Modern Semiconductor Device Physics Past Paper 2024
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武汉纺织大学
2024
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This document appears to be a past paper for a course on modern semiconductor device physics. It contains multiple-choice and short-answer questions that cover basic concepts in semiconductor materials, devices, and their characteristics.
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现代半导体器件物理 一 二 三 四 得分 一、单项选择题(每小题 2 分，共 20 分) 1、若在纯硅晶体中掺入硼元素，则这种半导体是( ) A、P 型半导体 B、N 型半导体 C、本征半导体 D、补偿半导体 2.费米能级是 A、复合中心能级...
现代半导体器件物理 一 二 三 四 得分 一、单项选择题(每小题 2 分，共 20 分) 1、若在纯硅晶体中掺入硼元素，则这种半导体是( ) A、P 型半导体 B、N 型半导体 C、本征半导体 D、补偿半导体 2.费米能级是 A、复合中心能级 B、施主杂质能级 C、受主杂质能级 D、是基本被电子填满的能级与基本空着的能级之间的分界线 3、在硅、锗半导体中，能量最高的那个满带，又称为( )。 A、导带 B、价带 C、禁带 D、空带 4、平衡 PN 结 N 型区中电子的能量与 P 型区中电子能量相比( )。 A、低于 P 型区中电子能量 B、高于 P 型区中电子能量 C、与 P 型区中电子能量相等 D、不能确定 5、对于单边突变结 PN+来说，整个空间电荷区宽度主要由( )侧决定 A、P 区 B、N+区 C、N 区 D、不能确定 6、使晶体管共射电流放大系数下降到β=1 时的频率称为( )。 A、fa B、fβ C、fT D、fM 7、晶体管大电流工作时引起β0 下降的原因是( ) A、基区扩展效应 B、发射极电流集边效应 C、基区宽度调变效应 D、沟道调制效应 8、晶体管反向击穿电压 BVCEO 与 BVCBO 之间的关系是( )。 A、BVCEO >BVCBO B、BVCEO
