ευαίσθητο στα ιόντα.

    Εγχάραξη

    • Απομάκρυνση μέρους του υλικού ώστε να φτιάξουμε «αυλάκια», «κοιλότητες» κλπ στην επιφάνεια μέσα στα οποία σε ένα επόμενο στάδιο μπορούμε να εναποθέσουμε ένα άλλο υλικό.
    • Τύποι εγχάραξης:
      • Υγρή εγχάραξη
      • Ξηρή εγχάραξη

    Υγρή Εγχάραξη

    • Κατά την κοπή των ράβδων είχε αναφερθεί ο χημικός τρόπος εγχάραξης.
    • Χημικός καθαρισμός από ρύπους πριν την εναπόθεση του υλικού.
    • Η διαδικασία υγρής χημικής εγχάραξης περιλαμβάνει τρία βασικά βήματα:
      1. Μεταφορά αντιδρώντων, μέσω διάχυσης, στην επιφάνεια-στόχο
      2. Πραγματοποίηση των προβλεπόμενων χημικών αντιδράσεων στην επιφάνεια-στόχο
      3. Απομάκρυνση των προϊόντων αντίδρασης από την επιφάνεια, μέσω διάχυσης

    Studying That Suits You

    Use AI to generate personalized quizzes and flashcards to suit your learning preferences.

    Quiz Team

    Related Documents

    Παρουσίαση 7. PDF
    Παρουσίαση 8 PDF

    Description

    Συγκρούσεις ηλεκτρονίων, ιοντισμός και διέγερση. Παραγωγή δευτερογενών και ελεύθερη διαδρομή.

    More Like This

    Use Quizgecko on...
    Browser
    Open
    Browser
    Browser