Diodos e Transistores Semicondutores

Diodos Semicondutores

• Diodos e Transistores são componentes eletrônicos feitos de materiais semicondutores.
• Os metais são bons condutores de eletricidade.
• Os materiais isolantes não permitem a passagem de corrente elétrica.
• Os semicondutores são materiais intermediários entre condutores e isolantes.
• O Silício (Si) e o Germânio (Ge) são os principais semicondutores utilizados em eletrônica.
• O Silício e o Germânio têm 4 elétrons na última camada de seus átomos.
• Os átomos de silício e germânio se unem formando cristais com estrutura ordenada.

Transistores Bipolar

• O Transistor Bipolar é um dispositivo semicondutor com três terminais: Emissor, Base e Coletor.
• O Emissor e o Coletor são fortemente dopados, enquanto a base tem dopagem fraca.
• A Base tem menor área em comparação ao Emissor e o Coletor.
• A dopagem fraca da Base limita o número de portadores livres, diminuindo sua condutividade.
• O termo "Bipolar" se refere à participação de lacunas e elétrons (portadores majoritários e minoritários) no processo de injeção.

Funcionamento do Transistor de Junção Bipolar

• O Transistor PNP é usado como base para explicar o funcionamento dos Transistores.
• O funcionamento do Transistor NPN é o mesmo do Transistor PNP, com a troca dos tipos de portadores.
• A junção Base-Emissor (BE) deve ser polarizada diretamente, enquanto a junção Base-Coletor (BC) deve ser polarizada reversamente para o transistor funcionar.

Parâmetros de Operação do J-FET

• O J-FET (Transistor de Efeito de Campo de Junção) é caracterizado por parâmetros como:
  • IDss: Corrente de saturação dreno-fonte.
  • Vp (Vgsoff): Tensão de estrangulamento do canal ou tensão de corte porta-fonte.
  • Vgss: Tensão de ruptura porta-fonte, que limita a tensão nos terminais porta-fonte.
  • Gm: Transcondutância, que representa a variação da corrente AC em relação à tensão AC nos terminais porta-fonte.
  • Rds: Resistência entre Dreno e Fonte quando o dispositivo está conduzindo.

Polarização do FET

• A polarização do FET é necessária para determinar um Ponto de Operação Estático (POE).
• O POE define parâmetros como classe de operação, eficiência, fidelidade, potência consumida e potência disponível para a carga.

Decibel

• O decibel (dB) é uma medida logarítmica utilizada para expressar a diferença em amplitude entre dois níveis de potência.
• O nível de potência referencial é normalmente 1mW, com uma carga de 600 Ohms.

Parâmetros Híbridos do Transistor de Junção Bipolar (TJB)

• Os modelos de circuitos equivalentes são utilizados para analisar a operação do TJB.
• Existem modelos para as condições AC e DC do TJB.
• Os capacitores são considerados circuitos abertos na condição DC.